技术总结
本发明公开了一种BNT‑BST‑KNN反铁电储能陶瓷及其制备方法，属于功能陶瓷技术领域，分子式为：(1‑x)Bi1/2Na1/2TiO3‑xBa1/2Sr1/2TiO3‑0.05KNaNbO3，其中x＝0.01、0.03、0.05或0.07。本发明解决了现有技术中La3+掺杂电陶瓷减小电场回滞的同时增大了材料的相变电场，B位掺杂Zr2+元素的电陶瓷的反铁电相不稳定的问题，加入Sr元素有助于扩大四方反铁电相的稳定区域，通过掺杂BaSrTiO3、KNaNbO3来改变本发明BNT‑BST‑KNN反铁电储能陶瓷的电学性能。
技术研发人员：曹静;王永锋;李兆;蔡向朝
受保护的技术使用者：西安航空学院
文档号码：201610821418
技术研发日：2016.09.13
技术公布日：2017.03.01