技术领域:
本发明涉及臭氧制造技术领域,具体涉及一种单电极高压放电片。
背景技术:
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现有技术的臭氧发生片包括片状基体,所述片状基体一面印有感应层,另一面印有被绝缘介质覆盖的放电层,印有感应层和放电层的面分别设有焊盘连接。此种臭氧发生片,由于放电电极直接与空气接触,电极处易吸附灰尘,绝缘性能差,臭氧片使用寿命短,而且臭氧发生量较小。
技术实现要素:
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本发明提供一种单电极高压放电片,解决了现有技术的臭氧量小,使用寿命短,绝缘性能差等问题,具有提高臭氧发生量,延长使用寿命和提高绝缘性能等有益效果。
为解决现有技术中存在的不足与缺陷,
本技术:
实施例提供一种单电极高压放电片,包括上片状基体、下片状基体,所述下片状基体一面印有放电电极和焊盘,印有放电电极一面和下片状基体通过叠压烧结而成,所述上片状基体的上端设有孔位,所述焊盘通过上片状基体的孔位漏出,并在焊盘表面镀镍。
进一步的,所述放电电极的材料为金属导电浆料。
进一步的,所述放电电极在上片状基体和下片状基体之间,通过叠烧而成。
进一步的,所述焊盘的材料为金属导电浆料。
进一步的,所述焊盘的表面镀一层镍。
进一步的,所述上片状基体和下片状基体是在1600-1650℃叠烧而成。
进一步的,所述上片状基体和下片状基体的材料为氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化铝陶瓷、碳化硅陶瓷等。
进一步的,至少需要两片间接式臭氧发生片才能产生臭氧。
进一步的,可根据电压的大小调节臭氧量的大小。
进一步的,所述的孔位的尺寸稍微大于焊盘的尺寸。
进一步的,述的孔位与焊盘的位置设计在基体或放电电极的边缘。
本申请实施例中提供的技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
1.本实施例采用一种单电极高压放电片,包括上片状基体、下片状基体,本申请实施例臭氧发生片至少需两个一种单电极高压放电片才能产生臭氧,增加了接触面积,解决了发生臭氧量小的问题,具有提高臭氧发生量的有益效果。
2.本实施例采用一种单电极高压放电片,包括上片状基体、下片状基体,所述下片状基体一面印有放电电极和焊盘,印有放电电极一面和下片状基体通过叠压烧结而成,放电处几乎不吸附灰尘。解决了产品的绝缘性能差和使用时间短的问题,具有大大提高了产品的绝缘性能延长使用时间的有益效果。
3.本发明单电极高压放电片由于其较好的绝缘性,可以在水中进行耐压测试,可以更容易检查出陶瓷基片成型后是否有暗裂等潜在隐患。
附图说明
图1表示臭氧发生片结构示意图;
图2表示臭氧发生片的a-a剖面图
其中,1-焊盘、2-孔位、3-上片状基体、4-放电电极、5-下片状基体。
具体实施方式
为了使本发明的技术方案更加清楚明白,下面结合附图对本发明做进一步详细说明。
参照图1、图2,一种单电极高压放电片,包括上片状基体3、下片状基体5,所述下片状基体5一面印有放电电极4和焊盘1,印有放电电极4一面和下片状基体3通过叠压烧结而成,所述上片状基体3的上端设有孔位2,所述焊盘1通过上片状基体3的孔位漏出,并在焊盘1表面镀镍,所述金属导电材料为钨、钼、镍、钌等,由于钨、钼、镍、钌具有耐高温的特性,所以大大提高了臭氧发生片在高温下使用寿命。
所述放电电极4在上片状基体3和下片状基体5之间,通过叠烧而成。由于放电电极4的设置在上片状基体和下片状基体5之间,被上下基体完全覆盖,保护了放电电极4工作时不被空气中的脏物所污染,解决了臭氧发生片工作时放电电极4被空气中的脏物污染的的问题,从而具有延长臭氧发生片的使用寿命的有益效果。
所述上片状基体3和下片状基体5的材料为陶瓷,陶瓷具有良好的绝缘性,可以在水中进行耐压测试,可以更容易检查出陶瓷基片成型后是否有暗裂等潜在隐患。
所述焊盘1的表面有一层镀层,其材质为镍,由于镍具有中等硬度,并且具有良好的延展性,从而增加了可焊性。
所述片状基体3、5是在1600-1650℃叠烧而成。
所述片状基体3、5的材料为氧化铝陶瓷、氮化硅陶瓷、氮化铝陶瓷、碳化硅陶瓷等。
至少需要两片单电极高压放电片才能产生臭氧。
可根据电压的大小调节臭氧量的大小,电压越大臭氧发生量越大,同时可以控制臭氧量的发生,具有臭氧量发生稳定的有益效果。
本实施例采用一种单电极高压放电片,包括上片状基体、下片状基体,本申请实施例单电极高压放电片至少需两个单电极高压放电片才能工作,增加了接触面积,解决了发生臭氧量小的问题,具有提高臭氧发生量的有益效果。
本实施例采用一种单电极高压放电片,包括上片状基体、下片状基体,所述下片状基体一面印有放电电极和焊盘,印有放电电极一面和下片状基体通过叠压烧结而成,放电处几乎不吸附灰尘。解决了产品的绝缘性能差和使用时间短的问题,具有大大提高了产品的绝缘性能延长使用时间的有益效果。
最后应说明的是,以上具体实施方式仅用以说明本发明的技术方案而非限制,尽管参考实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。