具有防腐蚀功效的去除剂的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种具有防腐蚀功效的光刻胶去除剂，其原料包括防腐剂、有机胺化合物、有机溶剂、去离子水和C2～C15一元醇。该去除剂能够提供剥离性优异、安全，且不会腐蚀导电体的防腐蚀性优异。
【专利说明】具有防腐蚀功效的去除剂
【技术领域】
[0001] 本发明涉及光刻【技术领域】，尤其涉及一种光刻胶去除剂，其剥离性能优异，安全， 不会腐蚀导电体的防腐蚀性。
【背景技术】
[0002] 1C、LSI等集成电路，IXD、EL兀件等显不机器,打印基板等使用热刻蚀技术制造。 在该热刻蚀工序中，不需要的光刻胶使用光刻胶去除剂进行除去。
[0003] 在该光刻胶剥离工序中，之前使用各种光刻胶去除剂。但是，近年来对应液晶显示 面板或半导体元件的工艺微细化或短时间处理的能力低，期待进一步的性能。目前，含有剥 离性优异的胺系化合物的光刻胶去除剂成为主力。
[0004] 该胺系去除剂可以分为溶剂系和水系。例如，作为溶剂系去除剂使用二甲基亚砜 (约30重量％) +单乙醇胺（约70重量％)或者单乙醇胺+N-甲基吡咯烷酮等。另一方面， 作为水系去除剂使用水（约20?30重量％ ) +二甘醇单丁基醚（约20?30重量％ ) +单 乙醇胺（约30?40重量％ )、烷基苯磺酸+功能水（臭氧水）、酸系（硫酸+过氧化氢）+ 功能水（臭氧水）等。
[0005] 近年来，能够进行水淋洗的水系去除剂的使用有所扩大。其理由在于水系去除剂 的剥离性优异、而且没有可燃性，是不是危险品。然而，水系去除剂添加有单乙醇胺。因此， 水系去除剂具有会引起对配线等导电体的腐蚀的缺点。因而，实际上有必要考虑剥离性能 和腐蚀性调整单乙醇胺的含量。而且，以光刻胶剥离性能和防止对导电体的破坏（腐蚀） 为目的，开发了各种光刻胶去除剂。
【发明内容】
[0006] 现有技术以提高光刻胶剥离性能和导电体（包含铜（Cu)、铝（A1)等的配线等）的 防腐蚀为目的而开发。但是这些技术仍然具有无法完全满足两个目的的问题。本发明鉴于 上述问题而完成，其目的在于提供剥离性优异、安全，且不会腐蚀导电体的防腐蚀性优异的 光刻胶去除剂。
[0007] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种光刻胶去除剂，其原料包括防腐剂、有机 胺化合物、有机溶剂、去离子水和C2?c15 -元醇。
[0008] 其中，所述光刻胶去除剂中各原料的重量分别为防腐剂3g?5g、有机胺化合物 8g?12g、有机溶剂10g?20g、去离子水50g?70g和C2?C15 一元醇3g?6g。
[0009] 其中，所述光刻胶去除剂中各原料的重量分别为防腐剂4g、有机胺化合物10g、有 机溶剂15g、去离子水60g和C2?C15 -元醇5g。
[0010] 其中，所述c2?c15-元醇进一步优选为丁醇、乙醇、异丙醇、丙醇、庚醇、辛醇。
[0011] 其中，所述防腐剂由苯并噻唑化合物和苯并喹啉化合物按照质量比3 ： 1的比例 混合获得。
[0012] 其中,所述苯并噻唑化合物具体结构为式1所示：
【权利要求】
1. 一种光刻胶去除剂，其特征在于：原料包括防腐剂、有机胺化合物、有机溶剂、去离 子水和c2?c15 -兀醇。
2.如权利要求1所述的去除剂，其特征在于：各原料的重量分别为防腐剂3g?5g、有 机胺化合物8g?12g、有机溶剂10g?20g、去离子水50g?70g和C2?C15 -元醇3g? 6g。
3.如权利要求1或2所述的去除剂，其特征在于：各原料的重量分别为防腐剂4g、有机 胺化合物10g、有机溶剂15g、去离子水60g和C2?C15 -元醇5g。
4.如权利要求1至3所述的去除剂，其特征在于：所述C2?C15 -元醇为丁醇、乙醇、异 丙醇、丙醇、庚醇、辛醇。
5.如权利要求1至4所述的去除剂，其特征在于：所述防腐剂由苯并噻唑化合物和苯 并喹啉化合物按照质量比1:1的比例混合获得。
6.如权利要求1至5所述的去除剂，其特征在于：所述苯并噻唑化合物的制备方法具 体为， 第一步，在250mL的三口烧瓶中，称取4-苯二甲酰亚胺环己醇15g,溶解于160mL的乙 酸乙酯和5mL的水中，搅拌溶解。冰浴降温至0°C，依次加入TEMPOO. 05g,溴化钠 0. 8g于 反应体系中，机械搅拌15min,原料完全溶解。分批加入漂白粉18. 5g(l. 2eq),控制反应体 系的温度不高于5°C，0. 5h内加完，移去冰浴，在室温下反应，TLC检测反应的进度，5h后显 示原料转化完毕，过滤去固体，有机相用饱和氯化钠洗涤，经无水硫酸钠干燥，过滤、减压除 去有机溶剂得到白色固体粗品14. lg，经甲苯重结晶得到13. 6g，获得4-苯二甲酰亚胺环己 酮； 第二步，100mL的三口烧瓶中，称量第一步制备的4-苯二甲酰亚胺环己酮5. 0g溶解于 40mL的乙酸乙酯中，加入2. 6mL浓度为30%的H202于反应体系中，升温至50°C，缓慢滴加 1. 6mL浓度为42%的氢溴酸，0. 5h滴加完毕，升温至回流，在此温度下反应2h。TLC显示原 料反应完毕，碳酸氢钠调节pH = 7，析出大量白色固体，继续搅拌15min，过滤得到白色固 体。用15mLX 3冷的甲醇洗涤滤饼，滤饼干燥至恒重，得到白色固体5. 4g，获得2-溴-4-苯 二甲酰亚胺环己酮； 第三步，100mL的三口瓶中，称量第二步制备的2-溴4-苯二甲酰亚胺环己酮5. 0g，然 后加入甲醇50mL, 二氯甲烧15mL,碳酸氢钠 2. 0g,升温至回流后，加入硫脲2. 5g于反应体 系中。在此温度下回流反应液逐渐变澄清，TLC检测，4h后原料反应完毕。减压除去有机溶 剂甲醇和二氯甲烷，过滤得到白色滤饼，滤饼用40mL热水洗涤，甲醇重结晶，得到4. 2g2-氨 基-6苯二甲酰亚氨基-4，5，6，7-四氢苯并噻唑； 第四步，100mL的三口瓶中，称量第三步制备的2. 5g悬浮于30mL的甲醇中，依次加入 水合肼0. 8mL，三乙胺0. 2mL,氮气保护条件下，升温至回流，4h后TLC检测反应完毕，冷却至 5°C，得到白色固状物质，将白色固状物过滤，滤饼用10mLX3冷的甲醇洗涤，合并有机相， 经无水硫酸钠干燥，减压除去溶剂，无水乙醇重结晶，得到白色粉末1. 2g。
7.如权利要求1至6所述的去除剂，其特征在于：所述苯并喹啉化合物的制备方法具 体为， 第一步，对氯苯胺盐酸盐的制备，将对氯苯胺2. 0g加入到5ml蒸馏水和37%的浓盐酸 5ml中，室温下搅拌30min，过滤晶体并用乙醇洗3次，烘干，得1. 98g固体，即为对氯苯胺盐 酸盐； 第二步，重氮化，取对氯苯胺盐酸盐0. 72g在5ml蒸馏水和37%的浓盐酸5ml中溶解， 冷却到0-5°C (冰水浴），缓慢滴加 NaN02水溶液（0. 5g NaN02溶于10ml水中），至淀粉碘化 钾试纸刚刚变蓝为止，维持0-5°C继续反应30min ； 第三步，偶氮化，取0. 5g的10-羟基苯并喹啉（HBQ)，溶于10ml蒸馏水和10ml 二氧六 环的混合溶液中，保持0-5°C，体系用氢氧化钠调节至pH = 8，剧烈搅拌下将10-羟基苯并 喹啉溶液缓慢加入第二步获得的产物中，继续反应2-3h ;冰水浴中静置2h，减压过滤，得橙 色固体，依次用水、苯-正己烷（1 ： 10)洗涤，红外干燥，得粗品，随后经过氯仿-石油醚体 系（3 : 2)柱层析分离，经干燥后得产品0.48g。
8.如权利要求1至7所述的去除剂，其特征在于：所述有机溶剂包括一种或多种选自 以下的物质：N-甲基吡咯烷酮（NMP)、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮（DMI)、二甲基亚砜（DMSO)、 二甲基乙酰胺（DMAc)、二甲基甲酰胺（DMF)、N-甲基甲酰胺（NMF)、环丁砜、丁基二乙二醇 (BDG)、乙基二乙二醇（EDG)、甲基二乙二醇（MDG)、三乙二醇（TEG)、二乙二醇单乙醚（DEM)、 二乙二醇单丁醚、及其混合物。
9.如权利要求1至8所述的去除剂，其特征在于：所述有机胺由羟乙基哌嗪和哌嗪羟 酰氯按照质量比1:1混合而成。
10.如权利要求1至9所述的去除剂，其特征在于：所述哌嗪羟酰氯为4-乙基-2， 3-双氧哌嗪基-1-羰酰氯，所述哌嗪羟酰氯的制备方法具体为：在配有电动搅拌、温度计和 滴液漏斗的500mL干燥三颈瓶中，加入N-乙基-2，3-双氧哌嗪（28. 8g，0. 2mol)和三氯甲 烷（300mL)，搅拌，使之溶解，室温下加入三甲基氯硅烷（23g，0. 2mol)，搅拌lOmin后冷却 到-10°C，滴加三乙胺（24g，0. 23mol)，在滴加过程中有白色三乙胺盐酸盐固体析出，在此 温度下反应lh，冷却到_30°C，滴加氯甲酸三氯甲酯(23. 8g，0. 12mol)，在20min内加完，反 应液变红而褐，升温到_20°C反应lh，过滤，除去不溶物。滤液计量（280mL)并在_10°C时滴 加正己烷（140mL)，加入约1/3的正己烷时即有结晶析出，放慢滴加速度并继续保持_10°C， 此时大量结晶析出，继续加完剩余的正己烷。在_15°C搅拌0.5h，过滤，滤饼用小量冷正己 烷洗涤，在40°C?50°C真空干燥3h，得淡黄色针状结晶。
【文档编号】C07D277/60GK104049475SQ201410236102
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年5月30日 优先权日:2014年5月30日
【发明者】不公告发明人 申请人:青岛华仁技术孵化器有限公司