一种单晶石墨烯线材及其制作方法

文档序号:9805166阅读:602来源:国知局
一种单晶石墨烯线材及其制作方法
【专利说明】
所属技术领域
[0001]本发明涉及一种石墨烯线材及其制作方法,尤其是有完整单晶结构特性,可以用作高电导导线、高强度缆绳的以单晶石墨烯为主、复合而成,或者纯单晶石墨烯组成的单晶石墨烯线材及其制作方法。
【背景技术】
[0002]目前,公知的石墨烯线材都为多晶石墨烯类,其导电性、力学强度与单晶石墨烯差很多,而常见的单晶石墨烯多为面材、薄膜类,用作高电导导线、高强度缆绳的单晶石墨烯线材还未见有。

【发明内容】

[0003]为了克服现有的石墨烯材料的不足,本发明提供一种单晶石墨烯线材及其制作方法,该单晶石墨烯线材有完整单晶晶体特性,具有超强导电性、超高拉伸强度,其制作方法简洁、无污染,形成线材粗细均匀,形貌、尺寸、长度可控,可连续生成,适宜大批量生产,是下一代高电导导线、高强度缆绳的理想材料。
[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案:以纯的单晶石墨烯、或者以单晶石墨烯为主材复合形成线材,制作方法有二类,一类是间接法,将单晶SiC线材、薄膜转化为单晶石墨烯线材、卷绕薄膜,通过以高温、电子束轰击、激光照射等形式,脱去硅,形成单晶石墨烯线材,第2类为直接法,通过碳纤维前驱体纤维,在模板作用下,分子排列调整为石墨烯型,再以碳化后处理形成。
[0005]本发明的有益效果是,该单晶石墨烯线材具有完整单晶结构特性,超强导电性、超高拉伸强度,其制作方法简洁、无污染,形成线材粗细均匀,形貌、尺寸、长度可控,可连续生成,适宜大批量生产。
【附图说明】
[0006]下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
[0007]图1是本发明的原理图。
[0008]图2是第一个实施例的流程图。
【具体实施方式】
[0009]在图1中,第I步制作单晶SiC线材、薄膜,第2步通过以高温、电子束轰击、激光照射等形式,脱去硅,形成单晶石墨烯线材。
[0010]在图2中,第I步以碳纤维前驱体纤维,在模板作用下,分子排列调整为石墨烯型,为第2步,第3步以碳化后处理形成单晶石墨烯。
【主权项】
1.一种单晶石墨烯线材及其制作方法,以纯的单晶石墨烯、或者以单晶石墨烯为主材复合形成线材,具有完整单晶结构特性,制作方法有二类:第一类是间接法,将单晶SiC线材、薄膜转化为单晶石墨烯线材、卷绕薄膜,通过以高温、电子束轰击、激光照射等形式,脱去硅,形成单晶石墨烯线材,第二类为直接法,通过碳纤维前驱体纤维,在模板作用下,分子排列调整为石墨烯型,再以碳化后处理形成,其特征是:具有完整石墨烯单晶结构特性,超强导电性、超高拉伸强度。2.根据权利要求1所述的单晶石墨烯线材及其制作方法,其特征是:将单晶SiC线材、薄膜转化为单晶石墨烯线材、卷绕薄膜。3.根据权利要求1所述的单晶石墨烯线材及其制作方法,其特征是通过碳纤维前驱体纤维,在模板作用下,分子排列调整为石墨烯型,再以碳化后处理形成。
【专利摘要】一种单晶石墨烯线材及其制作方法,以纯的单晶石墨烯、或者以单晶石墨烯为主材复合形成线材,制作方法有二类:第一类是间接法,将单晶SiC线材转化为单晶石墨烯线材,通过以高温、电子束轰击、激光照射等形式,脱去硅,形成单晶石墨烯线材,第2类为直接法,通过碳纤维前驱体纤维,在模板作用下,分子排列调整为石墨烯型,再以碳化后处理形成,其优异之处在于具有完整单晶结构特性,超强导电性、超高拉伸强度。线材粗细均匀,形貌、尺寸、长度可控,可连续生成,适宜大批量生产,是下一代高电导导线、高强度缆绳的理想材料。
【IPC分类】C30B29/02, C30B29/60
【公开号】CN105568375
【申请号】CN201410523873
【发明人】段兴
【申请人】段兴
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2014年10月8日
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