的点在与该对角线（15)垂直相交的方 向上移动槽间距的15%距离的点。
[0053] 图3是示出本发明的偏移区域Z的优选范围的示意图。
[0054] 如图3所示，偏移区域Z(8)为由3条虚拟直线A(9)、B(10)或C(11)、及F(16)包 围的区域，1个XY格子槽内存在8个偏移区域Z(8)。虚拟直线F(16)为，使穿过相邻的2 个X槽（12)或相邻的2个Y槽（13)的中央的中央线G(17)平行地移动槽间距的5% (优 选10%，更优选15% )距离而成的直线。通过将圆形状抛光层的中心点在上述范围偏移， 能够更有效地抑制被抛光材料表面的抛光不匀。
[0055] 槽间距没有特别限定，通常为5_50mm，优选为10_45mm，更优选为15_40mm。
[0056] 槽宽度也没有特别限定，通常为0. 8-7mm，优选为l-4mm，更优选为I. 2-2mm。
[0057] 槽深度可根据圆形状抛光层的厚度进行适当地调整，通常为0. 2-1. 2mm，优选为 0. 4-1mm,更优选为 0. 5_0. 8mm。
[0058] 本发明的圆形状抛光层例如能够通过如下方式制造：在以规定厚度制成的抛光片 上形成XY格子槽，然后，以在区域Z内偏移的中心点为基准将抛光片切割成圆形状。
[0059] 本发明的圆形状抛光垫可以仅由所述圆形状抛光层构成，也可以是圆形状抛光层 与其他层（例如，缓冲层、支撑膜、粘接层、及粘着层等）的层叠体。
[0060] 缓冲层为完善圆形状抛光层特性的层。缓冲层是为了兼顾在CMP中处于权衡关系 的平面性和均匀性两者而必要的层。平面性是指对具有图案形成时产生的微小凹凸的被抛 光材料进行抛光时图案部的平坦性，均匀性是指被抛光材料整体的均一性。通过圆形状抛 光层的特性来改善平面性，并通过缓冲层的特性来改善均匀性。在本发明的圆形状抛光垫 中，缓冲层优选使用比圆形状抛光层更柔软的材料。
[0061] 作为缓冲层，例如，可列举聚酯无纺布、尼龙无纺布、丙烯酸无纺布等纤维无纺布； 或浸渍聚氨酯的聚酯无纺布等树脂浸渍无纺布；聚氨酯泡沫、聚乙烯泡沫等高分子树脂发 泡体；丁二烯橡胶、异戊二烯橡胶等橡胶性树脂；感光性树脂等。
[0062] 作为将圆形状抛光层和缓冲层贴合的方法，例如，可列举用双面胶带夹住圆形状 抛光层和缓冲层并对其施压的方法。
[0063] 双面胶带是具有在无纺布或薄膜等基材的双面设置粘接层这一一般结构的胶带。 若考虑到防止浆料向缓冲层渗透等，则基材优选使用薄膜。另外，作为粘接层的组成，例如， 可列举橡胶类粘接剂或丙烯酸类粘接剂等。若考虑到金属离子的含量，则由于丙烯酸类粘 接剂的金属离子含量少，因此优选使用丙烯酸类粘接剂。另外，由于还存在圆形状抛光层和 缓冲层的组成不同的情况，因此也可以将双面胶带的各粘接层的组成设为不同组成，从而 合理化各层的粘接力。
[0064] 就本发明的圆形状抛光垫而言，可以在与压板粘接的面设置双面胶带。作为双面 胶带，可以与上述同样地使用具有在基材的双面设置粘接层这一一般结构的胶带。作为基 材，例如可列举无纺布或薄膜等。若考虑到使用圆形状抛光垫后要从压板剥离，则基材优选 使用薄膜。另外，作为粘接层的组成，例如，可列举橡胶类粘接剂或丙烯酸类粘接剂等。若 考虑到金属离子的含量，则由于丙烯酸类粘接剂的金属离子含量少，因此优选使用丙烯酸 类粘接剂。
[0065] 半导体器件通过使用所述圆形状抛光垫对半导体晶片的表面进行抛光的步骤来 制造。半导体晶片一般是指在硅晶片上层叠布线金属及氧化膜而成的材料。半导体晶片的 抛光方法、抛光装置没有特别限定，例如，可以使用如图1所示的抛光装置等进行，所述抛 光装置具有用于支撑圆形状抛光垫（圆形状抛光层）（1)的抛光平板（2)、用于支撑半导体 晶片（4)的支撑台（抛光头）（5)、用于对晶片进行均匀加压的背衬材料、以及抛光剂3的 供应机构。圆形状抛光垫（1)例如通过用双面胶带粘贴而安装在抛光平板（2)处。抛光平 板（2)和支撑台（5)以各自支撑的圆形状抛光垫（1)和半导体晶片4对置的方式设置，并 分别具有旋转轴（6)、（7)。此外，在支撑台（5)侧设置有用于将半导体晶片（4)推压在圆 形状抛光垫（1)上的加压机构。进行抛光时，使抛光平板（2)和支撑台（5)旋转的同时将 半导体晶片（4)推压在圆形状抛光垫（1)处，从而一边供应浆料一边进行抛光。浆料的流 量、抛光载荷、抛光平板转速及晶片转速没有特别限定，可适当进行调整。
[0066] 由此，将半导体晶片4表面的突出部分去除，从而抛光成平坦状。然后，通过切割、 粘合、封装等操作制造半导体器件。半导体器件用于运算处理装置及存储器等。
[0067]【实施例】
[0068] 以下，通过实施例说明本发明，但是，本发明不限定于这些实施例。
[0069] 实施例1
[0070] 将100重量份的聚醚类预聚物（Uniroyal公司制，ADIPRENE L-325, NCO浓度： 2. 22meq/g)、及3重量份的硅类表面活性剂（东丽道康宁有机硅公司制，SH-192)添加到 聚合容器内并混合，将温度调整至80°C，并进行减压脱泡。然后，使用搅拌叶片，以转速 900rpm进行大约4分钟剧烈搅拌，以将气泡带入反应体系内。之后，向其中添加26重量 份的预先在120°C下熔融的4, 4' -亚甲基双（邻氯苯氨）（IHARA CHEMICAL公司制、ihara cuamine MT)。然后，继续搅拌反应溶液约1分钟后，将其倒入平坦型敞模中。在反应溶液 的流动性消失的阶段，将其放入烘箱中，在110°c下进行6小时的后固化，从而得到聚氨酯 树脂发泡体块体。
[0071] 使用切片机（AMITEQ公司制、VGW-125)对加热至约80°C的所述聚氨酯树脂发泡体 块体进行切片，从而得到由聚氨酯树脂发泡体构成的抛光片（平均气泡直径：50 μπι，比重： 0. 86,硬度：52度）。然后，使用磨光机（AMITEQ公司制），对抛光片表面进行磨光处理直至 厚度为I. 27mm，从而调节好厚度精度。然后，用槽加工机（TECHNO公司制），对抛光片的表 面进行槽宽度为2mm、槽间距为25mm、槽深度为0. 6mm的XY格子状的槽加工。
[0072] 然后，以X槽与Y槽的交点（将坐标设为（0mm，0mm))为基准，将坐标（2. 5mm，IOmm) 的位置作为偏移中心点。然后，以偏移中心点为基准，将抛光片切割成直径为61cm的圆形 状，从而制作圆形状抛光层。使用层合机，在圆形状抛光层的与槽加工面成相反侧的面上 粘贴了双面胶带（积水化学工业公司制、双面粘性带）。然后，对经过电晕处理的缓冲片 (Toray公司制、聚乙稀泡沫、Toraypef、厚度为0. 8mm)的表面进行磨光处理，并使用层合机 将其贴合于所述双面胶带，另外，使用层合机在缓冲片的另一面贴合双面胶带，从而制作圆 形状抛光垫。
[0073] 实施例2-5,比较例1-4
[0074] 除了将槽间距及圆形状抛光层的中心点的坐标更改为表1中的值以外，以与实施 例1同样的方法制作圆形状抛光垫。
[0075] 〔评价方法〕
[0076] (对于抛光不匀的评价）
[0077] 使用SPP600S(闪本工作机械公司制）作为抛光装置，使用制作好的圆形状抛光 垫，对每个在8英寸的硅晶片上将热氧化膜制作成10000 A膜的晶片进行2分钟抛光。然 后，用肉眼观察晶片的被抛光面的抛光不匀，以下述标准进行评价。
[0078] 〇：没有同心圆状的条纹的不匀。
[0079] X :存在同心圆状的条纹的不匀。
[0080] 此外，作为抛光条件，在抛光时以150ml/min的流量添加浆料，该浆料由将 SS-25 (卡博特公司制）用超纯水稀释至2倍而制得，将抛光载荷设为254g/cm2,将抛光平板 转速设为90rpm，并将晶片转速设为91rpm。另外，在抛光前，使用修整器（旭金刚石公司制， MlOO型），对圆形状抛光垫表面进行20秒钟修整处理。将修整条件设为，修整载荷为IOg/ cm2,抛光平板转速为30rpm，及修整器转速为15rpm。
[0081] 【表1】
[0082]
【主权项】
1. 一种圆形状抛光垫，其包括，在抛光表面具有XY格子槽的圆形状抛光层，其特征在 于， 所述圆形状抛光层的中心点在由以下3条虚拟直线A、B及C包围的的区域Z内偏移， 该区域Z包括虚拟直线上的部分，其中， 虚拟直线A为连接如下点的直线：使X槽上的点在与该X槽垂直相交的方向移动槽间 距的5%距离的点、或者使Y槽上的点在与该Y槽垂直相交的方向移动槽间距的5%距离的 占. 虚拟直线B为连接如下点的直线：使XY格子槽的一条对角线D上的点在与该对角线D 垂直相交的方向移动槽间距的5%距离的点； 虚拟直线C为连接如下点的直线：使XY格子槽的另一条对角线E上的点在与该对角线 E垂直相交的方向移动槽间距的5%距离的点。
2. -种圆形状抛光垫的制造方法，其为制造权利要求1所述的圆形状抛光垫的方法， 其特征在于， 所述圆形状抛光垫的制造方法包括：在抛光片处形成XY格子槽的步骤；和以在区域Z 内偏移的中心点为基准将抛光片切割成圆形状，从而制作圆形状抛光层的步骤。
3. -种半导体器件的制造方法，其特征在于， 所述半导体器件的制造方法包括使用权利要求1所述的圆形状抛光垫对半导体晶片 的表面进行抛光的步骤。
【专利摘要】本发明的目的在于提供一种能够有效地抑制被抛光材料表面的抛光不匀的圆形状抛光垫。就本发明的圆形状抛光垫而言，其包括在抛光表面具有XY格子槽的圆形状抛光层，圆形状抛光层的中心点在由以下3条虚拟直线A、B和C包围的区域Z内(包括虚拟直线上的部分)偏移。其中，虚拟直线A为连接如下点的直线：使X槽或Y槽上的点在与该X槽或Y槽垂直相交的方向移动槽间距的5％距离的点；虚拟直线B为连接如下点的直线：使XY格子槽的一条对角线D上的点在与该对角线D垂直相交的方向移动槽间距的5％距离的点；虚拟直线C为连接如下点的直线：使XY格子槽的另一条对角线E上的点在与该对角线E垂直相交的方向移动槽间距的5％距离的点。
【IPC分类】B24B37-11, B24B37-26, H01L21-304
【公开号】CN104812530
【申请号】CN201380061943
【发明人】木村毅
【申请人】东洋橡胶工业株式会社
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2013年12月4日
【公告号】WO2014103640A1