技术特征：
1.一种过渡金属硫属化合物晶体的制备方法，该过渡金属硫属化合物的化学式可以表示为mx2，其中m为中心过渡金属元素，x为硫族元素；其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：提供mx2多晶粉末及mx2晶种；提供一第一反应腔，所述第一反应腔一端具有一开口，所述mx2多晶粉末及输运介质置于所述第一反应腔内；以及提供一第二反应腔，该第二反应腔为真空密闭腔体，所述第一反应腔与所述mx2晶种分别置于所述第二反应腔内进行cvt生长，其中，所述第一反应腔置于源端，所述mx2晶种置于沉积端。2.如权利要求1所述的过渡金属硫属化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述多晶mx2粉末通过将m元素和x元素的混合物固态反应获得。3.如权利要求1所述的过渡金属硫属化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述mx2晶种为单晶晶体。4.如权利要求1所述的过渡金属硫属化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述mx2晶种尺寸范围在500微米～1毫米之间。5.如权利要求3或4所述的过渡金属硫属化合物晶体的制备方法，其特征在于，进一步对mx2晶种经由切割具有规则的形状。6.如权利要求1所述的过渡金属硫属化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述所述第一反应腔与所述第二反应腔为石英管。7.如权利要求1所述的过渡金属硫属化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述第一反应腔的开口远离所述mx2晶种。8.如权利要求1或7所述的过渡金属硫属化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述mx2多晶粉末及所述输运介质置于所述第一反应腔内远离所述开口的位置。9.如权利要求1所述的过渡金属硫属化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述第一反应腔开口处的温度为t
h
，所述mx2多晶粉末处的温度为t
s
，所述第二反应腔33沉积端处的温度为t
d
，其中，-15k<(t
s-t
h
)<-5k，45k<(t
h-t
d
)<55k。10.如权利要求1所述的过渡金属硫属化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述mx2多晶粉末与所述开口之间的距离范围为2厘米～6厘米。
技术总结
本发明涉及一种过渡金属硫属化合物晶体的制备方法，该过渡金属硫属化合物的化学式可以表示为MX2，其中M为中心过渡金属元素，X为硫族元素。所述制备方法包括以下步骤：制备多晶MX2粉末及MX2晶种；以及将输运介质及所述多晶MX2粉末置于一第一反应腔，将所述MX2晶种置于一第二反应腔；其中，该第一反应腔一端具有开口，该第二反应腔真空密闭且具有温度梯度，所述第一反应腔设置于该第二反应腔内的高温区，所述MX2晶种设置于该第二反应腔内的低温区。晶种设置于该第二反应腔内的低温区。晶种设置于该第二反应腔内的低温区。
技术研发人员：李昊 吴扬 范守善
受保护的技术使用者：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
技术研发日：2020.07.31
技术公布日：2022/2/18