一种管式pecvd的三层膜工艺的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种管式PECVD的Ξ层膜工艺，属于光伏技术领域。
【背景技术】
[0002] 近年来，太阳能电池片生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提 高，使得光伏发电的应用日益普及并迅猛发展，逐渐成为电力供应的重要来源。太阳能电池 片可W在阳光的照射下，把光能转换为电能，实现光伏发电。
[0003] 太阳能电池片的生产工艺比较复杂，简单来说，太阳能电池的制作过程主要包括： 制绒、扩散、刻蚀、锻膜、印刷和烧结等。其中锻减反射膜工艺是在电池表面锻一层或多层光 学性质匹配的减反射膜，减反射膜的制作直接影响着太阳能电池对入射光的反射率，对太 阳能电池效率的提高起着非常重要的作用。减反射膜还需要有一定的纯化效果，运样有助 于提高太阳能电池的光电转换效率。
[0004] 目前大规模生产中，晶体娃电池表面采用阳CVD方法锻一层或双层氮化娃膜，虽然 已经能够起到纯化和减反射效果，但其反射率仍然较高，纯化效果也没有达到最佳。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的是提供一种管式PECVD的Ξ层膜工艺，通过在娃基衬底上沉积Ξ层 膜，优化锻膜的工艺参数，提高了锻膜的纯化效果，提高了减反射膜的减反射作用，提高了 太阳能电池的光电转换效率。
[0006] -种管式阳CVD的Ξ层膜工艺，在娃基衬底上包含Ξ层氮化娃膜。
[0007] -种管式PECVD的Ξ层膜工艺，所述的在娃基衬底上的Ξ层氮化娃膜的第一层厚 度为10~20 nm，折射率为2.4~2.5;第二层厚度为20~30皿，折射率为2.0~2.1;第Ξ层厚度 为30~50 nm，折射率为1.8~1.9。
[000引一种管式PECVD的Ξ层膜工艺，所述娃基衬底为单晶娃衬底、多晶娃衬底中的一 种。
[0009] -种管式阳CVD的Ξ层膜工艺，制备方法为如下步骤： 1) 将156X156娃片进行制绒； 2) 将制绒后的娃片进行扩散制备PN结，刻蚀去除憐娃玻璃并刻边； 3) 将清洗后的娃基衬底插入石墨框后，置于管式PECVD锻膜设备的沉积腔内抽真空，并 升溫至300~500 °C; 4) 当阳CVD设备真空室真空达到1300~2200 mtor，在炉管内通入气体流量为3000~6000 seem的氨气、1000~2000 seem的硅烷，在5000~7000 W的射频功率下电离100~200 sec,在娃 基衬底上沉积第一层厚度为10~20 nm，折射率为2.4~2.5的氮化娃膜； 5) 将锻有第一层氮化娃膜的娃片继续进行沉积，沉积溫度为300~500°C，在炉管内通入 气体流量为6500~8500 seem的氨气、400~1000 seem的硅烷，在5000~7000 W的射频功率下 电离200~300 see,在第一层氮化娃膜上沉积厚度为20~30 nm，折射率为2.0~2.1的第二层 氮化娃膜； 6)将锻有第二层氮化娃膜的娃片继续进行沉积，沉积溫度为300~500°C，在炉管内通入 气体流量为7500~10000 seem的氨气、300~700 seem的硅烷，在5000~7000 W的射频功率下 电离300~500 see,在第二层氮化娃膜上沉积厚度为30~50 nm，折射率为1.8~1.9的第Ξ层 氮化娃膜。
[0010] 其中管式阳CVD的设备为Centrotherm。
[0011] 本发明通过在娃基衬底上沉积Ξ层膜，对工艺参数进行优化，无需改进设备，比较 容易实现，有效提高了氮化娃膜对娃片的纯化效果，增强了减反射作用，提高了太阳能电池 的光电转换效率。
【具体实施方式】
[0012] W下所述的仅是本发明所公开的一种板式PECVD制备氮化娃减反射膜的方法的优 选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所创造构思的前 提下，还可W做出若干变形和改进，运些都属于本发明的保护范围。
[001引实施例1: 一种管式PECVD的Ξ层膜工艺，制备方法为如下步骤： 1) 取电阻率为0.5~3 Ω ·cm的156mmX 156mm规格的P型多晶娃片500片，将娃片进行制 绒； 2) 将制绒后的娃片进行扩散制备PN结，刻蚀去除憐娃玻璃并刻边； 3) 将清洗后的娃基衬底插入石墨框后，置于管式PECVD锻膜设备的沉积腔内抽真空，并 升溫至400 °C; 4) 当阳CVD设备真空室真空达到1700 mtor，在炉管内通入气体流量为4000 seem的氨 气、1200 seem的硅烷，在6000 W的射频功率下电离150 see,在娃基衬底上沉积第一层厚度 为15 nm，折射率为2.43的氮化娃膜； 5) 将锻有第一层氮化娃膜的娃片继续进行沉积，沉积溫度为400~480°C，在炉管内通入 气体流量为7500 seem的氨气、700 seem的硅烷，在6500 W的射频功率下电离25 see,在第 一层氮化娃膜上沉积厚度为25 nm，折射率为2.04的第二层氮化娃膜； 6) 将锻有第二层氮化娃膜的娃片继续进行沉积，沉积溫度为400~480°C，在炉管内通入 气体流量为9000 seem的氨气、600 seem的硅烷，在6500 W的射频功率下电离400 see,在第 二层氮化娃膜上沉积厚度为40 nm，折射率为1.86的第Ξ层氮化娃膜。
[0014] 实施例2: 一种管式PECVD的Ξ层膜工艺，制备方法为如下步骤： 1) 将156X156娃片进行制绒； 2) 将制绒后的娃片进行扩散制备PN结，刻蚀去除憐娃玻璃并刻边； 3) 将清洗后的娃基衬底插入石墨框后，置于管式PECVD锻膜设备的沉积腔内抽真空，并 升溫至450 °C; 4) 当阳CVD设备真空室真空达到1800 mtor，在炉管内通入气体流量为5000 seem的氨 气、1300 seem的硅烷，在7000 W的射频功率下电离200 see,在娃基衬底上沉积第一层厚度 为20 nm，折射率为2.45的氮化娃膜； 5) 将锻有第一层氮化娃膜的娃片继续进行沉积，沉积溫度为400~480°C，在炉管内通入 气体流量为7000 seem的氨气、800 seem的硅烷，在6500 W的射频功率下电离220 sec,在第 一层氮化娃膜上沉积厚度为22 nm，折射率为2.06的第二层氮化娃膜； 6) 将锻有第二层氮化娃膜的娃片继续进行沉积，沉积溫度为400~480°C，在炉管内通入 气体流量为9500 seem的氨气、650 seem的硅烷，在6500 W的射频功率下电离420 see,在第 二层氮化娃膜上沉积厚度为42 nm，折射率为1.87的第Ξ层氮化娃膜。
[001引实施例3: 一种管式PECVD的Ξ层膜工艺，制备方法为如下步骤： 1) 将156X156娃片进行制绒； 2) 将制绒后的娃片进行扩散制备PN结，刻蚀去除憐娃玻璃并刻边； 3) 将清洗后的娃基衬底插入石墨框后，置于管式PECVD锻膜设备的沉积腔内抽真空，并 升溫至380 °C; 4) 当阳CVD设备真空室