，ZrO2固体熔化电压为7kV，2102固体熔化电流为220?240A。
[0033](5)利用真空蒸发镀膜法在步骤(4)镀制的ZrOJl上镀制厚度为110?150 μm的S1Jl，具体参数为:真空度为2.0X10_5torr，温度为70?75°C，3102固体熔化电压为7kV，3102固体熔化电流为120?150A。
[0034](6)利用真空蒸发镀膜法在步骤(5)镀制的S1Jl上镀制厚度为830?880 μm的ZrOJl，具体参数为:真空度为2.0X 10 _5torr，温度为70?75°C，ZrO2固体熔化电压为7kV，2102固体熔化电流为220?240A。
[0035](7)利用真空蒸发镀膜法在步骤(6)镀制的ZrOJl上镀制厚度为50?100 ym的ITO层，并在通氧气的同时进行离子轰击，具体参数为:真空度为2.0 X 10-5torr,温度为70?75°C，ITO固体熔化电压为7kV，ITO固体熔化电流为10?20A，氧气流量为22-30sccm，时间1.5min，离子轰击速率为180a/sec，时间为2?4min。
[0036](8)利用真空蒸发镀膜法在步骤(7)镀制的ITO层上镀制厚度为810?860 μ m的S1Jl，具体参数为:真空度为2.0X10_5torr，温度为70?75°C，3102固体熔化电压为7kV，3102固体熔化电流为120?150A。
[0037](9)利用真空蒸发镀膜法在步骤⑶镀制的S1Jl上镀制厚度为100?150 μm的HT-100层，冷却后即得产品，具体参数为:真空度为2.0X10_5torr，温度为70?75°C，HT-1OO固体熔化电压为7kV，HT-1OO固体熔化电流为10?20A。
[0038]镀好一面后通过翻片，重复上述步骤(2)至(9)以再镀另一面，直到两面都完成镀膜。
[0039]上述实施例通过真空蒸发镀膜法在经强化的PC眼镜片表面从内到外依次镀制S1jl、ZrO 2层、S1 2层、ZrO 2层、ITO层、S1 2层和防水层，各层之间连接紧密、附着力大，磨蹭密集度和硬度高，同时消除了内应力，改善了 PC眼镜片的光学性能和机械性能。
[0040]以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，故不能依此限定本发明实施的范围，即依本发明专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本发明涵盖的范围内。
【主权项】
1.一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于:包括如下步骤: (1)将PC眼镜片经强化处理后，洗净，再置于无尘镀膜恒温烤箱中于70°C?95°C烘烤8小时以上； (2)对步骤⑴烘烤后的PC眼镜片在2.0?2.3X 1^torr的真空度下通氩气的同时进行离子轰击，其中，温度为70?78°C，离子轰击速率为180?190a/sec，时间为2?5min，氩气流量为18_23sccm，时间2?5min ； (3)利用真空蒸发镀膜法在步骤(2)经离子轰击后的PC眼镜片上镀制厚度为2700?2800 μ m的S1Jl，具体参数为:真空度为2.0?2.3 X 10 _5torr,温度为70?78°C，S12^体熔化电压为7?7.3kV，3102固体熔化电流为115?155A ； (4)利用真空蒸发镀膜法在步骤(3)镀制的S1Jl上镀制厚度为300?370Un^AZrO2层，具体参数为:真空度为2.0?2.3X10_5torr，温度为70?78°C，ZrO2固体熔化电压为7?7.3kV，ZrO2固体熔化电流为220?260A ； (5)利用真空蒸发镀膜法在步骤(4)镀制的ZrOJl上镀制厚度为100?160μπι的S12层，具体参数为:真空度为2.0?2.3X10_5torr，温度为70?78°C，3102固体熔化电压为7?7.3kV，3102固体熔化电流为115?155A ； (6)利用真空蒸发镀膜法在步骤(5)镀制的S1Jl上镀制厚度为820?9000ym的ZrOJl，具体参数为:真空度为2.0?2.3 X 10 _5torr，温度为70?78°C，ZrO2固体熔化电压为7?7.3kV，2102固体熔化电流为220?260A ； (7)利用真空蒸发镀膜法在步骤(6)镀制的ZrOJl上镀制厚度为50?120ym的ITO层，并在通氧气的同时进行离子轰击，具体参数为:真空度为2.0?2.3X10_5torr，温度为70?78°C，ITO固体熔化电压为7?7.4kV，ITO固体熔化电流为10?23A，氧气流量为20_32sccm，时间I?2min，离子轰击速率为180?190a/sec，时间为2?5min ； (8)利用真空蒸发镀膜法在步骤(J)镀制的ITO层上镀制厚度为800?880μ m的S12层，具体参数为:真空度为2.0?2.3X10_5torr，温度为70?78°C，3102固体熔化电压为7?7.3kV，3102固体熔化电流为115?155A ； (9)利用真空蒸发镀膜法在步骤(8)镀制的S1Jl上镀制厚度为100?170ym的HT-100层，冷却后即得产品，具体参数为:真空度为2.0?2.3X 10_5torr，温度为70?78°C, HT-100固体熔化电压为7?7.4kV，HT-100固体熔化电流为8?22A。2.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于:所述步骤(I)为:将PC眼镜片经强化处理后，洗净，再置于无尘镀膜恒温烤箱中于70°C?90°C烘烤8?10小时。3.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于:所述步骤⑵为:对步骤(I)烘烤后的PC眼镜片在2.0X10_5torr的真空度下通氩气的同时进行离子轰击，其中，温度为70?75°C，离子轰击速率为180a/sec，时间为2?4min，氩气流量为20-22sccm，时间 3min。4.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于:所述步骤(3)为:利用真空蒸发镀膜法在步骤(2)经离子轰击后的PC眼镜片上镀制厚度为2700?2750 ym的S12层，具体参数为:真空度为2.0X 10_5torr，温度为70?75°C，3102固体熔化电压为7kV，S12固体熔化电流为120?150A。5.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于:所述步骤(4)为:利用真空蒸发镀膜法在步骤(3)镀制的S1Jl上镀制厚度为300?350 ym的ZrO 2层，具体参数为:真空度为2.0X10_5torr，温度为70?75°C，21<)2固体熔化电压为7kV，ZrO2固体熔化电流为220?240A。6.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于:所述步骤(5)为:利用真空蒸发镀膜法在步骤(4)镀制的ZrOJl上镀制厚度为110?150 ym的S1 2层，具体参数为:真空度为2.0X10_5torr，温度为70?75。。，S1^体熔化电压为7kV，S12固体熔化电流为120?150A。7.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于:所述步骤(6)为:利用真空蒸发镀膜法在步骤(5)镀制的S1Jl上镀制厚度为830?880 ym的ZrO 2层，具体参数为:真空度为2.0X10_5torr，温度为70?75°C，21<)2固体熔化电压为7kV，ZrO2固体熔化电流为220?240A。8.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于:所述步骤(7)为:利用真空蒸发镀膜法在步骤(6)镀制的ZrOJl上镀制厚度为50?100 ym的ITO层，并在通氧气的同时进行离子轰击，具体参数为:真空度为2.0X 10_5torr，温度为70?75°C，ITO固体熔化电压为7kV，IT0固体熔化电流为10?20A，氧气流量为22-30sccm，时间1.5min，离子轰击速率为180a/sec，时间为2?4min。9.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于:所述步骤(8)为:利用真空蒸发镀膜法在步骤(7)镀制的ITO层上镀制厚度为810?860 ym的S1jl，具体参数为:真空度为2.0X10_5torr，温度为70?75。。，S1^体熔化电压为7kV，S12固体熔化电流为120?150A。10.如权利要求1所述的一种PC眼镜片镀膜方法，其特征在于:所述步骤(9)为:利用真空蒸发镀膜法在步骤(8)镀制的S1Jl上镀制厚度为100?150 ym的HT-100层，冷却后即得产品，具体参数为:真空度为2.0X10_5torr，温度为70?75°C，HT-100固体熔化电压为7kV，HT-100固体熔化电流为10?20A。
【专利摘要】本发明公开了一种PC眼镜片镀膜方法，本发明的方法通过真空蒸发镀膜法在经强化的PC眼镜片表面从内到外依次镀制SiO2层、ZrO2层、SiO2层、ZrO2层、ITO层、SiO2层和防水层，各层之间连接紧密、附着力大，膜层密集度和硬度高，同时消除了内应力，改善了PC眼镜片的光学性能和机械性能。
【IPC分类】C23C14/24, C23C14/08
【公开号】CN104911546
【申请号】CN201510269959
【发明人】周贤建
【申请人】瑞之路(厦门)眼镜科技有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年5月25日...