技术特征：
技术总结
本发明公开了一种碳化硅制备方法，涉及碳化硅技术领域。所述方法通过助溶剂法连续生长碳化硅晶体，然后通过对坩埚的接触冷却来提高碳化硅晶体生长的稳定性，同时通过多区液态金属接触冷却与多区加热，来实现在不同的高温度梯度区域多级液滴迁移来消除包裹物，随着坩埚的下降使得碳化硅晶体中的包裹物逐渐减少直至消失，制备无包裹物且低应力的碳化硅晶体。所述方法选用低熔点高沸点液态金属接触冷却液可以循环使用且经济实用，通过多级消除包裹物提高了溶剂法生长碳化硅的效率和质量。
技术研发人员：王书杰;孟静
受保护的技术使用者：孟静
技术研发日：2019.05.29
技术公布日：2019.07.16