一种单晶硅柱面抛光工装的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种单晶硅柱面抛光工装，包括夹持装置和抛光装置，所述夹持装置包括左夹持块、用于驱动左夹持块转动的左驱动件、与左夹持块相配合的右夹持块、用于驱动右夹持块沿左夹持块和右夹持块所在直线移动的距离调节装置、用于驱动右夹持块转动的右驱动件；所述抛光装置包括载片和设置在载片上的抛光结构，其利用人工抛光，抛光效果好。
【专利说明】
一种单晶硅柱面抛光工装
技术领域
[0001]本发明涉及光学元器件加工装置领域，具体涉及一种单晶硅柱面抛光工装。
【背景技术】
[0002]磨床(grinder,grinding machine)是利用磨具对工件表面进行磨削加工的机床。大多数的磨床是使用高速旋转的砂轮进行磨削加工，少数的是使用油石、砂带等其他磨具和游离磨料进行加工，如珩磨机、超精加工机床、砂带磨床、研磨机和抛光机等。现有的单晶硅柱面抛光采用磨床进行加工，其抛光效果不佳，即表面粗糙度效果不佳。
【发明内容】
[0003]本发明为了解决上述技术问题提供一种单晶硅柱面抛光工装，其利用人工抛光，抛光效果好。
[0004]本发明通过下述技术方案实现:
一种单晶硅柱面抛光工装，包括夹持装置和抛光装置，
所述夹持装置包括左夹持块、用于驱动左夹持块转动的左驱动件、与左夹持块相配合的右夹持块、用于驱动右夹持块沿左夹持块和右夹持块所在直线移动的距离调节装置、用于驱动右夹持块转动的右驱动件；
所述抛光装置包括载片和设置在载片上的抛光结构。
[0005]本发明的技术方案将机械和人工相结合，以提高单晶硅柱面抛光的精度。左夹持块和右夹持块分别从单晶硅柱体的两端对单晶硅进行固定，距离调节装置对左夹持块和右夹持块之间的距离进行调节，利于单晶硅的取放；左驱动件和右驱动件分别驱动左夹持块和右夹持块同步转动，即带动单晶硅转动;载片以固定抛光结构，也便于人手持抛光装置。人手持抛光装置对处于转动中的单晶硅进行抛光操作，有利于提高对单晶硅柱面抛光的表面粗糙度。
[0006]所述抛光结构为具有抛光面的抛光柱。将抛光结构设置为柱形结构而不是片状结构，便于对抛光结构进行打磨。当抛光结构的抛光面被磨损时，可对抛光柱进行切削，再次制作平整的抛光面。
[0007]为了避免抛光柱对单晶硅的破坏，所述抛光柱的截面成圆形或椭圆形。抛光柱的截面成圆形或椭圆形，相比于截面为方形、棱形等结构，其不含有棱角，成圆滑结构，在对单晶硅柱面抛光操作时，可避免棱角划伤单晶硅柱面，避免抛光效果受到影响。
[0008]所述抛光柱有多个，多个抛光柱依次紧挨排列且上表面齐平构成抛光面，所述抛光柱的中心轴位于同一平面上。在对单晶硅柱面抛光时，为了便于施力以提高抛光精度，对抛光面的长度有一定的要求，利用多个抛光柱紧挨排列构成抛光结构，便于对抛光面长度进行调节，当抛光面长度较长时，也可有效的减小抛光结构所占载片的面积。抛光柱截面成圆形或椭圆形，其紧挨排列且中心轴位于同一平面上，使得抛光面具有一条完整的抛光线面。
[0009]所述抛光柱的抛光面的长度大于40毫米且小于50毫米。抛光柱固定在载片上，抛光柱形成的抛光面的长度不易过长，当其长度过长，操作时，人工手持载片施加在抛光柱上的力不均匀，影响抛光效果;抛光面的长度也不易过短，既不便于手持，也降低了抛光效率。
[0010]所述抛光结构为金刚石。
[0011]还包括保护罩，所述左夹持块和右夹持块均位于保护罩内，所述保护罩包括下盖和活动连接在下盖上的上盖，所述上盖和下盖的同一侧均设置有开口。在对高速旋转的单晶硅柱面进行加工时，冷却液保持惯性运行，极易对操作人员造成伤害，利用保护罩遮挡冷却液，避免冷却液对操作人员的攻击。开口的设置供人手操作。
[0012]为了便于保持加工工件与磨具表面的润湿，所述上盖上设置有进水口，所述下盖上设置有出水口。进水口处进水不仅可实现降温的目的，而且可保证抛光工装的自锐性，提高加工效率。
[0013]本发明与现有技术相比，至少具有如下的优点和有益效果:
1、本发明将机械和人工相结合，人手持抛光装置对处于转动中的单晶硅进行抛光操作，利用人工抛光，有利于提高对单晶硅柱面抛光的表面粗糙度。
[0014]2、本发明的抛光柱的抛光面的长度大于40毫米且小于50毫米，使人工作用于抛光面的作用力均匀，提高抛光效果。
【附图说明】
[0015]此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中:
图1为本发明夹持装置的结构示意图。
[0016]图2为本发明抛光装置的结构示意图。
[0017]附图中标记及对应的零部件名称:
I1、左夹持块；12、左驱动件；21、右夹持块;22、距尚调节装置;23、右驱动件;31、载片；32、抛光结构;41、下盖;42、上盖;43、开口 ；44、进水口 ；45、出水口。
【具体实施方式】
[0018]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。
[0019]实施例1
如图1和图2所示的一种单晶硅柱面抛光工装，包括夹持装置和抛光装置，
所述夹持装置包括左夹持块11、用于驱动左夹持块11转动的左驱动件12、与左夹持块11相配合的右夹持块21、用于驱动右夹持块21沿左夹持块11和右夹持块21所在直线移动的距离调节装置22、用于驱动右夹持块21转动的右驱动件23;
所述抛光装置包括载片31和设置在载片31上的抛光结构32。
[0020]左驱动件12、右驱动件23均可采用电机等结构实现，其分别控制左夹持块11、右夹持块21沿相同方向、相同转速转动。距离调节装置22可采用现有多种结构实现。
[0021 ]操作时，微调距离调节装置22，使右夹持块21向远离左夹持块11的方向移动，将单晶硅柱体横放与左夹持块11、右夹持块21之间，再次调节距离调节装置22，使右夹持块21向相反方向移动以与左夹持块11配合夹紧单晶硅柱体。控制左驱动件12、右驱动件23，左夹持块11、右夹持块21在同步转动的同时带动单晶硅转动，操作人员手持载片，利用抛光结构对单晶硅柱面抛光。本方案即采用机械与人工相结合，提高对单晶硅柱面的抛光的表面粗糙度。
[0022]实施例2
本实施例在上述实施例的基础上做了细化，即所述抛光结构32为具有抛光面的抛光柱。
[0023]所述抛光柱可采用截面为圆形或椭圆形的结构。
[0024]抛光柱可采用单个实现也可采用多个实现，为了便于抛光结构的设置，优选的抛光柱有多个，多个抛光柱依次紧挨排列且上表面齐平构成抛光面，所述抛光柱的中心轴位于同一平面上。
[0025]所述抛光柱的抛光面的长度大于40毫米且小于50毫米。大量实验证明，抛光面的的长度在45毫米左右时，人工施加在抛光柱上的力均匀，且便于对力道进行控制。优选的可直接将抛光面的长度设置为45毫米。
[0026]所述抛光结构32为金刚石。
[0027]实施例3
本实施例在上述实施例的基础上做了优化，即还包括保护罩，所述左夹持块11和右夹持块21均位于保护罩内，所述保护罩包括下盖41和活动连接在下盖41上的上盖42，所述上盖42和下盖41的同一侧均设置有开口 43。上盖和下盖之间可通过活页等结构连接。
[0028]为了便于对单晶硅柱体抛光情况的观察，工件保护罩的上盖42—般为透明状。
[0029]所述上盖42上设置有进水口 44，所述下盖41上设置有出水口 45。
[0030]以上所述的【具体实施方式】，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的【具体实施方式】而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种单晶硅柱面抛光工装，包括夹持装置和抛光装置，其特征在于: 所述夹持装置包括左夹持块(U)、用于驱动左夹持块(11)转动的左驱动件(I 2)、与左夹持块(11)相配合的右夹持块(21)、用于驱动右夹持块(21)沿左夹持块(11)和右夹持块(21)所在直线移动的距离调节装置(22)、用于驱动右夹持块(21)转动的右驱动件(23); 所述抛光装置包括载片(31)和设置在载片(31)上的抛光结构(32)。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅柱面抛光工装，其特征在于:所述抛光结构(32)为具有抛光面的抛光柱。3.根据权利要求2所述的一种单晶硅柱面抛光工装，其特征在于:所述抛光柱的截面成圆形或椭圆形。4.根据权利要求2或3所述的一种单晶硅柱面抛光工装，其特征在于:所述抛光柱有多个，多个抛光柱依次紧挨排列且上表面齐平构成抛光面，所述抛光柱的中心轴位于同一平面上。5.根据权利要求2所述的一种单晶硅柱面抛光工装，其特征在于:所述抛光柱的抛光面的长度大于40毫米且小于50毫米。6.根据权利要求1所述的一种单晶硅柱面抛光工装，其特征在于:所述抛光结构(32)为金刚石。7.根据权利要求1所述的一种单晶硅柱面抛光工装，其特征在于:还包括保护罩，所述左夹持块(11)和右夹持块(21)均位于保护罩内，所述保护罩包括下盖(41)和活动连接在下盖(41)上的上盖(42)，所述上盖(42)和下盖(41)的同一侧均设置有开口(43)。8.根据权利要求7所述的一种单晶硅柱面抛光工装，其特征在于:所述上盖(42)上设置有进水口(44)，所述下盖(41)上设置有出水口(45)。
【文档编号】B24B23/02GK106002623SQ201610579869
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年7月22日
【发明人】陈兴建, 江宗宇
【申请人】成都贝瑞光电科技股份有限公司