一种薄膜沉积镀膜系统及对薄膜进行沉积镀膜的方法与流程

本发明涉及镀膜技术领域，具体涉及一种薄膜沉积镀膜系统及对薄膜进行沉积镀膜的方法。

背景技术：

随着柔性输电技术的发展，对大功率储能装置的需求与日俱增。聚合物

(聚丙烯、聚酰亚胺、聚偏氟乙烯－六氟丙烯)电介质薄膜电容以其极高的耐压强度得到广泛应用，但聚合物极低的介电常数使薄膜电容仅有极小的储能密度。如何提高聚合物薄膜的储能性能成为学者研究的热点内容之一。

在聚合物薄膜制造过程中混入高介电常数微粒是解决薄膜电容低储能密度问题的有效途径，但随着微粒体积系数的增加，不可避免地增加了聚合物的孔隙，导致了局部电场增强，进而导致绝缘性能变差。pecvd技术因其具有耗能少、处理效率高、无污染、成本低等优点，且对薄膜表面进行改性时不会改变薄膜本身的特性，成为薄膜材料改性方面研究的热点内容。目前通常通过pecvd(大气压低温等离子体辅助沉积、射频等离子体辅助沉积、微波等离子体辅助沉积)可在聚合物表面沉积纳米级功能镀层(al2o3、tio2、sio2、bn、batio3)来提升聚合物薄膜的绝缘性能与介电性能。

现有技术中提供了一种高温高性能电容器薄膜连续生产装置，通过放卷辊释放的待处理薄膜经过放卷调整辊调整待处理薄膜的位置、保证其处于放电缝隙的中间位置，之后待处理薄膜通过离子体沉积区，在经过收卷调整辊调整已处理薄膜的位置，调整后的已处理薄膜经过牵引辊牵引后被收卷辊收卷，收卷辊同样为气胀辊，实现了薄膜在沉积区域的平稳、可控的运动。

上述生产装置虽然可以实现大规模的连续化生产，可以与现有聚合物电容器薄膜生产速度相匹配，具有配置灵活、环境要求低、普适性强、处理速度快、生产成本低、无污染的优点。但是仍然存在以下问题：经上述装置镀膜后的薄膜会由于pecvd的不均匀性不可避免的带来薄膜表面的随机突起，突起促使局部场强提升，使绝缘性能变差，稳定性较差。

技术实现要素：

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的电容器薄膜沉积镀膜系统镀膜后的薄膜表面较为不平整、绝缘性能较差、稳定性较差的技术缺陷，从而提供一种使电容器薄膜镀膜后薄膜表面较为平整、绝缘性能提高、稳定性较好的薄膜沉积镀膜系统及对薄膜进行沉积镀膜的方法。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：

本发明提供了一种薄膜沉积镀膜系统，包括：

至少一组后处理装置，包括靠近所述薄膜两面并相对设置的高压电极板和接地电极板，所述高压电极板靠近所述薄膜的一面设置有用于镀膜表面老练的局部放电结构。

上述薄膜沉积镀膜系统中，所述局部放电结构为电晕放电结构。

上述薄膜沉积镀膜系统中，所述电晕放电结构为若干均匀排布的针状结构。

上述薄膜沉积镀膜系统中，所述后处理装置为两组，两组所述后处理装置沿所述薄膜的输送方向依次设置，两组所述后处理装置的高压电极板分设于所述薄膜的不同侧。

上述薄膜沉积镀膜系统中，还包括用于输送薄膜的输送装置，所述输送装置包括用于输送薄膜的第二滚轮和用于收集薄膜的收集辊，所述后处理装置设置于所述第二滚轮和所述收集辊之间。

上述薄膜沉积镀膜系统中，还包括设于所述后处理装置的输入端的至少一组镀膜装置。

上述薄膜沉积镀膜系统中，所述镀膜装置包括靠近所述薄膜两面并相对设置的接地电极板和高压电极阵列，所述高压电极阵列形成有若干等间距排列的第一进气孔，所述高压电极阵列靠近所述薄膜的一面设置有介质阻挡阵列，所述介质阻挡阵列形成有若干与所述第一进气孔对应设置的第二进气孔。

上述薄膜沉积镀膜系统中，所述镀膜装置为两组，两组所述镀膜装置沿所述薄膜的输送方向依次设置，两组所述镀膜装置的高压电极阵列分设于所述薄膜的不同侧。

上述薄膜沉积镀膜系统中，还包括设置于所述镀膜装置的输入端的至少一组预处理装置。

上述薄膜沉积镀膜系统中，所述预处理装置包括分别靠近所述薄膜两面并相对设置的高压电极板和接地电极板，所述高压电极板靠近所述薄膜的一面设置有介质阻挡层。

上述薄膜沉积镀膜系统中，所述预处理装置为两组，两组所述预处理装置沿所述薄膜的输送方向依次设置，两组所述预处理装置的高压电极板分设于所述薄膜的不同侧。

上述薄膜沉积镀膜系统中，所述输送装置还包括与所述第二滚轮和所述收集辊通过所述薄膜依次连接的第一滚轮和输出辊，所述镀膜装置设置于所述第一滚轮和所述第二滚轮之间，所述预处理装置设置于所述输出辊和所述第一滚轮之间。

本发明还提供了一种对薄膜进行沉积镀膜的方法，包括以下步骤：通过局部放电对镀膜后的薄膜进行表面老练处理。

上述对薄膜进行沉积镀膜的方法中，通过脉冲电晕放电产生的电晕等离子体对镀膜后的薄膜进行表面老练处理，使镀膜表面变得平整。

上述对薄膜进行沉积镀膜的方法中，通过前驱物在脉冲介质阻挡放电产生的等离子体作用下对薄膜进行镀膜。

上述对薄膜进行沉积镀膜的方法中，在对薄膜进行镀膜前通过脉冲介质阻挡放电产生的等离子体提高薄膜表面的附着力。

本发明技术方案，具有如下优点：

1.本发明提供的薄膜沉积镀膜系统，包括：至少一组后处理装置，包括靠近所述薄膜两面并相对设置的高压电极板和接地电极板，所述高压电极板靠近所述薄膜的一面设置有用于镀膜表面老练的局部放电结构。这样的设计可以对镀膜后的薄膜表面进行调控，可以降低薄膜表面的粗糙度，从而减少薄膜表面的凸起，使镀膜后的薄膜表面较为平整，降低凸起带来的局部场强提升，提高薄膜镀层的稳定性和绝缘性能。

2.本发明提供的薄膜沉积镀膜系统，所述局部放电结构为电晕放电结构。所述电晕放电结构为若干均匀排布的针状结构。通过电晕放电结构、高压电极板、接地电极板间发生脉冲电晕放电而生成电晕等离子体，电晕等离子体对薄膜进行后处理，可以提高薄膜镀层的稳定性和减少薄膜表面粗糙度，调控薄膜表面形貌，提高绝缘性能。

3.本发明提供的薄膜沉积镀膜系统，所述后处理装置为两组，两组所述后处理装置沿所述薄膜的输送方向依次设置，两组所述后处理装置的高压电极板分设于所述薄膜的不同侧。这样的设计能够薄膜两面依次被后处理装置处理，提高了便捷性。

4.本发明提供的薄膜沉积镀膜系统，还包括用于输送薄膜的输送装置，所述输送装置包括用于输送薄膜的第二滚轮和用于收集薄膜的收集辊，所述后处理装置设置于所述第二滚轮和所述收集辊之间。这样的设计使薄膜在被后处理装置处理时，可以实现自动输入和输出，提高了便捷性。

5.本发明提供的薄膜沉积镀膜系统，还包括设于所述后处理装置的输入端的至少一组镀膜装置。所述镀膜装置包括靠近所述薄膜两面并相对设置的接地电极板和高压电极阵列，所述高压电极阵列形成有若干等间距排列的第一进气孔，所述高压电极阵列靠近所述薄膜的一面设置有介质阻挡阵列，所述介质阻挡阵列形成有若干与所述第一进气孔对应设置的第二进气孔。这样的设计可以使从第一进气孔和第二进气孔进入等离子体区域内的前驱物与等离子体发生反应在薄膜表面沉积并生长成良好的功能层镀层，使薄膜介电性能与绝缘性能提升，具有耗能少、处理效率高、成本低的优点。

6.本发明提供的薄膜沉积镀膜系统，所述镀膜装置为两组，两组所述镀膜装置沿所述薄膜的输送方向依次设置，两组所述镀膜装置的高压电极阵列分设于所述薄膜的不同侧。这样的设计能够使薄膜两面依次被镀膜装置处理，提高了便捷性。

7.本发明提供的薄膜沉积镀膜系统，还包括设置于所述镀膜装置的输入端的至少一组预处理装置。所述预处理装置包括分别靠近所述薄膜两面并相对设置的高压电极板和接地电极板，所述高压电极板靠近所述薄膜的一面设置有介质阻挡层。通过预处理引入极性基团提高薄膜表面结合力，进而提高薄膜基底和镀层之间的密着度，使沉积后的镀层不易掉落。

8.本发明提供的薄膜沉积镀膜系统，所述预处理装置为两组，两组所述预处理装置沿所述薄膜的输送方向依次设置，两组所述预处理装置的高压电极板分设于所述薄膜的不同侧。这样的设计能够使薄膜两面依次被预处理装置处理，提高了便捷性。

9.本发明提供的薄膜沉积镀膜系统，所述输送装置还包括与所述第二滚轮和所述收集辊通过所述薄膜依次连接的第一滚轮和输出辊，所述镀膜装置设置于所述第一滚轮和所述第二滚轮之间，所述预处理装置设置于所述输出辊和所述第一滚轮之间。这样的设计使薄膜在被预处理装置和镀膜装置处理时，可以实现自动输入和输出，提高了便捷性；同时可以实现各处理区间的空间独立、电源独立、气氛独立，各处理区间可单独使用。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明的电容器薄膜沉积装置的结构示意图；

附图标记说明：

1－输出辊；2－薄膜；3－接地电极板；4－介质阻挡层；5－高压电极板；6－第一滚轮；7－高压电极阵列；8－介质阻挡阵列；9－第二滚轮；10－收集辊；11－等离子体区域；12－前驱物气溶胶。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。

实施例1

如图1所示，本实施例提供了一种薄膜2沉积镀膜系统，用于对电容器聚合物薄膜2材料进行镀膜处理，薄膜2沉积镀膜系统包括两组后处理装置、两组镀膜装置、两组预处理装置以及输送装置。聚合物电容薄膜2材料可为聚乙烯、聚丙烯、聚酰亚胺、聚四氟乙烯和铁电聚合物等。

在本实施例中，后处理装置包括分别靠近所述薄膜2两面并相对设置的高压电极板5和接地电极板3，即高压电极板5和接地电极板3分别靠近薄膜2的不同面并对应设置，所述高压电极板5靠近所述薄膜2的一面设置有用于镀膜表面老练的局部放电结构。进一步地，所述局部放电结构为电晕放电结构。进一步地，所述电晕放电结构为若干均匀排布的针状结构，针状结构与高压电极板5形成带针高压电极板5。带针高压电极板5与接地电极板3之间预留有放电缝隙，以形成等离子体区域11。

进一步地，两组所述后处理装置沿所述薄膜2的输送方向依次设置，两组所述后处理装置的高压电极板5分设于所述薄膜2的不同侧。这样的结构设计可以对薄膜2的两面进行后处理。两组后处理装置形成用于对镀膜后的薄膜2进行表面老练处理的后处理区。后处理区使用电晕放电进行后处理，通过后处理过程，提高薄膜2镀层的稳定性和表面平整度。作为替代的实施方式，后处理区还可用辉光放电、射流放电、射频放电和微波放电等代替。

在本实施例中，镀膜装置设于所述后处理装置的输入端。即先对薄膜2进行镀膜，然后在进行后处理。

进一步地，所述镀膜装置包括靠近所述薄膜2两面并相对设置的接地电极板3和高压电极阵列7，即高压电极阵列7和接地电极板3分别靠近薄膜2的不同面并对应设置，所述高压电极阵列7形成有若干等间距排列的第一进气孔，所述高压电极阵列7靠近所述薄膜2的一面设置有介质阻挡阵列8，所述介质阻挡阵列8形成有若干与所述第一进气孔对应设置的第二进气孔。介质阻挡阵列8与接地电极板3之间预留有放电缝隙，以形成等离子体区域11。若干第一进气孔和若干第二进气孔形成用于前驱物气溶胶12进入的进气间隙。

进一步地，两组所述镀膜装置沿所述薄膜2的输送方向依次设置，两组所述镀膜装置的高压电极阵列7分设于所述薄膜2的不同侧。两组镀膜装置形成用于对薄膜2沉积镀层的薄膜2镀层沉积区。前驱物气溶胶12通过进气间隙进入薄膜2镀层沉积区的等离子体区域11内，等离子体中的带电粒子通过轰击气溶胶使之成为活化小分子基团，在电场力的作用下，前驱物分解出的小分子基团依次在薄膜2两面沉积并生长成为良好的功能性镀层。在本实施例中，气溶胶气体可以选用氩气、氦气、氖气、氮气、氧气、氨气、空气及以上气体的混合气体。

在本实施例中，沉积区可沉积al2o3、tio2、sio2、bn、batio3等镀层，同时可在薄膜2两面沉积以上所述的不同种类的镀层。

作为替代的实施方式，沉积区还可用辉光放电、电晕放电、射流放电、射频放电和微波放电等代替。

在本实施例中，预处理装置设置于所述镀膜装置的输入端。即在对薄膜2进行镀膜之前先对薄膜2进行预处理。

进一步地，所述预处理装置包括分别靠近所述薄膜2两面并相对设置的高压电极板5和接地电极板3，即高压电极板5和接地电极板3分别靠近薄膜2的不同面并对应设置，所述高压电极板5靠近所述薄膜2的一面设置有介质阻挡层4。介质阻挡层4与接地电极板3之间预留有放电缝隙，以形成等离子体区域11。

进一步地，两组所述预处理装置沿所述薄膜2的输送方向依次设置，两组所述预处理装置的高压电极板5分设于所述薄膜2的不同侧。两组预处理装置形成用于对镀膜前的薄膜2进行提高表面附着力处理的预处理区。预处理区使用dbd放电(介质阻挡放电)进行沉积前预处理，通过引入极性基团提高薄膜2基底附着力，从而提高薄膜2基底和镀层之间的密着度。

作为可替代的实施方式，预处理区还可使用多巴胺气溶胶喷涂代替dbd放电进行沉积前预处理。

作为可替代的实施方式，所述预处理区还可用辉光放电、电晕放电、射流放电、射频放电和微波放电代替。

在本实施例中，所述高压电极板5和所述高压电极阵列7中的高压电极包含高频交流脉冲电源、微秒脉冲电源、纳秒脉冲电源、射频电源和微波电源。

在本实施例中，输送装置用于输送薄膜2，所述输送装置包括用于输送薄膜2的第二滚轮9和用于收集薄膜2的收集辊10，所述后处理装置设置于所述第二滚轮9和所述收集辊10之间。进一步地，所述输送装置还包括与所述第二滚轮9和所述收集辊10通过所述薄膜2依次连接的第一滚轮6和输出辊1，所述第一滚轮6用于薄膜2的输送，所述输出辊1用于薄膜2的输出，所述镀膜装置设置于所述第一滚轮6和所述第二滚轮9之间，所述预处理装置设置于所述输出辊1和所述第一滚轮6之间。进一步地，输出辊1与第一滚轮6之间的连线、第一滚轮6与第二滚轮9之间的连线、第二滚轮9与收集辊10之间的连线呈近似三角形方式排布，能够节省占空空间。作为可替代的实施方式，输出辊1与第一滚轮6之间的连线、第一滚轮6与第二滚轮9之间的连线、第二滚轮9与收集辊10之间的连线还可以呈直线型排布或根据实际需要呈其他方式排布。输送装置的设计使预处理装置、镀膜装置和后处理装置形成分级连续系统。聚合物电介质薄膜2从输出辊1输出，连续经过三级等离子体处理区域(每个区域由两组电极构成，以对薄膜2进行两面处理)，最后由收集辊10收集。

薄膜2首先经过两组相同的由高压电极板5、介质阻挡层4和接地电极板3组成的dbd预处理区，等离子体由高压电极板5、介质阻挡层4与接地电极板3间发生脉冲介质阻挡放电产生，等离子体中的带电粒子在空气中受电场力的作用而轰击薄膜2，为薄膜2的两面依次引入均匀的极性基团，极性基团能加强之后镀层与薄膜2的粘合力，提升镀层密着度。

接着薄膜2经过两组相同的由高压电极阵列7、阻挡介质阵列和接地电极板3组成的薄膜2镀层沉积区，高压电极阵列7、阻挡介质阵列和接地电极板3间发生脉冲介质阻挡放电产生了与预处理区相同的等离子体，前驱物气溶胶12通过进气间隙进入此区域的等离子体内。与预处理过程相似，等离子体中的带电粒子通过轰击气溶胶使之成为活化小分子基团，在电场力的作用下，前驱物分解出的小分子基团依次在薄膜2两面沉积并生长成为良好的功能性镀层。

最后薄膜2进入后处理区，薄膜2通过带针高压电极板5、接地电极板3组成的电晕后处理区，带针高压电极板5和接地电极板3间发生脉冲电晕放电而生成电晕等离子体，电晕等离子体通过老练过程对薄膜2进行处理，具体过程为：在电晕中镀层突起部分因局部电过强会发生微小放电，放电引起突起部分融化从而使表面变得平整。同时在等离子体中表面分子迁移加快，从而降低表面粗糙度。

本发明的薄膜2沉积镀膜系统，集成了预处理、沉积和后处理功能，在对薄膜2处理时，薄膜2分别经过预处理区、薄膜2镀层沉积区和后处理区。通过dbd(介质阻挡放电)对薄膜2进行预处理，通过引入极性基团提高薄膜2基底附着力，进而提升薄膜2对沉积镀层的结合力；通过pecvd在薄膜2上沉积功能镀层(al2o3、tio2、sio2、bn、batio3)实现聚合物电容器薄膜2介电性能与绝缘性能的提升；通过电晕放电进行后处理，提高薄膜2镀层的稳定性和减少薄膜2表面粗糙度，调控薄膜2表面形貌。产物相对于单体沉积装置拥有更好的介电性能、绝缘强度和更多的应用场景。系统中的各处理区间空间独立、电源独立、气氛独立，可单独使用。薄膜2两面可同时被处理，可以调控薄膜2两面的表面物理形貌和化学基团，提高介质薄膜2的介电性能和绝缘性能。本系统可简单高效的在介质薄膜2两面同时大面积的沉积功能性镀层，提高现有薄膜2的介电和绝缘性能，适合投入大规模工业生产应用，具备成本低廉、装置简便、易于制造、灵活高效、处理过程环保等优点。本系统能够较大限度的发挥功能层的作用，适用于相关行业生产实际需要，利于功能层发挥作用，利于沉积产物的推广应用。

作为可替代的实施方式，还可以将后处理装置、镀膜装置、预处理装置分别设置为一组。

实施例2

本实施例提供了一种对薄膜2进行沉积镀膜的方法，包括以下步骤：通过脉冲电晕放电产生的电晕等离子体对镀膜后的薄膜2进行表面老练处理，使镀膜表面变得平整。通过前驱物在脉冲介质阻挡放电产生的等离子体作用下对薄膜2进行镀膜。在对薄膜2进行镀膜前通过脉冲介质阻挡放电产生的等离子体提高薄膜2表面的附着力。

本方法包含了预处理工艺、沉积镀层处理工艺以及后处理工艺。预处理利用dbd(介质阻挡放电)对薄膜2进行初步处理，通过引入极性基团提高薄膜2基底附着力，提高薄膜2基底和镀层之间的密着度；沉积镀层处理利用放电等离子体和前驱物共同作用，在薄膜2基底上沉积功能性镀层(tio2、sio2、bn等)；最后通过脉冲电晕放电而生成电晕等离子体，电晕等离子体对薄膜2进行后处理，提高薄膜2镀层的稳定性和表面平整度。

作为替代的实施方式，还可通过辉光放电、射流放电、射频放电和微波放电对镀膜后的薄膜2进行表面老练处理。

实施例3

选取两卷幅宽0.5×50m、厚度为12μm的聚丙烯电容薄膜2(bopp)作为待处理材料，一卷从输出辊1输出，另一卷不作处理作为对比。控制输出辊1和收集辊10的速度为1cm/s，在薄膜2镀层沉积区高压电极阵列7和介质阻挡阵列8的每个进气间隙间通入30sccm的四氯化钛氧气气溶胶。在预处理区的高压电极板5和接地电极板3间、薄膜2镀层沉积区的高压电极阵列7和接地电极板3间、后处理区的带针高压电极板5、接地电极板3间都加上6kv、500hz的脉冲电压。预处理区出现均匀等离子体，等离子体为薄膜2表面引入羟基极性基团，薄膜2对沉积物吸引力增强。薄膜2镀层沉积区出现淡蓝色均匀等离子体。其中薄膜2镀层沉积区等离子体轰击ticl4气溶胶，加速其与空气中的水发生反应，从而生成tio2锐钛矿薄膜2，其反应式如下：

ticl4+2h2o→tio2+4hcl。

电晕处理区出现蓝色电晕，处理后薄膜2表面无颗粒状物质，粗糙度明显下降，处理后薄膜2结合力明显增加。

实施例4

选取两卷幅宽0.5×50m、厚度为4μm的聚酰亚胺薄膜2作为待处理材料，一卷从输出辊1输出，另一卷不作处理作为对比。控制输出辊1和收集辊10的速度为5cm/s，在薄膜2镀层沉积区高压电极阵列7和介质阻挡阵列8的每个进气间隙间通入200sccm的硅酸四乙酯(teos)、氩气气溶胶。在预处理区的高压电极板5和接地电极板3间、薄膜2镀层沉积区的高压电极阵列7和接地电极板3间、后处理区的带针高压电极板5、接地电极板3间都加上15kv、10khz的脉冲电压。预处理区出现均匀等离子体，等离子体为薄膜2表面引入羟基极性基团，薄膜2对沉积物吸引力增强。薄膜2镀层沉积区出现淡蓝色均匀等离子体。薄膜2镀层沉积区出现蓝色均匀等离子体。其中薄膜2镀层沉积区等离子体轰击teos，加速其发生分解并和空气发生反应，从而生成siox薄膜，其反应式如下：

si(oc2h5)4+e—→siox+h2o+co2。

电晕处理区出现蓝色电晕，处理后薄膜2表面无颗粒状物质，粗糙度明显下降，处理后薄膜2结合力明显增加。

实施例5

选取两卷幅宽0.5×50m、厚度为24μm的聚乙烯薄膜2作为待处理材料，一卷从输出辊1输出，另一卷不作处理作为对比。控制输出辊1和收集辊10的速度为10cm/s，在薄膜2镀层沉积区高压电极阵列7和介质阻挡阵列8的每个进气间隙间通入1000sccm的液态ab(氨硼烷)氮气气溶胶。在预处理区的高压电极板5和接地电极板3间、薄膜2镀层沉积区的高压电极阵列7和接地电极板3间、后处理区的带针高压电极板5、接地电极板3间都加上40kv、50khz的脉冲电压。预处理区出现蓝色均匀等离子体，等离子体为薄膜2表面引入羟基极性基团，薄膜2对沉积物吸引力增强。薄膜2镀层沉积区出现淡蓝色均匀等离子体。薄膜2镀层沉积区出现蓝色均匀等离子体。其中薄膜2镀层沉积区等离子体轰击ab，加速其发生分解，从而生成bn薄膜2，其反应式如下：

nh3bh3+e—→(nhbh)n→hbn。

电晕处理区出现蓝色电晕，处理后薄膜2表面无颗粒状物质，粗糙度明显下降，处理后薄膜2结合力明显增加。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。