一种大批量芯片等离子处理专用电极的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种大批量芯片等离子处理专用电极，包括真空舱体、样品架、绝缘材料、真空泵、样品料盒和高频高压电。所述样品架为垂直多层结构，置于真空舱体内部；所述真空舱体作为阴极，样品架作为阳极，阳极和阴极平行间隔排列；所述样品料盒直接置于样品架上，其侧面开有孔洞，使得样品料盒外部的离子能够穿过孔洞轰击样品料盒内的样品；同时样品料盒内部存在的气体分子被电离后，也会向阴极运动，轰击样品，使样品得到有效的等离子轰击处理。因为阴阳极板是平行排列的，所以在每对极板之间的等离子密度是一致的，即速度和方向一致性得到了保证，从而提高了产品的一致性。
【专利说明】
一种大批量芯片等离子处理专用电极
技术领域
[0001]本实用新型涉及裸装芯片、引线框架、PCB印刷线路板或其它微电子产品(如LED发光二极管)的样品料盒在进行等离子表面处理时使用的一种专门电极装置，特别是涉及一种大批量芯片等离子处理专用电极。
【背景技术】
[0002]目前的用于芯片、引线框架和PCB等离子处理的方法都是采用水平托盘布置，芯片铺放在托盘上，托盘上方是电极。这种布置方法在处理样品时需要把几十个乃至上百个样品从料盒中一个个取出来，再手工排放在托盘中，再把托盘推入等离子清洗机进行处理。处理后再把样品手工放回料盒，以便进行下一到工序。
[0003]由于通常芯片、PCB要求处理的数量都非常大，在空间范围内尽可能放置更多的产品。目前通用的这种简单的电极布置方法是把样品支架作为阳极，真空舱体作为阴极，放电时离子的运动方向是发散的，摆放在舱体不同位置的芯片得到的离子轰击状态差别非常大，从而导致料盒内的芯片或PCB被处理的效果十分不均匀，也就造成了产品的不均匀性，埋下了产品质量隐患。
[0004]这种电极布置和样品放置方法破坏了生产线以料盒为转移单元的完整性，耗费大量的人工摆放样品。降低了生产效率，大量消耗人工，同时因为人工的介入，增加了产品质量的不确定性。
【发明内容】
[0005]为了克服等离子处理样品必须脱离料盒，而带来的生产效率低、人工消耗大、样品环节多的不足，本实用新型提供一种内部电极和托盘布置设计，该布置不仅能把料盒和样品整体放入等离子设备舱体内处理，减少操作环节，而且还能够大大增加单次处理的容量。
[0006]为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是:一种大批量芯片等离子处理专用电极，包括:真空舱体、样品架、绝缘材料、真空栗、样品料盒和高频高压电。
[0007]可选地，所述样品架置于所述真空舱体的内部。
[0008]可选地，所述真空舱体用作为阴极，样品架作为阳极，阴极和阳极平行间隔排列，两者之间设置有所述绝缘材料。
[0009]可选地，所述样品架为垂直多层结构，与所述高频高压电连接。
[0010]可选地，所述样品料盒直接放在样品架上，其侧面开有孔洞，使得样品料盒外部的离子能够穿过孔洞轰击样品料盒内的样品。
[0011]可选地，所述真空栗连接于真空舱体侧面，对真空舱体进行真空处理。
[0012]本实用新型具体操作时，把装满样品的样品料盒直接放在样品架上，关闭真空舱门，打开真空栗，当真空舱体被抽真空至0.1-0.6mbar以达到等离子发生时所需要的真空度，启动处理气体输入，并维持真空度保持稳定。启动设定好了功率的高频高压电，这时与高频高压电连接的样品架带电，并电离处理气体，产生等离子，等离子充满整个真空舱体，包括样品料盒内部，并轰击样品。达到处理时间后，关闭电机和射频电源。通入空气以使真空舱体内的真空与大气连通，使真空舱体内恢复常压。打开舱门，将样品料盒从真空舱体内取出，完成处理。
[0013]本实用新型的有益效果是:等离子处理进行高压放电时，离子从阳极出发向阴极运动，并轰击放置在阳极和阴极之间的样品料盒里的样品，样品料盒侧面开有孔洞，使得样品料盒外部的离子能够穿过孔洞轰击样品料盒内的样品，同时样品料盒内部存在的气体分子被电离后，也会向阴极运动，轰击样品，使样品得到有效的等离子轰击处理；因为阴阳极板是平行排列的，所以在每对极板之间的等离子密度是一致的，即速度和方向一致性得到了保证，从而提高了产品的一致性，为生产管理和质量管理提供了有效工具和依据;样品料盒中的芯片或PCB能够得到均匀的等离子处理;装置使用的零件均可现成采购，易于实现。
【附图说明】
[0014]图1是本实用新型的结构不意图；
[0015]图中:1、真空舱体(阴极)，2、样品架(阳极)，3、绝缘材料，4、真空栗，5、样品料盒，
6、尚频尚压电。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图对本实用新型进一步说明。
[0017]如图1所示，本实用新型的大批量芯片等离子处理专用电极包括:真空舱体1、样品架2、绝缘材料3、真空栗4、样品料盒5和高频高压电6。
[0018]所述样品架2置于所述真空舱体I的内部。
[0019]所述真空舱体I用作为阴极，样品架2作为阳极，阴极和阳极平行间隔排列，两者之间设置有所述绝缘材料3。
[0020]所述样品架2为垂直多层结构，与所述高频高压电6连接。
[0021]所述样品料盒5直接放在样品架2上，其侧面开有孔洞，使得样品料盒5外部的离子能够穿过孔洞轰击样品料盒5内的样品。
[0022]所述真空栗4连接于真空舱体I侧面，对真空舱体I进行真空处理。
[0023]本实用新型具体操作时，把装满样品的样品料盒5直接放在样品架2上，关闭真空舱门，打开真空栗4，当真空舱体I被抽真空至0.1-0.6mbar以达到等离子发生时所需要的真空度，启动处理气体输入，并维持真空度保持稳定。启动设定好了功率的高频高压电6，这时与高频高压电连接的样品架2带电，并电离处理气体，产生等离子，等离子充满整个真空舱体I，包括样品料盒内部，并轰击样品。达到处理时间后，关闭电机和射频电源。通入空气以使真空舱体I内的真空与大气连通，使真空舱体I内恢复常压。打开舱门，将样品料盒从真空舱体I内取出，完成处理。
[0024]本实用新型的有益效果是:等离子处理进行高压放电时，离子从阳极出发向阴极运动，并轰击放置在阳极和阴极之间的样品料盒里的样品，样品料盒侧面开有孔洞，使得样品料盒外部的离子能够穿过孔洞轰击样品料盒内的样品，同时样品料盒内部存在的气体分子被电离后，也会向阴极运动，轰击样品，使样品得到有效的等离子轰击处理；因为阴阳极板是平行排列的，所以在每对极板之间的等离子密度是一致的，即速度和方向一致性得到了保证，从而提高了产品的一致性，为生产管理和质量管理提供了有效工具和依据;样品料盒中的芯片或PCB能够得到均匀的等离子处理;装置使用的零件均可现成采购，易于实现。
[0025]以上结合附图对本实用新型的实施方式进行了详细说明，但是本实用新型不限于上述实施方式，凡依据本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。
【主权项】
1.一种大批量芯片等离子处理专用电极，其特征在于，所述电极包括:真空舱体(1)、样品架(2)、绝缘材料(3)、真空栗(4)、样品料盒(5)和高频高压电(6); 所述样品架(2)置于所述真空舱体(I)内部； 所述真空舱体(I)作为阴极，样品架(2)作为阳极，阴极和阳极平行间隔排列。2.根据权利要求1所述的大批量芯片等离子处理专用电极，其特征在于，所述绝缘材料(3)设置在所述真空舱体(I)和样品架(2)之间。3.根据权利要求1或2所述的大批量芯片等离子处理专用电极，其特征在于，所述样品架(2)为垂直多层结构，与所述高频高压电(6)连接。4.根据权利要求1所述的大批量芯片等离子处理专用电极，其特征在于，所述样品料盒(5)直接放在样品架(2)上，其侧面设置有让外部离子穿过的孔洞。5.根据权利要求1所述的大批量芯片等离子处理专用电极，所述真空栗(4)连接于所述真空舱体(I)侧面。
【文档编号】H01L33/00GK205576277SQ201620339097
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年4月21日
【发明人】郑亮
【申请人】郑亮