一种新型多晶硅还原炉喷气嘴的制作方法

本实用新型属于多晶硅生产技术领域；具体的说是涉及一种新型多晶硅还原炉喷气嘴。

背景技术：

多晶硅属于单质硅的一种形态；其在高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用；具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料；多晶硅又是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料；多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法，西门子法则主要通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，硅芯作为改良西门子法工艺生产多晶硅，还原炉内多晶硅料沉积的载体，它的表面洁净程度直接影响到多晶硅成品的品质；在西门子法工艺生产多晶硅的过程中，其设备主要为还原炉设备，其通过通电高温硅芯将三氯氢硅与氢气的混合气体反应，生成多晶硅并沉积在硅芯上，最终获得沉积在硅芯上的多晶硅，然而在进行混合气体喷射的过程中，还原炉内进料气体分布的是否均匀以及喷射的时间对于多晶硅的生产质量都起到了非常关键的作用。

技术实现要素：

本实用新型的发明目的：

主要是为了提供一种结构简单方便，喷射效率高，且进料气体在还原炉内均匀分布的新型多晶硅还原炉喷气嘴，有效的提高多晶硅硅粉原材料的下料效率和下料质量，有效的降低了硅粉送料过程中的能量消耗；降低了企业的能源消耗，有效的提高了企业的生产效率，降低了企业的生产成本，提高了企业的经济效益。

本实用新型的技术方案为：

提供了一种新型多晶硅还原炉喷气嘴,该多晶硅还原炉喷气嘴主要由喷气底座、中间套管和喷气板组成；在喷气底座的中心设置有进气口，在中间套管的内部设置有与进气口相连通的射流喷射口，喷气板采用圆盘型结构设置，在喷气板上设置有与射流喷射口相连通的喷气口，在喷气板上喷气口的周边还设置有旋流风道口。

所述的喷气底座与中间套管之间以及中间套管与喷气板之间均通过连接螺纹相互连接。

所述的射流喷射口主要由加速段、过渡段和喷射段组成。

所述的旋流风道口主要由内旋流风道和外旋流风道组成。

所述的射流喷射口内加速段的直径沿气流方向逐渐减小，喷射段的直径沿气流方向逐渐增大，过渡段的直径沿气流方向保持不变。

所述的内旋流风道和外旋流风道采用相反旋流风道结构设置。

所述的旋流风道口沿喷气板圆周均布设置为4个。

本实用新型的有益效果是：

该结构设置的新型多晶硅还原炉喷气嘴，结构简单方便，喷射效率高，且进料气体在还原炉内更加均匀分布，有效的提高了多晶硅硅粉原材料的下料效率和下料质量，有效的降低了硅粉送料过程中的能量消耗；降低了企业的能源消耗，有效的提高了企业的生产效率，降低了企业的生产成本，提高了企业的经济效益。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的喷气板的结构示意图；

图3为本实用新型的旋流风道口的结构示意图。

图中；1为喷气底座；2为中间套管；3为喷气板；4为进气口；5为射流喷射口；6为喷气口；7为旋流风道口；8为加速段；9为过渡段；10为喷射段；11为内旋流风道；12为外旋流风道。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的具体实施方式做出详细的描述。

如图1～3所示，提供了一种新型多晶硅还原炉喷气嘴,该多晶硅还原炉喷气嘴主要由喷气底座1、中间套管2和喷气板3组成；在喷气底座的中心设置有进气口4，在中间套管的内部设置有与进气口相连通的射流喷射口5，喷气板采用圆盘型结构设置，在喷气板上设置有与射流喷射口相连通的喷气口6，在喷气板上喷气口的周边还设置有旋流风道口7。

所述的喷气底座与中间套管之间以及中间套管与喷气板之间均通过连接螺纹相互连接。

所述的射流喷射口主要由加速段8、过渡段9和喷射段10组成。

所述的旋流风道口主要由内旋流风道11和外旋流风道12组成。

所述的射流喷射口内加速段的直径沿气流方向逐渐减小，喷射段的直径沿气流方向逐渐增大，过渡段的直径沿气流方向保持不变。

所述的内旋流风道和外旋流风道采用相反旋流风道结构设置。

所述的旋流风道口沿喷气板圆周均布设置为4个。

该结构设置的新型多晶硅还原炉喷气嘴简单适用，喷射气流在经过进气口后进入中间套管内部，在中间套管内部经过射流加速口，有效的提高了喷射气流在喷射设备间的沿程阻力，提高了喷射过程中的喷射效率，在经过射流加速后的喷射气体，然后直接加速射入喷气口和旋流风道口，旋流风道口设置在喷气口的四周，在喷射气流的过程中旋转气流和喷射气流混合作用，更加有效的了保证了多晶硅棒上的气流场的均匀分布，不会出现喷射死角的产生，更加有利于多晶硅的生产，提高多晶硅的产量；该结构设置的新型多晶硅还原炉喷气嘴，结构简单方便，喷射效率高，且进料气体在还原炉内更加均匀分布，有效的提高了多晶硅硅粉原材料的下料效率和下料质量，有效的降低了硅粉送料过程中的能量消耗；降低了企业的能源消耗，有效的提高了企业的生产效率，降低了企业的生产成本，提高了企业的经济效益。