1.一种掺磷单晶硅生产中防尘爆的抽真空方法，其特征在于，用于生产掺磷单晶硅的单晶炉包括相互连通的主室和副室，所述副室设于所述主室上方；所述防尘爆的抽真空方法包括以下步骤：
s1、采用第一管道将主阀和主泵依次连通到所述主室，并关闭所述主阀和主泵；
s2、采用第二管道将辅助阀和副泵依次连通到所述副室，采用第三管道将快充阀连通至所述主室或所述副室；打开所述辅助阀和副泵将所述单晶炉内的空气抽出，控制所述快充阀向所述单晶炉内通入惰性气体。
2.根据权利要求1所述的掺磷单晶硅生产中防尘爆的抽真空方法，其特征在于，步骤s2包括：
(1)设置惰性气体流量；
(2)打开所述辅助阀和副泵将所述单晶炉内的空气经所述第二管道抽出，炉压降至p1值时关闭所述辅助阀；
(3)打开所述快充阀且经所述第三管道向所述单晶炉内通入惰性气体，炉压升至p2值时关闭所述快充阀。
3.根据权利要求2所述的掺磷单晶硅生产中防尘爆的抽真空方法，其特征在于，依次重复步骤(2)和(3)操作至少三次后，炉压为p2值，同时所述辅助阀、副泵和快充阀保持关闭，再打开连通到主室上的主阀和主泵继续抽出空气保持单晶炉内真空状态。
4.根据权利要3所述的掺磷单晶硅生产中防尘爆的抽真空方法，其特征在于，打开主阀和主泵继续抽出空气前，还需要打开设置在所述主阀和主室之间的蝶阀，将所述蝶阀开度设为5％并打开所述蝶阀。
5.根据权利要求1～3任一项所述的掺磷单晶硅生产中防尘爆的抽真空方法，其特征在于，惰性气体包括氩气，惰性气体经所述第三管道从惰性气体源送至所述快充阀。
6.根据权利要求1～4任一项所述的掺磷单晶硅生产中防尘爆的抽真空方法，其特征在于，所述主室和副室之间设置有隔离阀来控制所述主室和副室的连通或隔离；在抽出空气和通入惰性气体的过程中，打开所述隔离阀以使所述主室和副室之间连通。
7.一种避免尘爆发生的掺磷单晶硅的生产方法，其特征在于，包括以下步骤：
将原料多晶硅加入单晶炉的主室内，通过权利要求1～6任一项所述的掺磷单晶硅生产中防尘爆的抽真空方法使炉内形成真空和通入惰性气体，再加热原料使其熔化后开始长晶进行掺磷单晶硅的生产。