1.一种微孔薄膜表面沉积装置，包括：
箱体，所述微孔薄膜从所述箱体中部穿过，所述箱体具有若干第一区域和若干第二区域，所述第一区域和所述第二区域交替设置；
若干通气管，所述通气管均匀分布在所述微孔薄膜的上方，所述通气管插入所述箱体，所述通气管用于连接气源并向所述微孔薄膜表面通气，所述通气管包括：
第一通气管，所述第一通气管设置在所述第一区域内，所述第一通气管用于向所述箱体内通入第一反应气体；
第二通气管，所述第二通气管设置在所述第二区域内，所述第二通气管用于向所述箱体内通入第二反应气体。
2.根据权利要求1所述的一种微孔薄膜表面沉积装置，其中，所述箱体还包括：
若干第三区域，所述第三区域设置在任意一对的所述第一区域和所述第二区域之间。
3.根据权利要求2所述的一种微孔薄膜表面沉积装置，其中，所述通气管还包括：
第三通气管，所述第三通气管设置在所述第三区域内，所述第三通气管用于向所述箱体内通入非反应气体。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种微孔薄膜表面沉积装置，其中，所述通气管与所述微孔薄膜表面之间的距离为0.2-2cm。
5.根据权利要求1所述的一种微孔薄膜表面沉积装置，其中，所述箱体还包括：
红外线加热装置，所述红外线加热装置对箱体内部进行加热，保证所述箱体内的所述第一反应气体和所述第二反应气体的反应温度。
6.根据权利要求1所述的一种微孔薄膜表面沉积装置，其中，所述箱体还包括：
入口，所述入口设置在所述箱体的侧面，所述入口用将于所述微孔薄膜引入所述箱体；
出口，所述出口设置在所述箱体的另一侧面，所述出口与所述入口相对设置，所述出口用于将所述微孔薄膜引出所述箱体。
7.根据权利要求6所述的一种微孔薄膜表面沉积装置，其中，所述入口包括：
第一夹紧辊，所述第一夹紧辊用于将所述微孔薄膜夹紧。
8.根据权利要求6所述的一种微孔薄膜表面沉积装置，其中，所述出口包括：
第二夹紧辊，所述第二夹紧辊用于将所述微孔薄膜夹紧。
9.根据权利要求1所述的一种微孔薄膜表面沉积装置，其中，所述微孔薄膜表面沉积装置还包括：
吸气装置，所述吸气装置设置在所述微孔薄膜的下方，所述吸气装置用于将箱体内的气体吸出箱体。
10.根据权利要求9所述的一种微孔薄膜表面沉积装置，其中，所述吸气装置包括：
吸气管，所述吸气管对准所述微孔薄膜表面，用于吸收所述从所述微孔薄膜上的细孔中穿过的气体，所述吸气管插入所述箱体；
吸气泵，所述吸气泵设置在所述箱体外，所述吸气泵连接所述吸气管。
11.根据权利要求10所述的一种微孔薄膜表面沉积装置，其中，所述吸气管与所述微孔薄膜表面之间的距离为0.2-2cm。
12.根据权利要求10所述的一种微孔薄膜表面沉积装置，其中，所述吸气管的端部为喇叭状。
13.根据权利要求1所述的一种微孔薄膜表面沉积装置，其中，所述微孔薄膜表面沉积装置还包括：
抽真空装置，所述抽真空装置连接所述箱体。
14.一种微孔薄膜表面沉积方法，包括：
在所述微孔薄膜穿过箱体的移动过程中，分多个区域向所述微孔薄膜表面交替通入第一反应气体和第二反应气体，使所述第一反应气体和所述第二反应气体在微孔薄膜表面反应并形成沉积层。
15.根据权利要求14所述的一种微孔薄膜表面沉积方法，其中，所述第一反应气体为金属化合物蒸汽。
16.根据权利要求15所述的一种微孔薄膜表面沉积方法，其中，所述金属化合物蒸汽包括选自铝、钙、镁、硅、钛及锆中的至少一个金属的金属化合物。
17.根据权利要求16中的任一项所述的一种微孔薄膜表面沉积方法，其中，所述金属化合物蒸汽为三甲基铝(tma)。
18.根据权利要求14所述的一种微孔薄膜表面沉积方法，其中，所述第二反应气体为非金属化合物蒸汽。
19.根据权利要求18所述的一种微孔薄膜表面沉积方法，其中，所述第二反应气体包括选自碳、氮、硫及氧中的至少一个的非金属化合物。
20.根据权利要求19所述的一种微孔薄膜表面沉积方法，其中，所述第二反应气体为水蒸气。
21.根据权利要求14所述的一种微孔薄膜表面沉积方法，其中，在任意一组的所述第一反应气体和所述第二反应气体之间，向所述微孔薄膜表面通入非反应气体。
22.根据权利要求21所述的一种微孔薄膜表面沉积方法，其中，所述非反应气体为惰性气体。
23.根据权利要求22所述的一种微孔薄膜表面沉积方法，其中，所述非反应气体为氮气。
24.根据权利要求14所述的一种微孔薄膜表面沉积方法，其中，在任一区域中的所述第一反应气体或所述第二反应气体的通气量通过调节所述区域的宽度来控制。
25.根据权利要求21所述的一种微孔薄膜表面沉积方法，其中，在任一区域中的所述非反应气体的通气量通过调节所述区域的宽度来控制。
26.根据权利要求14所述的一种微孔薄膜表面沉积方法，其中，所述微孔薄膜的移动速度10米/分钟～120米/分钟。
27.根据权利要求14所述的一种微孔薄膜表面沉积方法，其中，在向所述微孔薄膜通入所述第一反应气体和所述第二反应气体的同时，在所述微孔薄膜下方，将多余未反应的所述第一反应气体和所述第二反应气体通过吸气装置排出所述箱体。
28.根据权利要求14所述的一种微孔薄膜表面沉积方法，其中，所述箱体内保持真空环境，真空度为10-7mtorr(毫托)-100torr(托)。
29.一种微孔薄膜，采用如权利要求14-28中任一项所述的一种微孔薄膜表面沉积方法制成。
30.一种二次电池，具有如权利要求29所述的一种微孔薄膜。