专利名称：一种双保护厄他培南结晶体及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种双保护厄他培南结晶体及其制备方法，具体说，是涉及一种GR， 5R，6S) -3- [ (3S，5S) -5- [ (3-羧基苯基)氨基甲酰基]-N-对硝基苄氧羰基_吡咯烷_3_基] 硫-6-[(1 -1-羟乙基]-4-甲基-7-氧代-1-氮杂双环[3. 2. 0]庚-2-烯-2-甲酸对硝基苄基酯结晶体及其制备方法，属于有机化学技术领域。
背景技术：
厄他培南钠(ertapenem sodium)是由英国AstraZeneca公司发明，后转让给默克公司作进一步研究开发，是新的带有4位(R)甲基的注射用广谱长效碳青霉烯类抗生素， 2002年在美国首次上市，其结构式如式I所示
权利要求
1. 一种双保护厄他培南结晶体，具有如下所示的化学结构式
2.根据权利要求1所述的双保护厄他培南结晶体，其特征在于还具有图2所示的顶谱图、图3所示的DSC谱图及图4所示的DSC-TG谱图。
3.根据权利要求1所述的双保护厄他培南结晶体，其特征在于在粉末X射线衍射下，在衍射角度 2 θ 为 5. 2° 士 0.1°，9.1° 士 0.1°，10.4° 士 0.1°，15.3° 士 0.1°， 17.2° 士 0.1°，17.7° 士 0.1°，21.7° 士 0. 1°，22.6° 士 0. 1°，25.2° 士 0. 1° 处有特征峰。
4.一种权利要求1所述的双保护厄他培南结晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤a)使碳青霉烯母核MAP和厄他培南侧链进行缩合反应，反应结束，将反应液倒入pH值为4 6的缓冲液与酯类溶剂形成的混合溶剂中，萃取分层，再向有机层内加入缓冲液洗涤；b)有机层用无水硫酸钠干燥、过滤后，于O 30°C搅拌析晶，过滤，洗涤滤饼，真空干O
5.根据权利要求4所述的双保护厄他培南结晶体的制备方法，其特征在于在步骤b)， 在O 30°C搅拌析晶1 M小时后，再于O 30°C滴加非极性烷烃类溶剂，滴毕过滤。
6.根据权利要求4所述的双保护厄他培南结晶体的制备方法，其特征在于洗涤滤饼的溶剂为酯类溶剂与非极性烷烃类溶剂形成的混合溶剂。
7.根据权利要求6所述的双保护厄他培南结晶体的制备方法，其特征在于洗涤滤饼的溶剂为酯类溶剂与非极性烷烃类溶剂以11体积比形成的混合溶剂。
8.根据权利要求4或6或7所述的双保护厄他培南结晶体的制备方法，其特征在于 所述的酯类溶剂为甲酸甲酯、甲酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸异丙酯或乙酸丁酯。
9.根据权利要求4或6或7所述的双保护厄他培南结晶体的制备方法，其特征在于 所述的非极性烷烃类溶剂为正己烷、环己烷、正戊烷、正庚烷或石油醚。
10.根据权利要求4所述的双保护厄他培南结晶体的制备方法，其特征在于所述的缓冲液为磷酸二氢钾缓冲液、磷酸氢二钾缓冲液、磷酸二氢钠缓冲液或磷酸氢二钠缓冲液。
11.根据权利要求4所述的双保护厄他培南结晶体的制备方法，其特征在于所述的缓冲液与酯类溶剂的体积比为1 3 3 1。
12.根据权利要求4所述的双保护厄他培南结晶体的制备方法，其特征在于进行真空干燥的温度为20 40°C。
全文摘要
本发明公开了一种双保护厄他培南结晶体及其制备方法，所述的双保护厄他培南结晶体具有
图1所示的粉末X射线衍射谱图。该结晶体的制备是首先使碳青霉烯母核MAP和厄他培南侧链进行缩合反应，反应结束，将反应液倒入pH值为4～6的缓冲液与酯类溶剂形成的混合溶剂中，萃取分层，再向有机层内加入缓冲液洗涤；有机层用无水硫酸钠干燥、过滤后，于0～30℃搅拌析晶，过滤，洗涤滤饼，真空干燥。本发明提供的双保护厄他培南结晶体稳定性好，纯度高，为后续制备高纯度、质量稳定的厄他培南奠定了基础和提供了保证；且本发明的制备方法简单，原料价廉易得，易于实现规模化，符合工业化生产要求，具有实用推广价值。
文档编号C07D477/20GK102432611SQ201110350990
公开日2012年5月2日 申请日期2011年11月9日 优先权日2011年11月9日
发明者刘军, 吕锋, 安晓霞, 毕光庆, 胡猛 申请人:上海希迈医药科技有限公司, 江苏迪赛诺制药有限公司