具有相邻溅射阴极的装置及其操作方法
【技术领域】
[0001] 本发明的实施方式设及瓣射设备、装置W及系统及其操作方法。本发明的实施方 式尤其设及用于在载体中提供的非柔性基板或基板上沉积层堆叠的装置、用于将材料沉积 在载体内提供的非柔性基板或基板上的系统，W及用于在载体内提供的非柔性基板或基板 上沉积层堆叠的方法。
【背景技术】
[0002] 对于在基板上沉积材料，已知存在若干方法。例如，可W通过物理气相沉积（PVD) 工艺、化学气相沉积（CVD)工艺、等离子体增强化学气相沉积（PECVD)工艺等来涂布基板。 通常，工艺在工艺装置或工艺腔室内进行，要涂布的基板位于工艺装置或工艺腔室内。沉积 材料提供于装置内。多种材料及其氧化物、氮化物或碳化物可用来沉积在基板上。
[0003] 涂布材料可用于若干应用和若干领域。例如，应用于微电子领域，如半导体装置生 产。同样，用于显示器的基板通常通过PVD工艺涂布。另外应用包括绝缘面板、有机发光二 极管（0LED)面板、具有TFT的基板、滤色器等。另外，主板制造W及半导体的封装也会使用 薄膜沉积，且尤其是各种金属层的沉积。
[0004] 通常，多个工艺是是在具有多个腔室的沉积系统内实施。因此，可W提供一或多个 负载锁定腔室（loadlockchamber)。另外，为了在基板上沉积不同的层，通常在系统内提 供多个沉积腔室。
[0005] 在传统的动态瓣射涂布机中，其中基板在瓣射阴极的前方行进，不同材料多层沉 积在多个工艺腔室中进行，即，为了避免材料相混，要沉积的每一材料各自使用一个工艺腔 室。然而，沉积系统的购置成本和占地面积是需要考虑的因素，为此，需要不断努力进行改 进。
【发明内容】
[0006] 根据上述内容，提供用于在载体内提供的非柔性基板或基板上沉积层堆叠的装 置、用于将材料沉积在载体内提供的非柔性基板或基板上的系统、W及用于在载体内提供 的非柔性基板或基板上沉积层堆叠的方法。为本发明的另外方面、优点W及特征将从从属 权利要求、说明书和附图显而易见。
[0007] 根据一个实施方式，提供用于在载体内提供的非柔性基板或基板上沉积层堆叠的 装置。所述装置包括：真空腔室；运输系统，其中所述运输系统和所述真空腔室被配置用于 内联沉积（inlinedeposition);第一支撑件，所述第一支撑件用于可围绕真空腔室内的第 一旋转轴线旋转的第一旋转瓣射阴极，其中提供用于沉积第一材料的第一沉积区；第二支 撑件，所述第二支撑件用于可围绕真空腔室内的第二旋转轴线旋转的第二旋转瓣射阴极， 其中提供用于沉积第二材料的第二沉积区，其中第一旋转轴线和第二旋转轴线的彼此相距 距离为700mm或更小；W及分离器结构，所述分离器结构介于第一旋转轴线与第二旋转轴 线之间，适于接收朝向第二沉积区瓣射的第一材料W及朝向第一沉积区瓣射的第二材料； 其中装置被配置成用来沉积包括第一材料的层w及第二材料的后续层的层堆叠。
[0008] 根据另一实施方式，提供用于在载体内提供的非柔性基板或基板上沉积层堆叠的 装置。所述装置包括：真空腔室；运输系统，其中所述运输系统和所述真空腔室被配置用于 内联沉积；第一支撑件，所述第一支撑件用于可围绕真空腔室内的第一旋转轴线旋转的第 一旋转瓣射阴极，其中提供用于沉积第一材料的第一沉积区；第二支撑件，所述第二支撑件 用于可围绕真空腔室内的第二旋转轴线旋转的第二旋转瓣射阴极，其中提供用于沉积第二 材料的第二沉积区，其中第一旋转轴线和第二旋转轴线的彼此相距距离为700mm或更小； W及分离器结构，所述分离器结构介于第一沉积区与第二沉积区之间，并且被配置来减少 沉积期间第一材料与第二材料的互混，其中所述分离器结构至少从介于第一旋转轴线与第 二旋转轴线之间的位置朝向运输系统延伸；其中装置被配置成用来沉积包括第一材料的层 W及第二材料的后续层的层堆叠。
[0009] 根据又一实施方式，提供一种用于将材料沉积在载体内提供的非柔性基板或基板 上的系统。所述系统包括：第一负载锁定腔室（loadlockchamber),所述第一负载锁定腔 室用于将基板向内传送至所述系统；用于在载体内提供的非柔性基板或基板上沉积层堆叠 的装置；W及第二负载锁定腔室，所述第二负载锁定腔室用于将基板向外传送出系统。用于 在载体内提供的非柔性基板或基板上沉积层堆叠的装置包括：真空腔室；运输系统，其中 所述运输系统和所述真空腔室是被配置用于内联沉积；第一支撑件，所述第一支撑件用于 可围绕真空腔室内的第一旋转轴线旋转的第一旋转瓣射阴极，其中提供用于沉积第一材料 的第一沉积区；第二支撑件，所述第二支撑件用于可围绕真空腔室内的第二旋转轴线旋转 的第二旋转瓣射阴极，其中提供用于沉积第二材料的第二沉积区，其中第一旋转轴线与第 二旋转轴线的彼此相距距离为700mm或更小；W及分离器结构，所述分离器结构介于第一 旋转轴线与第二旋转轴线之间，适于接收朝向第二沉积区瓣射的第一材料W及朝向第一沉 积区瓣射的第二材料；其中装置被配置成用来沉积包括第一材料的层W及第二材料的后续 层的层堆叠。
[0010] 根据另一实施方式，提供一种用于在载体内提供的非柔性基板或基板上沉积层堆 叠的方法。所述方法包括：瓣射第一材料层，所述第一材料层具有来自第一旋转瓣射阴极的 第一材料，其中从第一旋转瓣射阴极的第一祀释放的第一材料的第一部分沉积于基板上； 瓣射第二材料层，所述第二材料层具有来自第二旋转瓣射阴极的第二材料；W及提供分离 器结构，其中所述分离器结构接收除了第一材料的第一部分外的第一材料的一部分的至少 15%，尤其是至少50%。
[0011] 根据另一实施方式，提供一种用于在载体内提供的非柔性基板或基板上沉积层堆 叠的方法。所述方法包括：在基板上瓣射第一材料层，所述第一材料层具有来自第一旋转瓣 射阴极的第一材料，其中第一旋转瓣射阴极具有位于第一真空腔室内的第一旋转轴线；在 基板上瓣射第二材料层，所述第二材料层具有来自第二旋转瓣射阴极的第二材料，其中第 二旋转瓣射阴极具有位于第一真空腔室内的第二旋转轴线；其中第一旋转轴线与第二旋转 轴线的彼此相距距离为700mm或更小；W及提供分离器结构W减少在内联沉积工艺的沉积 过程中第一材料与第二材料的互混，其中所述分离器结构至少从第一旋转轴线与第二旋转 轴线之间的位置朝向基板延伸。
[0012] 实施方式还设及了实施所公开的方法的装置，并且包括用于执行每个所述方法步 骤的装置零件。运些方法步骤可借助于硬件组件、通过适当软件编程的计算机、运两者的任 何组合或W其他任何方法执行。此外，根据本发明的实施方式还设及了所述装置操作所用 方法。所述方法包括用于实行装置的每一功能的方法步骤。
【附图说明】
[0013] 因此，为了详细理解本发明的上述特征结构的方式，上文简要概述的本发明的更 具体的描述可W参照实施方式进行。附图设及本发明的实施方式，并在W下进行描述：
[0014] 图1示出根据本文所述实施方式的用于沉积层堆叠而减少层材料互混的沉积装 置的示意图，其中在一个真空腔室中，提供两个旋转瓣射阴极W及分离器结构或分离板；
[0015] 图2示出根据本文所述实施方式的用于沉积层堆叠而减少层材料互混的沉积装 置的示意图，其中在一个真空腔室中，提供具有相反旋转方向的两个旋转瓣射阴极W及分 离器结构或分离板；
[0016] 图3示出根据本文所述实施方式的用于沉积层堆叠而减少层材料互混的沉积装 置的示意图，其中在一个真空腔室中，提供具有倾斜磁体布置的两个旋转瓣射阴极W及分 罔器结构或分罔板；
[0017] 图4示出根据本文所述实施方式的用于沉积层堆叠而减少层材料互混的沉积装 置的示意图，其中在一个真空腔室中，提供多于两个旋转瓣射阴极W及分离器结构或分离 板；
[0018] 图5示出根据本文所述实施方式的用于沉积层堆叠而减少层材料互混的沉积装 置的不同的示意图，其中示出分离器结构或分离板；
[0019] 图6示出用于沉积层堆叠而减少层材料互混的沉积系统的不同的示意图，所述沉 积系统具有根据本文所述实施方式的沉积装置提供于其中；W及
[0020] 图7示出根据本文所述实施方式在载体内提供的非柔性基板或基板上沉积层堆 叠的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0021] 将会详细参考发明的各种实施方式，所述实施方式的一或多个实例在附图中示 出。在W下对附图的描述中，相同参考数字指示相同部件。一般来说，仅仅描述各实施方式 的不同之处。每个实例通过解释本发明来提供，并非旨在用作本发明的限制。另外，作为实 施方式的一部分示出或描述的特征可W用于其他实施方式或结合其他实施方式来一起使 用，从而产生另一实施方式。预期的是，描述包括运样的修改和变化。
[0022] 图1示出沉积装置100。沉积装置100包括真空腔室102。通常，真空腔室102具 有若干侧壁104、第一侧壁部分105W及第二侧壁部分103。运些壁形成了真