技术总结
本发明涉及功能材料技术领域，具体涉及一种外延生长碳化硅‑石墨烯薄膜的制备方法。外延生长碳化硅‑石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）碳化硅‑石墨烯制备；（2）碳化硅‑石墨烯薄膜外延生长。本发明实现碳化硅‑石墨烯的连续生长，从而省去了目前常用在碳化硅上生长石墨烯所需的氢气刻蚀及重新制造富硅集的步骤，减少氢气刻蚀带来的晶格缺陷和表面硅富集严重削减现象。并且石墨烯具有较少的缺陷，层数在４层左右且均匀分布，具有较好的晶体质量。
技术研发人员：李长英
受保护的技术使用者：陕西聚洁瀚化工有限公司
文档号码：201611008474
技术研发日：2016.11.16
技术公布日：2017.02.22