一种晶体真空退火炉装置的制作方法

本实用新型涉及晶棒生产领域，具体涉及一种晶体真空退火炉装置。

背景技术：

晶体材料广泛用于半导体、航空、激光及医疗器械等各领域，晶体在生产过程会产生应力，为消除应力就需要对晶体进行退火处理，晶体退火不仅能消除应力，同时，退火还有激活施主和受主杂质的功能，即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。

晶体的退火就需要有退火炉，现有技术的退火炉由于结构简单无真空装置，在实际的应用中容易导致氧化脱碳、氧化物蒸发等不良现象，退火后的晶体表面光亮度和力学性能都比较差。

技术实现要素：

本实用新型为克服现有技术的不足，而提供的一种晶体真空退火炉装置。

为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案 ：

一种晶体真空退火炉装置，包括底座及设在所述底座上的真空炉体、真空泵和控制柜，所述的真空炉体包括炉筒和炉门，所述炉筒由第一壳体、第二壳体、加热元件、测温器和真空度测试仪构成，在所述第一壳体和第二壳体的夹层内设有冷却水管路，在所述炉筒的中央和加热元件的内侧设有晶体放置架，所述测温器和真空度测试仪设在所述晶体放置架内；所述真空泵连接于所述真空炉体的侧面，所述控制柜内设有单片机和显示器，所述单片机与所述测温器和真空度测试仪通讯连接，所述显示器用于显示测温器和真空度测试仪监测的温度及真空度参数。

优选地，所述的真空泵为三级真空泵组。

优选地，所述的加热元件为钼带。

优选地，所述的晶体放置架的材质为耐高温95瓷。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：

本实用新型一种晶体真空退火炉装置，采用真空炉体、真空泵和控制柜构成，真空泵采用三级真空泵组能保证真空炉体内的真空度，避免晶体在退火过程的氧化脱碳、除气脱脂、氧化物蒸发等不良现象的发生，能有效提高晶体表面光亮度和力学性能。

附图说明

图1为本实用新型立体结构示意图；

图2为本实用新型主视结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步详细的说明：参见图1-2，为解决上述的技术问题，本实用新型采用以下技术方案 ：

一种晶体真空退火炉装置，包括底座1及设在所述底座1上的真空炉体2、真空泵3和控制柜4，所述的真空炉体2包括炉筒5和炉门6，所述炉筒5由第一壳体7、第二壳体8、加热元件9、测温器和真空度测试仪构成，在所述第一壳体7和第二壳体8的夹层内设有冷却水管路，在所述炉筒5的中央和加热元件9的内侧设有晶体放置架10，所述测温器和真空度测试仪设在所述晶体放置架10内；所述真空泵3连接于所述真空炉体2的侧面，所述控制柜4内设有单片机和显示器，所述单片机与所述测温器和真空度测试仪通讯连接，所述显示器用于显示测温器和真空度测试仪监测的温度及真空度参数。

优选地，所述的真空泵3为三级真空泵组。

优选地，所述的加热元件9为钼带。

优选地，所述的晶体放置架10的材质为耐高温95瓷。

本实用新型一种晶体真空退火炉装置，是用于晶体退火的装置，使用时，将晶体放置到晶体放置架10内，将炉门6关闭后，通过控制柜4启动加热元件9，所述的加热元件9为钼带能加热到1000度左右的高温，真空泵3将真空炉体2内吸附成真空，为晶体的退火提供良好环境，为提高本实用新型的冷却效果，本实用新型炉筒5采用了第一壳体7和第二壳体8壳体结构，在所述第一壳体7和第二壳体8的夹层内设有冷却水管路，如果需要加速冷却，只需要在冷却水管路内注入循环冷却水即可，如果仅仅需要自然冷却，则无需在冷却水管路内注入循环冷却水，在所述炉筒5内由于设置了测温器和真空度测试仪，由于单片机与所述测温器和真空度测试仪通讯连接，炉筒5内的温度及真空度会在显示器上进行实时显示，操作人员通过显示器显示的数据对装置进行实施监控和调整，经过本实用新型装置退火的晶体能有效提高其表面光亮度和力学性能。

以上所述，仅是对本实用新型的较佳实施例而已，并非是对本实用新型做其他形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是，凡是未脱离本实用新型方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本实用新型的保护范围。