一种分体式靶材屏蔽罩的制作方法

本实用新型涉及屏蔽罩技术领域，尤其涉及一种分体式靶材屏蔽罩。

背景技术：

在真空磁控溅射的工作过程中，电子受到电磁场的作用向阳极靠近，其运动轨迹为旋轮线，电子向阳极运动的过程中与氩原子发生了电离碰撞，生成的氩离子在电场力的作用下加速飞向阴极靶材，并以高能量轰击靶材，发生溅射效果。为确保在磁控溅射过程中沉积薄膜的纯度，需在平面靶材侧面四周及靶材表面非靶材区域添加阳极屏蔽罩。

现有平面靶材的屏蔽罩为分体结构，屏蔽罩内壁设有绝缘块，用来隔绝屏蔽罩与靶材，以免靶材与屏蔽罩接触造成电弧，烧坏靶材。但是靶材在工作的过程中需要转动，其工作温度最高可达200℃，高温会使绝缘块损坏，导致靶材在转动时接触到屏蔽罩，从而造成异常放电和因两者接触摩擦而产生微颗粒，进而影响靶材的安全和溅射镀膜的效果。

技术实现要素：

为了克服上述现有技术的不足，本实用新型提供一种可调节内腔大小的靶材屏蔽罩。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案为：

一种分体式靶材屏蔽罩，包括第一本体和第二本体，所述第一本体设有承口部，所述第二本体设有插接部，第一本体和第二本体通过承口部和插接部进行承插连接并形成可罩扣在靶材上的罩体。

作为上述技术方案的改进，所述承口部的底部设有止挡部。

作为上述技术方案的改进，所述罩体的内腔室与所述靶材的形状相匹配。

作为上述技术方案的改进，所述第一本体和第二本体均为顶端设有端盖的半圆柱形壳体，所述罩体由两个所述半圆柱形壳体拼接而成。

作为上述技术方案的改进，所述第一本体和第二本体均在内部设有半环形槽。

作为上述技术方案的改进，所述第一本体和第二本体均在底端设有半环形凸缘。

作为上述技术方案的改进，所述第一本体的侧壁设有通孔，通孔的轴线与所述半圆柱形壳体的中心轴垂直，第二本体的侧壁设有与所述通孔同轴的内螺纹孔，通孔通过螺栓与内螺纹孔连接。

作为上述技术方案的改进，所述第一本体和第二本体均由铝材制成。

本实用新型的有益效果有：

本实用新型通过在屏蔽罩第一本体上设有承口，第二本体上设有凸缘，第一本体与第二本体通过承口与凸缘进行承插连接，并且通过改变凸缘插入承口的深度来实现调节屏蔽罩内腔的大小，以调节靶材与屏蔽罩之间的距离，避免靶材在转动的过程中与屏蔽罩接触的同时又能满足溅射镀膜的高纯度要求。

附图说明

下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步说明，其中：

图1是本实用新型实施例的爆炸图；

图2是本实用新型实施例的轴测图；

图3是本实用新型实施例第一本体的轴测图；

图4是本实用新型实施例第二本体的轴测图。

具体实施方式

参见图1和图2，一种分体式靶材屏蔽罩，包括第一本体1和第二本体2，所述第一本体1设有承口部11，所述第二本体2设有插接部21，第一本体1和第二本体2通过承口部11和插接部21进行承插连接并形成可罩扣在靶材上的罩体。通过调节凸缘插入承口的深度即可调节屏蔽罩罩体与靶材之间的距离，使得该距离可以满足靶材在转动的过程中避免与屏蔽罩接触的要求，防止靶材产生异常放电现象，同时还能保护靶材免受二次溅射所产生的复合粒子的影响。

如图1、3所示，在本实施例中，所述承口部11的底部设有止挡部12，止挡部12可以限制插接部21插入承口部11的最小深度，以确保靶材在转动的过程中不会与屏蔽罩相接触。

为了使得罩体更好的包裹靶材，在本实施例中，所述罩体的内腔室与所述靶材的形状相匹配。

可选的，如图2、3所示，在本实施例中，所述第一本体1和第二本体2均为顶端设有端盖的半圆柱形壳体，所述罩体由两个所述半圆柱形壳体拼接而成。

可选的，所述第一本体1和第二本体2均由铝材制成。

如图1～4所示，在本实施例中，所述第一本体1和第二本体2均在内部设有半环形槽5，两个半环形槽5可拼接成一个环形槽，用以安装在溅射镀膜工艺中的待镀膜工件。

如图1～4所示，在本实施例中，所述第一本体1和第二本体(2)均在底端设有半环形凸缘6，用以支撑屏蔽罩并增加屏蔽罩所罩扣的靶材与安装在上述环形槽中的待镀膜工件之间的距离。

如图1、3、4所示，在本实施例中，所述第一本体1的侧壁设有通孔13，通孔13的轴线与所述半圆柱形壳体的中心轴垂直，第二本体2的侧壁设有与所述通孔13同轴的内螺纹孔22，通孔13通过螺栓3与内螺纹孔22连接，以便于第一本体1和第二本体2的安装和拆卸。

以上所述，只是本实用新型的较佳实施方式而已，但本实用新型并不限于上述实施例，只要其以任何相同或相似手段达到本实用新型的技术效果，都应属于本实用新型的保护范围。