带具有用于保护基于银的一个或多个IR反射层的保护性掺杂银层的低-E涂层的涂覆制品及其制备方法与流程

文档序号:19416941发布日期:2019-12-14 01:01阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种涂覆制品,所述涂覆制品包括由玻璃基底支撑的涂层,所述涂层包括:

所述玻璃基底上的第一电介质层;

所述玻璃基底上的包含银的金属的或基本上金属的红外(ir)反射层,所述ir反射层位于至少所述第一电介质层之上;

所述玻璃基底上的包含掺杂银的保护层,所述保护层位于所述包含银的ir反射层之上并且直接接触所述包含银的ir反射层;

所述玻璃基底上的第二电介质层,所述第二电介质层位于至少所述第一电介质层、所述包含银的ir反射层、和所述包含掺杂银的保护层之上;

其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的80-99.5%ag和0.5%至20%掺杂剂,其中所述掺杂剂为下列各项中的一项或多项:zn、cu、ni、w、sn、si、sial、znal、znsi、znsicu、以及它们的组合;并且

其中所述涂层具有不大于11的薄层电阻(rs)和不大于0.2的法向发射率(en)。

2.根据权利要求1所述的涂覆制品,其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的90-99%ag和1%至10%掺杂剂,其中所述掺杂剂为下列各项中的一项或多项:zn、cu、ni、w、sn、si、sial、znal、znsi、znsicu、以及它们的组合。

3.根据权利要求2所述的涂覆制品,其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的95-99%ag和1%至5%掺杂剂,其中所述掺杂剂为下列各项中的一项或多项:zn、cu、ni、w、sn、si、sial、znal、znsi、znsicu、以及它们的组合。

4.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述ir反射层基本上由银组成。

5.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述ir反射层是金属的。

6.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含掺杂银的保护层是金属的或基本上金属的。

7.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述涂覆制品具有至少40%的可见光透射率。

8.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述涂覆制品具有至少50%的可见光透射率。

9.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述涂覆制品具有至少70%的可见光透射率。

10.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述涂覆制品具有至少1.10的光-太阳能增益比(lsg)。

11.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述涂覆制品具有至少1.30的光-太阳能增益比(lsg)。

12.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述涂覆制品具有至少1.60的光-太阳能增益比(lsg)。

13.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述掺杂剂包含zn,并且其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的90-99%ag和1%至10%zn。

14.根据权利要求13所述的涂覆制品,其中所述掺杂剂包含zn,并且其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的95-99%ag和1%至5%zn。

15.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述掺杂剂包含cu,并且其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的90-99%ag和1%至10%cu。

16.根据权利要求15所述的涂覆制品,其中所述掺杂剂包含cu,并且其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的95-99%ag和1%至5%cu。

17.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述掺杂剂包含ni,并且其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的90-99%ag和1%至10%ni。

18.根据权利要求17所述的涂覆制品,其中所述掺杂剂包含ni,并且其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的95-99%ag和1%至5%ni。

19.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述掺杂剂包含w,并且其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的90-99%ag和1%至10%w。

20.根据权利要求19所述的涂覆制品,其中所述掺杂剂包含w,并且其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的95-99%ag和1%至5%w。

21.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述掺杂剂包含sn,并且其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的90-99%ag和1%至10%sn。

22.根据权利要求21所述的涂覆制品,其中所述掺杂剂包含sn,并且其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的95-99%ag和1%至5%sn。

23.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述掺杂剂包含si,并且其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的90-99%ag和1%至10%si。

24.根据权利要求23所述的涂覆制品,其中所述掺杂剂包含si,并且其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的95-99%ag和1%至5%si。

25.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述掺杂剂包含zn和cu,并且其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的0.5%至10%的zn和cu中的每一种和80-99%ag。

26.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述掺杂剂包含zn和si,并且其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的0.5%至10%的zn和si中的每一种和80-99%ag。

27.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述涂覆制品被热回火。

28.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含掺杂银的保护层比所述包含银的ir反射层薄至少

29.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含掺杂银的保护层比所述包含银的ir反射层薄至少

30.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含掺杂银的保护层比所述包含银的ir反射层薄至少

31.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含掺杂银的保护层为约厚,并且所述包含银的ir反射层为约厚。

32.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含掺杂银的保护层为约厚,并且所述包含银的ir反射层为约厚。

33.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述包含掺杂银的保护层为约厚,并且所述包含银的ir反射层为约厚。

34.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述第一电介质层包含氮化硅。

35.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述涂层具有不大于的薄层电阻(rs)和/或不大于0.11的法向发射率(en)。

36.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述涂层还包括另一个包含银的红外(ir)反射层,所述包含银的ir反射层与所述包含掺杂银的保护层间隔开并且不接触所述包含掺杂银的保护层。

37.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述涂层还包括包含氧化锌的电介质层,所述包含氧化锌的电介质层位于所述包含银的ir反射层下并且直接接触所述包含银的ir反射层。

38.根据任一项前述权利要求所述的涂覆制品,其中所述涂层还包括包含ni和/或cr的阻挡层,所述阻挡层位于所述包含掺杂银的保护层之上并且直接接触所述包含掺杂银的保护层。

39.根据权利要求38所述的涂覆制品,其中所述阻挡层包含ni和/或cr的氮化物。

40.一种涂覆制品,所述涂覆制品包括由玻璃基底支撑的涂层,所述涂层包括:

所述玻璃基底上的第一电介质层;

所述玻璃基底上的包含银的金属的或基本上金属的红外(ir)反射层,所述ir反射层位于至少所述第一电介质层之上;

所述玻璃基底上的包含掺杂银的保护层,所述保护层位于所述包含银的ir反射层之上并且直接接触所述包含银的ir反射层;

所述玻璃基底上的第二电介质层,所述第二电介质层位于至少所述第一电介质层、所述包含银的ir反射层、和所述包含掺杂银的保护层之上;

其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的80-99.5%ag和0.5至20%zn;并且

其中所述涂层具有不大于11的薄层电阻(rs)和不大于0.2的法向发射率(en)。

41.根据权利要求40所述的涂覆制品,其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的90-99%ag和1%至10%zn。

42.根据权利要求40至41中任一项所述的涂覆制品,其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的95-99%ag和1%至5%zn。

43.根据权利要求40至42中任一项所述的涂覆制品,其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的0.5%至10%的zn和cu中的每一种和80-99%ag。

44.根据权利要求40至43中任一项所述的涂覆制品,其中所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的0.5%至10%的zn和si中的每一种和80-99%ag。

45.一种涂覆制品,所述涂覆制品包括由玻璃基底支撑的涂层,所述涂层包括:

所述玻璃基底上的第一电介质层;

所述玻璃基底上的包含银的金属的或基本上金属的红外(ir)反射层,所述ir反射层位于至少所述第一电介质层之上;

所述玻璃基底上的包含掺杂铜的保护层,所述保护层位于所述包含银的ir反射层之上并且直接接触所述包含银的ir反射层;

所述玻璃基底上的第二电介质层,所述第二电介质层位于至少所述第一电介质层、所述包含银的ir反射层、和所述包含掺杂铜的保护层之上;

其中所述包含掺杂铜的保护层的金属含量包含按原子%计的80-99.5%cu和0.5%至20%掺杂剂,其中所述掺杂剂为下列各项中的一项或多项:zn、ag、ni、w、sn、si、sial、znal、znsi、znsicu、以及它们的组合;并且

其中所述涂层具有不大于11的薄层电阻(rs)和不大于0.2的法向发射率(en)。

46.一种制备涂覆制品的方法,所述涂覆制品包括由玻璃基底支撑的涂层,所述方法包括:

将第一电介质层溅射沉积在所述玻璃基底上;

将包含银的金属的或基本上金属的红外(ir)反射层溅射沉积在所述玻璃基底上,所述ir反射层位于至少所述第一电介质层之上;

将包含掺杂银的金属的或基本上金属的保护层溅射沉积在所述玻璃基底上,所述保护层在所述包含银的ir反射层之上并且直接接触所述包含银的ir反射层,其中沉积态的所述包含掺杂银的保护层的金属含量包含按原子%计的80-99.5%ag和0.5%至20%掺杂剂,其中所述掺杂剂为下列各项中的一项或多项:zn、cu、ni、w、sn、si、sial、znal、znsi、znsicu、以及它们的组合;以及

在溅射沉积所述包含掺杂银的金属的或基本上金属的保护层之后,将第二电介质层溅射沉积在所述玻璃基底上,所述第二电介质层位于至少所述第一电介质层和所述包含银的ir反射层之上,并且其中所述涂层具有不大于的薄层电阻(rs)和不大于0.2的法向发射率(en)。


技术总结
本公开涉及一种涂覆制品,所述涂覆制品包括由玻璃基底支撑的低发射率(低‑E)涂层。低‑E涂层包括至少一个基于银(Ag)的红外(IR)反射层,所述红外(IR)反射层被设置成邻近并接触至少一个保护性金属的或基本上金属的掺杂银层,以便改善低‑E涂层的化学耐久性特性。基于银的IR反射层和相邻的保护性掺杂银层为低发射率(低‑E)涂层的一部分,并且可夹在至少透明的电介质层之间。包含Ni和/或Cr的阻挡层可设置在保护性掺杂银层之上并且直接接触所述保护性掺杂银层,以便进一步改善低‑E涂层的耐久性。

技术研发人员:卢易伟;布伦特·博伊斯;丁国文;斯科特·朱赫斯特;塞萨尔·克拉韦罗;丹尼尔·施魏格特;张圭桢;丹尼尔·李
受保护的技术使用者:佳殿玻璃有限公司
技术研发日:2018.02.28
技术公布日:2019.12.13
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