1.在起始基材上提供渗透屏障层系统或制造提供有表面渗透屏障层系统的基材的方法，该方法包含：
a)在起始基材上，通过由pvd和/或由ald沉积至少一个包含至少一个含无机材料的层的无机材料层系统来建立渗透密封；
b)通过将包含至少一个含聚合物材料的层的聚合物材料层系统直接沉积在所述起始基材上并将所述无机材料层系统直接沉积在所述聚合物材料层系统上来提供所述无机材料层系统对所述起始基材的粘附性以及所述无机材料层系统的裂纹密封。
2.权利要求1的方法，其包含真空等离子体聚合所述含聚合物材料的层或至少一个含聚合物材料的层的材料。
3.权利要求1或2的方法，其中建立所述渗透密封包含等离子体增强ald。
4.权利要求1至3之一的方法，至少一层从电绝缘层沉积。
5.权利要求1至4之一的方法，将所述渗透屏障层系统沉积为对可见光透明。
6.权利要求1至5之一的方法，其中在所述沉积期间起始基材处的温度不超过预定值，其优选不超过至多150℃。
7.权利要求1至6之一的方法，其包含直接在所述无机材料层系统上沉积包含至少一个含聚合物材料的层的进一步的聚合物材料层系统。
8.权利要求1至7之一的方法，其包含真空等离子体聚合多于一个含聚合物材料的层的材料。
9.权利要求1至8之一的方法，其包含重复所述步骤a)和b)。
10.权利要求1至9的方法，其包含直接在最后沉积的无机材料层系统上沉积包含至少一个含聚合物材料的层的进一步的聚合物材料层系统。
11.权利要求1至10之一的方法，其包含在至少一次沉积无机材料层系统期间或之后冷却所述基材。
12.权利要求1至11之一的方法，其包含沉积氧化硅的含无机材料的层。
13.权利要求1至12之一的方法，其包含在沉积含聚合物材料的层与沉积含无机材料的层之间以受控的方式沉积至少一个材料界面，所述界面具有如下的材料，这种材料包含所述沉积的含聚合物材料的层的聚合物材料以及所述含无机材料的层的无机材料。
14.权利要求1至13之一的方法，包含从气体或液体材料沉积至少一个含聚合物材料的层。
15.权利要求1至14之一的方法，包含从含碳材料沉积至少一个含聚合物材料的层。
16.权利要求1至15之一的方法，包含从含硅材料沉积至少一个含聚合物材料的层。
17.权利要求1至16之一的方法，包含从四甲基硅烷(tms)、六甲基二硅氧烷(hmds(o))、六甲基二硅氮烷(hmds(n))、四乙基原硅烷(teos)、乙炔、乙烯中的一种来沉积至少一个含聚合物材料的层。
18.权利要求1至17之一的方法，其包含沉积至少一个含无机材料的层，该层包含以下的至少一种或由以下的至少一种组成：氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氮化钛、氧化钽、氮化钽、氧化铪或相应的氧氮化物。
19.权利要求1至18之一的方法，其包含通过溅射、或通过蒸发、或通过电子束蒸发、或通过ald、或通过等离子体增强ald来沉积至少一个含无机材料的层。
20.权利要求1至19之一的方法，其包含通过在ald沉积室中的ald来沉积至少一个含无机材料的层，并且将前体气体和反应性气体进料到所述ald沉积室中。
21.权利要求1至20之一的方法，包含在至少两个随后的ald沉积室中通过ald沉积至少一个含无机材料的层，并且将前体气体进料到所述至少两个ald沉积室中的第一个和将反应性气体进料到所述至少两个随后的ald沉积室中的第二个。
22.权利要求20或21之一的方法，所述前体气体含有硅或金属。
23.权利要求22的方法，所述金属是铝、钽、钛、铪中的至少一种。
24.权利要求20至23之一的方法，所述反应性气体含有氧和氮中的至少一种。
25.权利要求1至24之一的方法，其包含在至少一个层沉积空间中沉积含无机材料的层，在所述沉积期间密封所述至少一个沉积空间，和通过直接连接到所述沉积空间的泵来泵抽所述沉积空间。
26.权利要求1至25之一的方法，其包含在层沉积空间中沉积含聚合物材料的层，在所述沉积期间密封所述沉积空间，和通过直接连接到所述沉积空间的泵来泵抽所述沉积空间。
27.权利要求1至26之一的方法，其包含制造所述渗透屏障层系统，该系统抑制水分子的渗透。
28.权利要求1至27之一的方法，其在真空中进行。
29.一种设备，其经构造以进行根据权利要求1至28的至少一项的方法。