1.一种材料，包含至少一种具有式(I)的化合物：
Bi1-xMxCu1-y-εM’yOS1-zM”z (I)
其中：
M是选自组(A)的一种元素或多种元素的混合物，该组由Pb、Sn、Hg、Ca、Sr、Ba、Sb、In、Tl、Mg、稀土金属组成，
M’是选自组(B)的一种元素或多种元素的混合物，该组由Ag、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Mg、Al、Cd组成，
M”是卤素，
x、y和z是小于1、特别地小于0.6、尤其小于0.5的数字，
其中数字x、y或z中的至少一个是非零的，并且
0≤ε<0.2。
2.一种用于制备如权利要求1所述的材料的方法，该方法包括固态研磨包含以下项的混合物的步骤：铋和铜的至少一种无机化合物，以及
任选地选自Bi和来自组(A)的元素的至少一种元素的至少一种氧化物、硫化物、氧硫化物、卤化物或卤氧化物，以及
任选地选自Cu和来自组(B)的元素的至少一种元素的至少一种氧化物、硫化物、氧硫化物、卤化物或卤氧化物。
3.用于制备如权利要求1所述的材料的方法，该方法包括沉淀反应，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(a)制备至少一种包含以下项的溶液：呈铋的无机化合物的至少一种盐的形式的金属前体，以及
任选地选自Bi和来自由Pb、Sn、Hg、Ca、Sr、Ba、Sb、In、Tl、Mg、稀土金属组成的组(A)的元素的至少一种元素的至少一种氧化物、硫化物、氧硫化物、卤化物或卤氧化物，以及
(b)制备至少一种包含以下项的溶液：呈铜的无机化合物的至少一种盐的形式的金属前体，以及
任选地选自Cu和来自由Ag、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Ga、Mg、Al、Cd组成的组(B)的元素的至少一种元素的至少一种氧化物、硫化物、氧硫化物、卤化物或卤氧化物，并且
(c)任选地制备至少一种包含硫源的溶液，
(d)通过混合在步骤(a)、(b)和任选地(c)结束时获得的溶液而沉淀，
(e)过滤，并且如果需要的话洗涤在步骤(d)结束时获得的具有式(I)的化合物。
4.用于制备如权利要求1所述的材料的方法，该方法包括以下步骤：
(a’)提供至少包含以下项的混合物：呈分散形式的铋和铜的无机化合物，以及
任选地选自Bi和来自组(A)的元素的至少一种元素的至少一种氧化物、硫化物、氧硫化物、卤化物或卤氧化物，以及
任选地选自Cu和来自组(B)的元素的至少一种元素的至少一种氧化物、硫化物、氧硫化物、卤化物或卤氧化物，以及
任选地硫源，
(b’)在水热条件下并且优选地在搅拌下将该混合物溶解在水或水性介质中，并且
(c’)冷却所获得的溶液，由此获得具有式(I)Bi1-xMxCu1-y-εM’yOS1-zM”z的化合物的颗粒。
5.如权利要求1所述的材料作为半导体、尤其用于光电化学或光化学应用、特别地用于提供光电流的用途。
6.如权利要求5所述的用途，其中该具有式(I)的化合物以各向同性或各向异性物体的形式使用，这些物体具有至少一个小于50μm并且优选小于20μm的尺寸。
7.如权利要求6所述的用途，其中该具有式(I)的化合物以具有小于10μm的尺寸的颗粒的形式使用。
8.如权利要求7所述的用途，其中该具有式(I)的化合物是处于小片类型的各向异性颗粒、或几十个至几百个这种类型的颗粒的团聚体的形式。
9.如权利要求6所述的用途，其中该具有式(I)的化合物是处于基于具有式(I)的化合物的连续层的形式，该连续层的厚度小于50μm、优选小于20μm，其中该基于具有式(I)的化合物的层是包含按质量计至少95％比例的该具有式(I)的化合物的层。
10.如权利要求6所述的用途，其中该具有式(I)的化合物是处于基于具有式(I)的化合物的连续层的形式，该连续层的厚度小于50μm、优选小于20μm，其中该基于具有式(I)的化合物的层包含一种聚合物基质以及分散在这种基质中的、基于具有小于5μm的尺寸的具有式(I)的化合物的颗粒。
11.一种光电装置，该光电装置包括在空穴传导材料与电子传导材料之间的基于如权利要求1所述的具有式(I)的p型化合物的层和基于n型半导体的层，其中：
-该基于具有式(I)的p型化合物的层与该基于n型半导体的层相接触；
-该基于具有式(I)的p型化合物的层接近该空穴传导材料；并且
-该基于n型半导体的层接近该电子传导材料。