0直径相适应的通孔。
[0026]本实施例中，碳化硅杆30的直径和夹持块的数量根据其要承接的石墨舟的重量而定，若石墨舟重量大时，可相应增加碳化硅杆30的直径，并相应增加夹持块40的数量，以提尚碳化娃杆30的承重能力。
[0027]本发明通过单杆夹持碳化硅双杆结构，石墨舟落到碳化硅双杆上，依靠石墨舟支撑架定位，由于采用碳化硅双杆结构，机械机构简单，成本低，装配难度降低，整体悬臂的质量轻，能够防止悬臂的变形量。
[0028]为防止在PECVD反应室进行薄膜淀积时产生变形，碳化硅杆30的内部沿其轴向方向可设有若干根防止形变的加强筋，加强筋的材料可根据实际情况而定。
[0029]本实施例中，碳化硅杆30位于炉门10内侧，处于反应室内进行薄膜沉积的环境。为了石墨舟放置在碳化硅杆30上进行薄膜沉积时不与碳化硅杆30进行导电，在碳化硅杆30上，用于放置石墨舟的位置上，设置两个金属支撑架60，以分别支撑石墨舟。金属支撑架60的外侧两端设有绝缘板70，以使石墨舟与金属支撑架60绝缘；同时，碳化硅杆30的外侧端设有绝缘套80，以使石墨舟与碳化硅杆30或金属连接块50绝缘。本实施例中的绝缘板70或/和绝缘套80优选为陶瓷绝缘板。
[0030]使用本实施例的悬臂炉门，石墨舟需进行薄膜沉积时，只需放置在碳化硅杆30上的金属支撑架60上，碳化硅杆30随着石墨舟共同进入反应室进行薄膜沉积。
[0031]本实施例中，炉门10包括炉门电极90，石墨舟包括石墨舟电极块(图中未示出)，炉门电极90与石墨舟电极块之间通过电极引入装置连接，电极引入装置将射频引入石墨舟，以形成电场。该电极引入装置与炉门电极90和石墨舟的电极块相连，将电荷由炉门10位置引入石墨舟。
[0032]具体的，电极引入装置包括两个并列设置的电极支架100 ;电极支架100的一端与炉门电极90相连，电极支架100的另一端为金属电极触头110，与石墨舟电极块相连，通过金属电极触头110可以将炉门电极90的电荷传送至石墨舟。为增强石墨舟电极块与金属电极触头110的紧密配合效果，石墨舟电极块上具有凹槽，金属电极触头110上设有与凹槽相配合的凸起，此结构设置能够保证石墨舟电极块与金属电极触头110的紧密适配接触。
[0033]本实施例的电极引入装置，采用搭接形式，依托电极支架100将金属电极触头110直接和炉门电极90连接起来。
[0034]综上所述，本发明提供的用于卧式半导体设备的石墨舟推送装置，使用单根连接杆夹持碳化硅双杆的结构，使石墨舟放置在两根碳化硅杆上，依靠石墨舟支撑架定位、陶瓷板绝缘，由于碳化硅双杆耐温在1000多度，在PECVD反应室进行薄膜淀积时，变形很小；并且单杆夹持碳化硅双杆结构，机械机构简单，成本低，装配难度降低，整体悬臂的质量轻，能够防止悬臂的变形量。
[0035]此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0036]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种用于卧式半导体设备的石墨舟推送装置，包括炉门，其特征在于，还包括穿过炉门的连接杆；所述连接杆的一端在炉门外侧，用于与外部操作设备连接，所述连接杆的另一端伸入炉门内侧的反应腔室内，用于固定连接石墨舟支撑杆； 其中，所述石墨舟支撑杆包括两根并列设置的碳化硅杆，所述碳化硅杆上设有至少两个用以支撑石墨舟的金属支撑架；所述碳化硅杆的内侧端通过第一固定装置与所述连接杆固定连接，所述碳化硅杆的外侧端设有用于固定其自身的第二固定装置。
2.根据权利要求1所述的用于卧式半导体设备的石墨舟推送装置，其特征在于，所述碳化硅杆的内部，沿其轴向方向设有若干根防止形变的加强筋。
3.根据权利要求1所述的用于卧式半导体设备的石墨舟推送装置，其特征在于，所述金属支撑架的外表面上方设有绝缘板，以使所述石墨舟与所述金属支撑架绝缘。
4.根据权利要求1所述的用于卧式半导体设备的石墨舟推送装置，其特征在于，所述第一固定装置为夹持块，所述夹持块具有多个通孔以及紧固件，所述通孔的直径分别与所述连接杆以及碳化硅杆的直径相适应；所述第二固定装置为金属连接块，所述金属连接块具有与所述碳化硅杆直径相适应的通孔。
5.根据权利要求1所述的用于卧式半导体设备的石墨舟推送装置，其特征在于，所述碳化硅杆的外侧端设有绝缘套，以使所述石墨舟与所述碳化硅杆绝缘。
6.根据权利要求5所述的用于卧式半导体设备的石墨舟推送装置，其特征在于，所述绝缘套为陶瓷绝缘板。
7.根据权利要求1所述的用于卧式半导体设备的石墨舟推送装置，其特征在于，所述炉门包括炉门电极，所述石墨舟包括石墨舟电极块，所述炉门电极与所述石墨舟电极块之间通过电极引入装置连接，所述电极引入装置将射频引入所述石墨舟，以形成电场。
8.根据权利要求7所述的用于卧式半导体设备的石墨舟推送装置，其特征在于，所述电极引入装置包括两个并列设置的电极支架；所述电极支架的一端与所述炉门电极相连，所述电极支架的另一端为金属电极触头，与所述石墨舟电极块相连。
9.根据权利要求8所述的用于卧式半导体设备的石墨舟推送装置，其特征在于，所述石墨舟电极块上具有凹槽，所述金属电极触头上设有与所述凹槽相配合的凸起。
【专利摘要】本发明涉及一种用于卧式半导体设备的石墨舟推送装置，属于卧式半导体设备技术领域，包括炉门以及穿过炉门的连接杆，连接杆固定连接石墨舟支撑杆；其中，石墨舟支撑杆包括两根并列设置的碳化硅杆，碳化硅杆上设有至少两个用以支撑石墨舟的金属支撑架。本发明通过单根连接杆夹持碳化硅双杆的结构，使石墨舟放置在两根碳化硅杆上，依靠石墨舟支撑架定位、陶瓷板绝缘，由于碳化硅双杆耐温在1000多度，在PECVD反应室进行薄膜淀积时，变形很小；并且单杆夹持碳化硅双杆结构，机械机构简单，成本低，装配难度降低，整体悬臂的质量轻，能够防止悬臂的变形量。
【IPC分类】C23C16-44
【公开号】CN104561930
【申请号】CN201510010029
【发明人】宋晓彬, 郝晓明, 桂晓波
【申请人】北京七星华创电子股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年1月8日