1.一种大尺寸碳化硅晶体生长装置，其特征在于：包括第一腔体、设于所述第一腔体上方的第二腔体、可沿上下方向活动的穿设于所述第一腔体和所述第二腔体中的坩埚、下端连接在所述坩埚顶部且上端穿出所述第二腔体的坩埚轴、设于所述第一腔体中的加热机构和保温机构、开设于所述第一腔体上和/或所述第二腔体上的抽气口、开设于所述第一腔体和/或所述第二腔体上的充气口；
所述加热机构包括上下间隔分布的上加热电阻和下加热电阻；
所述上加热电阻由设于所述坩埚上方的第一圆盘和围设于所述坩埚上侧周部的第一筒体组成；所述下加热电阻为设于所述坩埚下方的第二圆盘或由所述第二圆盘和围设于所述坩埚下侧周部的第二筒体组成。
2.根据权利要求1所述的一种大尺寸碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述第一圆盘、所述第一筒体、所述第二圆盘、所述第二筒体同轴延伸，且均与所述坩埚间隙分布。
3.根据权利要求1所述的一种大尺寸碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述第一圆盘和所述第一筒体同轴延伸且相互抵接。
4.根据权利要求1所述的一种大尺寸碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述下加热电阻同时包括所述第二圆盘和所述第二筒体时，两者同轴延伸且相互抵接。
5.根据权利要求1所述的一种大尺寸碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述装置还包括机架，所述第一腔体包括固设于所述机架上的底板、可上下活动的设于所述底板上的筒体、可上下活动的设于所述筒体顶部的盖体，所述保温机构设于所述底板上，所述加热机构设于所述保温机构中。
6.根据权利要求5所述的一种大尺寸碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述装置还包括设于所述盖体与所述第二腔体之间的隔离阀，所述隔离阀与所述第二腔体均连接在所述盖体上。
7.根据权利要求5所述的一种大尺寸碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述装置还包括设于所述机架上的立柱、设于所述立柱和所述筒体之间的第一升降机构、设于所述立柱和所述盖体之间的第二升降机构。
8.根据权利要求1所述的一种大尺寸碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述装置还包括设于所述第二腔体顶部的用于驱动所述坩埚轴升降的驱动机构。
9.根据权利要求1所述的一种大尺寸碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述装置还包括设于所述坩埚轴上方的上测温仪，所述坩埚轴为空心管状结构，所述保温机构顶部和所述第一圆盘上均开设有用于被所述坩埚和所述坩埚轴穿过的第一通孔，所述上测温仪用于通过所述坩埚轴测量所述坩埚的顶部温度。
10.根据权利要求1所述的一种大尺寸碳化硅晶体生长装置，其特征在于：所述装置还包括设于所述第一腔体底部的下测温仪，所述保温机构底部和所述第二圆盘上均开设有第二通孔，所述下测温仪用于通过所述第二通孔测量所述坩埚的底部温度。