技术总结
本发明涉及一种沿[101]晶向生长的金红石结构钽掺杂氧化锡单晶薄膜及其制备方法。本发明采用有机金属化学气相淀积(MOCVD)技术，以四乙基锡(Sn(C2H5)4)为有机金属Sn源，乙醇钽(Ta(C2H5O)5)为有机金属Ta源，以氧气为氧化物，以氮气为载气，在R面蓝宝石衬底上外延生长钽掺杂氧化锡单晶薄膜。采用R面蓝宝石做衬底可以制备出沿[101]晶向生长的金红石结构的钽掺杂氧化锡薄膜，制备的钽掺杂氧化锡薄膜为单晶薄膜，且迁移率高达58.1cm2V‑1s‑1，所制备钽掺杂氧化锡单晶薄膜的晶格结构及电学性质均优于氧化锡多晶薄膜，因此是制造透明半导体器件和紫外光电子器件的重要材料。
技术研发人员：栾彩娜;马瑾;何林安
受保护的技术使用者：山东大学
技术研发日：2018.05.14
技术公布日：2018.09.18