岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品及其制作工艺的制作方法

文档序号:11889998阅读:579来源:国知局

本发明申请涉及瓷器制品,特别涉及一种岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品及其制作工艺。



背景技术:

我国是世界上最早制瓷的国家。在长达数千年的发展进程中,陶瓷不仅起到盛物器皿的作用,还起到装饰器的作用。

随着经济的发展以及人们生活水平的提高,人们对瓷器的装饰工艺有了更高的要求。目前,市场上的陶瓷上的片纹太粗、不美观、不能表达出成品的整体立体效果、不够晶莹润泽。



技术实现要素:

本发明的目的是针对背景技术中存在的缺点和问题加以改进和创新,提供一种片纹很细、美观、晶莹润泽的岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品及其制作工艺。

一种岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品,包括青瓷坯和釉,所述釉包含以下重量百分比的矿物原料:

纳长石 60%~75%

石灰石 15%~26%

紫金土 3%~8%

石英 2%~10%

氧化铁 0.8%~1%

长石 3%~6%。

在其中一个实施例中,所述纳长石的重量百分比为70%。所述石灰石的重量百分比为16%。所述紫金土的重量百分比为5%。所述石英的重量百分比为5%。所述氧化铁的重量百分比为0.9%。所述长石的重量百分比为3.1%。

以上岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品的制作工艺,包括以下步骤:

(1)按上述配方取出相应重量的纳长石、石灰石、紫金土、石英、氧化铁、长石加入水中,矿物原料、水的重量比为1:1.5,混匀后进行球磨,球磨时间为20~26小时,得到釉浆,釉浆细度过250目筛。

(2)将青瓷坯入窑进行800℃~900℃素烧,待冷却后取出窑,再将过250目筛的釉浆施于取出窑后的青瓷坯上,然后进行修整和干燥。

(3)修整、干燥后再一次入窑,在还原气氛下烧成,烧成温度为1240℃~1280℃,即可得到岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品,且岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品上的细碎冰裂片纹的宽度为0.5mm~2mm。

本发明具有以下优点和有益效果:

1、本发明上的细碎冰裂片纹很细。

2、本发明美观、晶莹润泽、美若琼玉。

3、本发明能表达出成品的整体立体效果。

具体实施方式

为了便于理解本发明,下面将对本发明进行更全面的描述。本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义,本文中所使用的所有的技术和科学术语与本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施目的,不是旨在限制本发明。

实施例1

一种岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品,包括青瓷坯和釉,釉包含以下重量百分比的矿物原料:

纳长石的重量百分比为70%。石灰石的重量百分比为16%。紫金土的重量百分比为5%。石英的重量百分比为5%。氧化铁的重量百分比为0.9%。长石的重量百分比为3.1%。

以上岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品的制作工艺:

(1)按上述配方取出相应重量的纳长石、石灰石、紫金土、石英、氧化铁、长石加入水中,矿物原料、水的重量比为1:1.5,混匀后进行球磨,球磨时间为24小时,得到釉浆,釉浆细度过250目筛。

(2)将青瓷坯入窑进行850℃素烧,待冷却后取出窑,再将过250目筛的釉浆施于取出窑后的青瓷坯上,然后进行修整和干燥。

(3)修整、干燥后再一次入窑,在还原气氛下烧成,烧成温度为1260℃,即可得到岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品,且岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品上的细碎冰裂片纹的宽度为0.5mm~2mm。

实施例2

一种岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品,包括窑青瓷坯和釉,釉包含以下重量百分比的矿物原料:

纳长石的重量百分比为60%。石灰石的重量百分比为21%。紫金土的重量百分比为6%。石英的重量百分比为6%。氧化铁的重量百分比为1%。长石的重量百分比为6%。

以上岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品的制作工艺:

(1)按上述配方取出相应重量的纳长石、石灰石、紫金土、石英、氧化铁、长石加入水中,矿物原料、水的重量比为1:1.5,混匀后进行球磨,球磨时间为26小时,得到釉浆,釉浆细度过250目筛。

(2)将青瓷坯入窑进行900℃素烧,待冷却后取出窑,再将过250目筛的釉浆施于取出窑后的青瓷坯上,然后进行修整和干燥。

(3)修整、干燥后再一次入窑,在还原气氛下烧成,烧成温度为1240℃,即可得到岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品,且岳州窑青瓷细碎冰裂片纹釉制品上的细碎冰裂片纹的宽度为0.5mm~2mm。

本发明具有以下优点和有益效果:

1、本发明上的细碎冰裂片纹很细。

2、本发明美观、晶莹润泽、美若琼玉。

3、本发明能表达出成品的整体立体效果。

本发明所述的实施例仅仅是对本发明的优选实施方式进行的描述,并非对本发明构思和范围进行限定,在不脱离本发明设计思想的前提下,本领域中工程技术人员对本发明的技术方案做出的各种变型和改进,均应落入本发明的保护范围,本发明请求保护的技术内容,已经全部记载在权利要求书中。

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