示黑色的部分为铜相，其余部分为氧化物相。看到铜相为连 结成网络状的状态，故于材料内部形成导电路径。因此，在实施例的情形，认为体积电阻值 变低。再者，经计算，图1视野（60μπιΧ60μπι)中铜相面积比的结果为0.48。另一方面，在 比较例1的情形，由于氧含量较大，故认为靶材全体为以氧化物相所构成的绝缘物。又，在 比较例2的情形，为结晶性低的状态，铜相与氧化物相的区别为不明确的组织状态。因此， 认为体积电阻值也成为非常高者。再者，在比较例3的情形，成为几乎不能确认铜合金相的 组织，因此，认为已成为接近绝缘物的状态者。
[0068] 又，图2中，表示观察实施例4的溅镀靶材的剖面的结果。图2中显示黑色的部分 是铜与镍的合金相（铜系金属相），其余部分为氧化物相。从EDS光谱及EBSD图型的结果， 可知也含有氧化镍相。经了解作为原料的镍粉，一部分形成铜系金属相，其余部分形成铜合 金氧化物相。并且，与图1的情形相同，实施例4中的铜系金属相连结成网络状态。再者， 算出图2视野（60μπιΧ60μπι)中铜系金属相的面积比的结果为0. 70。
[0069] 实施例1的平均粒径，铜系金属相（铜相）为4. 8μm、氧化物相为3. 9μm。由此， 可知较以原料所使用的铜粉的平均粒径ΦΜ= 3.0μπι)稍微进行粒成长。又，也未确认出 氧化物相的凝聚。在比较例2的情形，不知是否因烧结不充分，在EBSD装置未明确地检测 到菊池图型，而未能算出铜相的平均粒径。
[0070] 接着，说明有关使用所制作的溅镀靶材而形成黑化层的结果。黑化层的评价，是在 玻璃基板上以铜形成铜配绝层，并制作于其铜层表面形成有黑化层的评价试样。
[0071] 黑化层的膜厚虽然无特别限定，但可设为5nm至100nm。溅镀也可仅以氩气实施， 但就调整所形成黑化层的光学特性的目的，也可添加氧气或氮气、或两者作为溅镀气体。在 此种情形，所添加的气体流量与氩气流量的比（所添加的气体流量/氩气流量）优选20% 以下，更优选15%以下。若添加过多的氧或氮、或其两者，则有引起成膜速率降低或放电不 稳定的倾向。
[0072] 于此评价试样中，虽然形成使用纯铜的铜层，但在传感器薄膜等所构成的铜配线 时，对于低电阻的要求是使用纯铜，考虑与基材的粘合性时也可使用铜合金。又，为确与基 材的密着性的目的，也可于铜配线的基底形成钛或钼等粘合层。铜配线的膜厚虽然无特别 限制，但也可设为例如50nm至lOOOOnm。
[0073] 评价试样的制造条件如下所示。首先，使所制作的各溅镀靶材与铜制的支撑板相 贴合而成为溅镀靶。将此溅镀靶及配线用纯铜溅镀靶，装设于具备有直流电源的溅镀装置 并进行成膜。成膜条件如下所示。
[0074] 〈成膜条件〉
[0075] ?层压膜构成：黑化层/铜配线膜/玻璃基板
[0076] ?黑化层厚度：20nm
[0077] ?铜配线层厚度：200nm
[0078] ?玻璃基板：40mmX40mmΧ0· 7mmt
[0079] ?到达压力：5X10 6Torr以下
[0080] ?氧流量：0· 0 至 10.Osccm(间隔 2. 5sccm)
[0081] ?氧气流量/氩气流量的比率：0· 0至20. 4%
[0082] ?施加电力：100W至 300W(1. 3W/cm2至 3. 7W/cm2)
[0083] 对于所制作的评价试样，测定其表面的亮度（L*)。L*的测定为使用分光测色计 (CM_2500d/KonicaMinolta(股）制），并以L*a*b*表色系，测定评价试样的层压膜表面的 L*。为了比较，也制作使用市售的韧炼铜（tough-pitchcopper) (C110、革E氧含量0.04at% 以下），并形成黑化层者（比较例4)。于表2中，表示所得的各评价试样的层压膜的最优选 的氧流量，及以其条件所成膜的层压膜的L*。在此所称的最优选的氧流量，是当在0. 0至 10.Osccm(间隔2. 5sccm)的范围形成层压膜时，表示最低的L*的情形的氧流量。
[0084] [表 2]
[0085]
[0086] 于实施例1至5的黑化层中，对抑制显示设备的对比降低作为目标的亮度L*的值 为40以下的范围者。又，可知若溅镀靶材中的氧含量增加，即使少的氧气流量，亮度L*的 值也变小。另一方面，在比较例4的情形，虽然使氧气流量设为最大的lOsccm而形成黑化 层，但仍然未能使亮度L*形成40以下。
[0087] [产业上的可利用性]
[0088] 若使用本发明，可有效率地制造一种可实现以直流电源进行放电的溅镀处理，并 不降低显示设备的对比，且具备黑化层的触控面板用传感器薄膜。
【主权项】
1. 一种溅镀靶材，具有铜系金属相与氧化物相的混合组织， 氧含量为5原子％至30原子％，且相对密度为85%以上， 体积电阻值为1. 〇X10 2Ωcm以下。2. 根据权利要求1所述的溅镀靶材，其特征在于，铜系金属相为铜相、或含有镍、钛中 至少一种的铜合金相。3. 根据权利要求1所述的溅镀靶材，其特征在于，铜系金属相为铜-镍合金相或铜_ 钛合金相。4. 根据权利要求1至3任一项所述的溅镀靶材，其特征在于，氧化物相为氧化铜相或铜 合金氧化物相。5. 根据权利要求1至4任一项所述的溅镀靶材，其特征在于，铜合金氧化物相含有镍、 钛中至少一种。6. 根据权利要求1至4任一项所述的溅镀靶材，其特征在于，铜合金氧化物相为铜-镍合金氧化物相或铜-钛合金氧化物相。7. 根据权利要求2至6任一项所述的溅镀靶材，其特征在于，镍含量为61. 0原子％以 下，钛含量为7. 50原子％以下。8. 根据权利要求1至7任一项所述的溅镀靶材，其特征在于，铜系金属相的平均粒径为 0. 5μm至10. 0μm，氧化物相的平均粒径为0. 05μm至7. 0μm。9. 根据权利要求1至8任一项所述的溅镀靶材，其特征在于，观察溅镀靶材的剖面时， 在60μmX60μm范围内，铜系金属相的面积比为0. 32以上。10. 根据权利要求1至9任一项所述的溅镀靶材，其用于以直流电源进行的放电。11. 根据权利要求1至10任一项所述的溅镀靶材，其用于形成黑化层。12. -种制造溅镀靶材的方法，是根据权利要求1至11任一项所述的制造溅镀靶材的 方法，包含如下步骤： 将铜粉及/或铜合金粉、或用以形成铜粉及铜合金的铜以外的金属粉，与氧化物粉进 行混合的步骤，及 于真空气氛下，在较铜或铜合金的熔点低450°C至200°C的温度范围内的烧结温度进 行烧结的步骤。13. 根据权利要求12所述的制造溅镀靶材的方法，其特征在于，铜合金粉含有镍、钛的 至少一种。14. 根据权利要求12或13所述的制造溅镀靶材的方法，铜合金粉为铜-镍合金粉、或 铜-钛合金粉。15. 根据权利要求12所述的制造溅镀靶材的方法，其特征在于，用以形成铜合金的铜 以外的金属粉含有镍粉、钛粉的至少一种。16. 根据权利要求12至15任一项所述的制造溅镀靶材的方法，其特征在于，氧化物粉 为氧化铜粉、或铜合金氧化物粉。17. 根据权利要求12至15任一项所述的制造溅镀靶材的方法，其特征在于，氧化物粉 为含有镍、钛中至少一种的铜合金氧化物粉。18. 根据权利要求12至15任一项所述的制造溅镀靶材的方法，其特征在于，氧化物粉 为铜-镍合金氧化物或铜-钛合金氧化物粉。19.根据权利要求12至18任一项所述的制造溅镀靶材的方法，其特征在于，烧结是通 过电烧结法进行。
【专利摘要】本发明提供一种溅镀靶材，其能通过直流电源进行放电，且适用于形成静电容量方式的触控式面板用传感器薄膜的黑化层。本发明有关一种溅镀靶材，其具有铜系金属相与氧化物相的混合组织，氧含量为5原子％至30原子％，相对密度为85％以上，且体积电阻值为1.0×10-2Ωcm以下。优选其铜系金属相的平均粒径为0.5μm至10.0μm，且氧化物相的平均粒径为0.05μm至7.0μm。
【IPC分类】C22C1/04, C23C14/34, C22C9/00
【公开号】CN105358734
【申请号】CN201580001209
【发明人】池田真
【申请人】三井金属矿业株式会社
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年4月2日
【公告号】WO2015170534A1