固态灯和形成方法

文档序号:3676961阅读:140来源:国知局
固态灯和形成方法【专利摘要】本发明公开了一种光学组件,所述光学组件包括光学器件和包含树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物的组合物。在一些实施例中,所述有机硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000克/摩尔的重均分子量,并且包含以线性嵌段排列的40至90摩尔%由式[R12SiO2/2]表示的二甲硅烷氧基单元,每个线性嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2];以非线性嵌段排列的10至60摩尔%由式[R2SiO3/2]表示的三甲硅烷氧基单元,每个非线性嵌段具有至少500克/摩尔的重均分子量;以及0.5至25摩尔%硅烷醇基团。R1独立地为C1至C30烃基,而R2独立地为C1至C20烃基。至少30%的所述非线性嵌段与另一个非线性嵌段交联,并聚集成纳米域。每个线型嵌段连接至至少一个非线型嵌段。【专利说明】固态灯和形成方法[0001]相关专利申请的交叉引用[0002]本申请要求2011年12月30日提交的美国临时专利申请序列号61/581,852的权益,所述专利申请的全部公开内容以引用的方式并入,视同在本文中完全示出。【
背景技术
】[0003]光学组件(例如固态灯)可使用封装涂层以保护光学器件(例如发光二极管(LED))免受环境因素的影响。此类保护涂层可为光学透明的或大致透明的以提高此类光学器件的效率。此外,这些保护涂层还可有利地为相对较硬的、耐用的、持久的,并且易于施加。【
发明内容】[0004]本发明提供了一种光学组件(如,固态灯)和形成此类组件的方法。在一些实施例中,光学组件包括光学器件(例如发光二极管)和组合物。在一些实施例中,组合物为固体。在其他实施例中,组合物的折射率大于1.4。在另外的实施例中,组合物包含有机硅氧烷嵌段共聚物。在另外的实施例中,有机硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000克/摩尔的重均分子量。在其他实施例中,有机硅氧烷嵌段共聚物包含以线性嵌段排列的40至90摩尔%由式[R^SiO^]表示的二甲硅烷氧基单元,每个线性嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R^SiO^]。在一些实施例中,有机硅氧烷嵌段共聚物还包含以非线性嵌段排列的10至60摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元,每个非线性嵌段具有至少500克/摩尔的重均分子量。此外,在其他实施例中,有机硅氧烷嵌段共聚物包含〇.5至25摩尔%硅烷醇基团[=SiOH]。在这些式中,R1独立地为Q至C3(l烃基,而R2独立地为Q至C2(1烃基。在另外的实施例中,至少30%的非线性嵌段与另一个非线性嵌段交联。在其他另外的实施例中,非线性嵌段聚集成纳米域。此外,在一些实施例中,每个线性嵌段连接至至少一个非线性嵌段。在一些实施例中,形成光学组件(如,固态灯)的方法包括结合光学器件(如,发光二极管)和组合物以形成光学组件的步骤。[0005]在实施例1中,本发明涉及形成光学组件的方法,所述光学组件包括光学器件和包含树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物的组合物,所述方法包括结合光学器件和组合物以形成光学组件的步骤。[0006]在实施例2中,本发明涉及实施例1的方法,其中树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000克/摩尔的重均分子量,并且包含:[0007]以线性嵌段排列的40至90摩尔%由式[R^SiO^]表示的二甲硅烷氧基单元,每个线性嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R^SiO^];[0008]以非线性嵌段排列的10至60摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元,每个非线性嵌段具有至少500克/摩尔的重均分子量;并且[0009]0·5至25摩尔%的硅烷醇基团[三SiOH];[0010]其中R1独立地为Q至C3(l烃基,而R2独立地为Q至C2(l烃基;[0011]其中至少30重量%的非线性嵌段与另一个非线性嵌段交联,并聚集成纳米域,并且[0012]其中每个线性嵌段连接至至少一个非线性嵌段。[0013]在实施例3中,本发明涉及实施例1的方法,其中光学组件包括固态灯。[0014]在实施例4中,本发明涉及实施例1的方法,其中光学器件包括相干光源或不相干光源/部分相干光源。[0015]在实施例5中,本发明涉及实施例1的方法,其中光学器件包括不相干光源/部分相干光源。[0016]在实施例6中,本发明涉及实施例5的方法,其中不相干光源/部分相干光源包括LED。[0017]在实施例7中,本发明涉及前述实施例中任一项的方法,其中结合步骤包括熔融组合物使得组合物设置在光学器件上。[0018]在实施例8中,本发明涉及实施例7的方法,其中组合物与光学器件直接接触。[0019]在实施例9中,本发明涉及前述实施例中任一项的方法,还包括提供组合物在溶剂中的溶液的步骤。[0020]在实施例10中,本发明涉及实施例9的方法,还包括在结合光学器件和组合物的步骤之前移除溶剂以形成组合物的步骤。[0021]在实施例11中,本发明涉及实施例10的方法,还包括在移除溶剂的步骤之后和在结合光学器件和组合物的步骤之前使组合物形成为片材的步骤。[0022]在实施例12中,本发明涉及前述实施例中任一项的方法,还包括固化组合物的步骤。[0023]在实施例13中,本发明涉及实施例12的方法,其中固化包括缩合固化。[0024]在实施例14中,本发明涉及实施例12的方法,其中固化步骤在高于组合物的熔融温度的温度下发生。[0025]在实施例15中,本发明涉及前述实施例中任一项的方法,其中光学组件包含荧光体。[0026]在实施例16中,本发明涉及实施例15的方法,组合物包含荧光体。[0027]在实施例17中,本发明涉及实施例2-16中任一项的方法,其中二甲硅烷氧基单元具有式[(CH3)(C6H5)Si02/2]。[0028]在实施例18中,本发明涉及实施例2-17中任一项的方法,其中有机硅氧烷嵌段共聚物包含至少30重量%二甲硅烷氧基单元。[0029]在实施例19中,本发明涉及实施例2-18中任一项的方法,其中R2为苯基。[0030]在实施例20中,本发明涉及前述实施例中任一项的方法,其中组合物具有大于1.OMPa的抗张强度和大于20%的断裂伸长率百分比。[0031]在实施例21中,本发明涉及前述实施例中任一项的方法,其中组合物具有25°C至200°C的熔融流动温度。[0032]在实施例22中,本发明涉及前述实施例中任一项的方法,其中组合物在25°C下具有0.OIMPa至500MPa的储能模量(G,)并且在25°C下具有0.OOlMPa至250MPa的损耗模量(G,,)。[0033]在实施例23中,本发明涉及实施例16的方法,其中组合物在120°C下具有lOPa至500,OOOPa的储能模量(G')并且在120°C下具有10Pa至500,OOOPa的损耗模量(G")。[0034]在实施例24中,本发明涉及实施例16或实施例17的方法,其中组合物在200°C下具有10Pa至100,OOOPa的储能模量(G')并且在200°C下具有5Pa至80,OOOPa的损耗模量(G,,)。[0035]在实施例25中,本发明涉及前述实施例中任一项的方法,其中组合物具有大于95%的透光率,如使用ASTMD1003测定。[0036]在实施例26中,本发明涉及前述实施例中任一项的方法,其中组合物具有大于1.4的折射率。[0037]在实施例27中,本发明涉及前述实施例中任一项的方法,其中组合物包含超强碱。[0038]在实施例28中,本发明涉及前述实施例中任一项的方法,其中组合物包含稳定剂。[0039]在实施例29中,本发明涉及光学组件,所述光学组件包括光学器件和包含树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物的组合物。[0040]在实施例30中,本发明涉及实施例29的光学组件,其中树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000克/摩尔的重均分子量,并且包含:[0041]以线性嵌段排列的40至90摩尔%由式[R^SiO^]表示的二甲硅烷氧基单元,每个线性嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[ASiOw];[0042]以非线性嵌段排列的10至60摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元,每个非线性嵌段具有至少500克/摩尔的重均分子量;并且[0043]0·5至25摩尔%的硅烷醇基团[ξSiOH];[0044]其中R1独立地为Q至C3(l烃基,而R2独立地为Q至C2(l烃基;[0045]其中至少30重量%的非线性嵌段与另一个非线性嵌段交联,并聚集成纳米域,并且[0046]其中每个线性嵌段连接至至少一个非线性嵌段。[0047]在实施例31中,本发明涉及实施例29的光学组件,其中光学组件包括固态灯。[0048]在实施例32中,本发明涉及实施例29的光学组件,其中光学器件包括相干光源或不相干光源/部分相干光源。[0049]在实施例33中,本发明涉及实施例29的光学组件,其中光学器件包括不相干光源/部分相干光源。[0050]在实施例34中,本发明涉及实施例29的光学组件,其中不相干光源/部分相干光源包括LED。[0051]在实施例35中,本发明涉及实施例29或34中任一项的光学组件,其中组合物在光学器件上熔融使得组合物设置在光学器件上。[0052]在实施例36中,本发明涉及实施例35的光学组件,其中组合物与光学器件直接接触。[0053]在实施例37中,本发明涉及实施例29的光学组件,其中组合物是固化的。[0054]在实施例38中,本发明涉及实施例29的光学组件,其中光学组件包含荧光体。[0055]在实施例39中,本发明涉及实施例29或37中任一项的光学组件,其中组合物包含突光体。[0056]在实施例40中,本发明涉及实施例29-39中任一项的光学组件,其中二甲硅烷氧基单元具有式[(CH3)(C6H5)Si02/2]。[0057]在实施例41中,本发明涉及实施例29-40中任一项的光学组件,其中有机硅氧烷嵌段共聚物包含至少30重量%二甲硅烷氧基单元。[0058]在实施例42中,本发明涉及实施例29-41中任一项的光学组件,其中R2为苯基。[0059]在实施例42中,本发明涉及29-42中任一项的光学组件,其中组合物具有大于1.OMPa的抗张强度和大于20%的断裂伸长率百分比。[0060]在实施例44中,本发明涉及29-43中任一项的光学组件,其中组合物具有25°C至200°C的熔融流动温度。[0061]在实施例45中,本发明涉及实施例29-44中任一项的光学组件,其中组合物在25°C下具有0.OIMPa至500MPa的储能模量(G,)并且在25°C下具有0.OOlMPa至250MPa的损耗模量(G")。[0062]在实施例46中,本发明涉及实施例45的光学组件,其中组合物在120°C下具有10Pa至500,OOOPa的储能模量(G,)并且在120°C下具有10Pa至500,OOOPa的损耗模量(G,,)。[0063]在实施例47中,本发明涉及实施例45或46的光学组件,其中组合物在200°C下具有10Pa至100,OOOPa的储能模量(G')并且在200°C下具有5Pa至80,OOOPa的损耗模量(G,,)。[0064]在实施例48中,本发明涉及实施例29-47中任一项的光学组件,其中组合物具有大于95%的透光率,如使用45了1101003测定。[0065]在实施例49中,本发明涉及实施例29-48中任一项的光学组件,其中组合物具有大于1.4的折射率。[0066]在实施例50中,本发明涉及实施例29-49中任一项的光学组件,其中组合物包含超强碱。[0067]在实施例51中,本发明涉及实施例29-49中任一项的光学组件,其中组合物包含稳定剂。【专利附图】【附图说明】[0068]通过参考以下【具体实施方式】并结合附图描述,将认识到本发明的其他优点,同时更好地理解本发明。[0069]图1为可被包括在固态灯中或可形成固态灯的光学组件100的抽象实例的图像。[0070]图2为可被包括在固态灯中或可形成固态灯的光学组件200的抽象实例。[0071]图3为一系列封装LED在重新流动之前和重新流动之后的照片,如实例2中所述。顶部行显示了正常的显微图像,并且下面的行显示了交叉偏振的显微图像。[0072]图4为电线开路速率随各实例的热循环次数变化的曲线图。[0073]图5为实例2中所述的固体组合物的透射模式光学显微图。该显微图显示了均匀地分散在其中的荧光体。[0074]图6为实例2中所述的固体组合物的反射模式光学显微图。该显微图显示了均匀地分散在其中的荧光体。[0075]图7为示出了制备光学组件(例如固态灯)的方法的流程图。【具体实施方式】[0076]本公开提供了一种光学组件(如,固态灯)和形成该组件的方法。在一些实施例中,光学组件包括发光二极管和为固体的组合物(下文称为"固体组合物")。在一些实施例中,光学组件可在各种已知的应用中,光耦合器、光网络和数据传输、仪表板和开关、礼貌照明灯(courtesylighting)、转向和停止信号、家用电器、VCR/DVD/立体声/音频/视频设备、玩具/游戏仪表、安全设备、开关、建筑照明、标牌(如,信道字母)、机器视觉、零售展台、紧急照明、霓虹灯和灯泡更换、手电筒、重点照明、全色视频、单色留言板、交通、轨道和航空应用、移动电话、PDA、数码相机、笔记本电脑、医疗器械、条形码阅读器、色彩传感器和货币传感器、编码器、光开关、光纤通信,以及它们的组合。[0077]光学器件可包括相干光源(例如本领域中已知的各种激光)以及不相干光源/部分相干光源(例如发光二极管(LED)和各种类型的LED,包括半导体LED、有机LED、聚合物LED、量子点LED、红外LED、可见光LED(包括色光和白光)、紫外LED,以及它们的组合)。[0078]图1为可被包括在固态灯中或可形成固态灯的光学组件100的抽象实例的图像。光学组件包括由本文公开的组合物制成的封装件102、光学器件104(例如LED),每个光学器件均具有光学表面106并且均定位在基板108上。光学器件104被配置成从光学表面106发出光,例如通常垂直于光学表面106。封装件102可通过将组合物热压和压缩模塑至光学器件104来形成,如在具有圆顶形状腔体的模具中所示。如图所示的光学组件100还包括电极和/或电耦合器110和来自光学器件104的电线接头112。如图所示,封装件102的组合物与光学器件104直接接触,使得至少在一个位置中封装件102和光学器件104之间没有其他组合物或材料。在各种替代例子中,可将一种或多种另外的材料设置在封装件102和光学器件104之间。[0079]图2为可被包括在固态灯中或可形成固态灯的光学组件200的抽象实例。封装件202覆盖光学器件204(例如LED)。光学器件204具有光学表面206,在操作LED期间从该光学表面发出光。应当注意,光学组件并不限于固态灯。在某些例子中,光学器件204为光学检测器,而光学表面206接收而不是发出光。如图所示的光学器件204电耦合至电极(未不出)并且电稱合在电极之间,所述电极分别定位在第一基板208和相对于第一基板208至少部分分离的第二基板210上。[0080]光学组件100、200仅为示例性的而非限制性的。各种光学组件可用本文所公开的材料根据各种方法形成。光学组件可形成为各种规格并用于各种目的中的任何一种。[0081]本文所述的一些实施例的光学组件还可包括本领域中已知的通常与光学组件(包括固态灯)有关的一个或多个层或部件。例如,光学组件可包括一个或多个驱动器、光学器件、散热器、外壳、镜片、电源、固定装置、电线、电极、电路等等。[0082]光学组件还可包括基板和/或覆板。在一些情况下,基板可对光学组件的后表面提供保护,然而在一些情况下,覆板可对光学组件的前表面提供保护。基板和覆板可以相同或可以不同,并且各自可以独立地包含本领域已知的任何合适的材料。基板和/或覆板可以是柔软且柔韧的,或者可以是坚硬且刚性的。或者,基板和/或覆板可以包括坚硬且刚性的部分并同时包括柔软且柔韧的部分。基板和/或覆板可以是透光的,可以是不透明的,或可以是不透光的(即,可以是光不可通过的)。在一些实施例中,覆板是透光的。在一个实施例中,基板和/或覆板包括玻璃。在另一个实施例中,基板和/或覆板包括金属箔、聚酰亚胺、乙烯-醋酸乙烯共聚物、和/或有机含氟聚合物(包括但不限于乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE))、Tedlar?、聚酯/Tedlar?、Tedlar?/聚酯/Tedlar?、单独的或涂覆有硅和氧化材料(SiOx)的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet),以及它们的组合。在一个实施例中,基板还可定义为PET/Si〇X-PET/Al基板,其中X的值为1至4。[0083]基板和/或覆板可以是承重的或非承重的,并且可以被包括在光学组件的任何部分中。在一些实施例中,基板是承重的。在一些实施例中,基板可以是光学组件的"底层",其通常设置在发光二极管后面并充当机械支承件。或者,光学组件可包括第二或另外的基板和/或覆板。在一些实施例中,基板可以是光学组件的底层,而第二基板可以是顶层并充当覆板。在一些实施例中,第二基板(如,充当覆板的第二基板)是透光的(如,可见光、紫外光和/或红外光)并且定位在基板的顶部。第二基板可用于保护光学组件不受环境条件(例如雨、雪和热)的影响。在一个实施例中,第二基板充当覆板,并且是透光的刚性玻璃面板,并且用来保护光学组件的前表面。[0084]此外,光学组件还可包括一个或多个粘结层。一个或多个粘结层可设置在基板上,以例如使发光二极管粘附至基板。在一个实施例中,光学组件不包括基板并且不包括粘结层。粘结层可以是对紫外光、红外光和/或可见光透明的。然而,粘结层可以是不透光的或不透明的。粘结层可以是粘性的,并且可以是凝胶、黏胶、液体、糊剂、树脂或固体。在一个实施例中,粘结层为膜。[0085]在一些实施例中,光学组件可包含荧光体。荧光体不受限制并且可包括本领域中已知的任何荧光体。在一个实施例中,荧光体由主体材料和激活剂制成,例如铜激活硫化锌和银激活硫化锌。合适但不受限的主体材料包括锌、镉、锰、铝、硅或各种稀土金属的氧化物、氮化物、氮氧化物、硫化物、硒化物、齒化物或硅酸盐;或锌、镉、锰、铝、硅或各种稀土金属的此类氧化物、氮化物、氮氧化物、硫化物、硒化物、齒化物或硅酸盐的组合。另外的合适的荧光体包括但不限于Zn2Si04:Μη(硅锌矿)、ZnS:Ag+(Zn,Cd)S:Ag、ZnS:Ag+ZnS:Cu+Y202S:Eu、ZnO:Zn、KCl、ZnS:Ag,Cl或ZnS:Zn、(KF,MgF2):Mn、(Zn,Cd)S:Ag或(Zn,Cd)S:Cu、Y202S:Eu+Fe203,ZnS:Cu,Al、ZnS:Ag+C〇-〇n_Al203、(KF,MgF2):Mn、(Zn,Cd)S:Cu,Cl、ZnS:Cu或ZnS:Cu,Ag、MgF2:Mn、(Zn,Mg)F2:Mn、Zn2Si04:Mn,As、ZnS:Ag+(Zn,Cd)S:Cu、Gd202S:Tb、Y202S:Tb、Y3Al5012:Ce、Y2Si05:Ce、Y3Al5012:Tb、ZnS:Ag,Al、ZnS:Ag、ZnS:Cu,Al或ZnS:Cu,Au,Al、(Zn,Cd)S:Cu,Cl+(Zn,Cd)S:Ag,Cl、Y2Si05:Tb、Y20S:Tb、Y3(A1,Ga)5012:Ce、Y3(A1,Ga)5012:Tb、InB03:Tb、InB03:Eu、InB03:Tb+InB03:Eu、InB03:Tb+InB03:Eu+ZnS:Ag、(Ba,Eu)Mg2Al16027、(Ce,Tb)MgAln019、BaMgAl10017:Eu,Mn、BaMg2Al16027:Eu(II)、BaMgAl10017:Eu,Mn、BaMg2Al16027:Eu(II),Mn(II)、Ce0.67Tb033MgAln019:Ce,Tb、Zn2Si04:Mn,Sb203、CaSi03:Pb,Mn、CaW04(白钨矿)、CaW04:Pb、MgW04、(Sr,Eu,Ba,Ca)5(P04)3Cl、Sr5Cl(P04)3:Eu(II)、(Ca,Sr,Ba)3(P04)2Cl2:Eu、(Sr,Ca,Ba)ltl(P04)6Cl2:Eu、Sr2P207:Sn(II)、Sr6P5B02(l:Eu、Ca5F(P04)3:Sb、(Ba,Ti)2P207:Ti、3Sr3(P04)2.SrF2:Sb,Mn,Sr5F(P04)3:Sb,Mn,Sr5F(P04)3:Sb,MnaaP04:Ce,Tb,(La,Ce,Tb)P04;(La,Ce,Tb)P04:Ce,Tb>Ca3(P04)2.CaF2:Ce,Mn>(Ca,Zn,Mg)3(P04)2:Sn>(Zn,Sr)3(P04)2:Mn>(Sr,Mg)3(P04)2:Sn、(Sr,Mg)3(P04)2:Sn(II)、Ca5F(P04)3:Sb,Mn、Ca5(F,Cl)(P04)3:Sb,Mn、(Y,Eu)203、Y203:Eu(III)、Mg4(F)Ge06:Mn、Mg4(F)(Ge,Sn)06:Mn、Y(P,V)04:Eu、YV04:Eu、Y202S:Eu、3.5MgO·0·5MgF2·Ge02:Mn、Mg5As2On:Mn、SrAl207:Pb、LaMgAln019:Ce、LaP04:Ce、SrAl12019:Ce、BaSi205:Pb、SrFB203:Eu(II)、SrB407:Eu、Sr2MgSi207:Pb、MgGa204:Mn(II)、Gd202S:Tb、Gd202S:Eu、Gd202S:Pr、Gd202S:Pr,Ce,F、Y202S:Tb、Y202S:Eu、Y202S:Pr、Zn(0.5)Cd(0·4)S:Ag、Zn(0·4)Cd(0·6)S:Ag、CdW04、CaW04、MgW04、Y2Si05:Ce、YA103:Ce、Y3A15012:Ce、Y3(Al,Ga)5012:Ce、CdS:In、ZnO:Ga、ZnO:Zn、(Zn,Cd)S:Cu,A1、ZnS:Cu,Al,Au、ZnCdS:Ag,Cu、ZnS:Ag、蒽,EJ-212,Zn2Si04:Mn、ZnS:Cu、NaI:Tl、CsI:Tl、LiF/ZnS:Ag、LiF/ZnSCu,Al,Au,以及它们的组合。[0086]荧光体可存在于光学组件(如,固态灯)的任何部分中。在一个实施例中,荧光体存在于镜片中。在另一个实施例中,突光体存在于层中。在另一个实施例中,突光体存在于固体组合物(即,包含有机硅氧烷嵌段共聚物的固体组合物)自身中。[0087]返回进行参考,固体组合物是"固体",如本领域中所理解的。例如,固体组合物具有结构刚性、抗形状变化或体积变化,并且不是液体或凝胶。在一个例子中,固体组合物为膜。或者,固体组合物可为小球、带状物、片材、立方体等。固体组合物的维度不受限制,使得膜、片材、小球等可具有任何维度。[0088]固体组合物包含也可被描述为"树脂-线性"有机硅氧烷嵌段共聚物的有机硅氧烷嵌段共聚物。有机硅氧烷嵌段共聚物包含:[0089]40至90摩尔%由式[R^SiO^]表示的二甲硅烷氧基单元,[0090]10至60摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元,[0091]0·5至25摩尔%的硅烷醇基团[三SiOH];[0092]其中:[0093]R1独立地为Q至C3(l烃基,[0094]R2独立地为Q至C2(l烃基;[0095]其中:[0096]二甲硅烷氧基单元[R^SiO^]排列成线性嵌段,每个线性嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R^SiO^],[0097]三甲硅烷氧基单元[R2Si03/2]排列成非线性嵌段,每个非线性嵌段具有至少500克/摩尔的分子量,至少30%的非线性嵌段彼此交联并且主要聚集在一起成纳米域,每个线性嵌段连接至至少一个非线性嵌段;并且[0098]有机硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000克/摩尔的重均分子量,并且在25°C下为固体。[0099]本文描述的一些实施例的有机硅氧烷嵌段共聚物被称为"树脂-线性"有机硅氧烷嵌段共聚物,并且包括独立地选自(R3Si01/2)、(R2Si02/2)、(RSi03/2)或(Si04/2)甲硅烷氧基单元的甲硅烷氧基单元,其中R可以为任何有机基团。这些甲硅烷氧基单元常常分别称为M、D、T和Q单元。这些甲硅烷氧基单元可以按多种方式组合以形成环状、直链或支链的结构。取决于有机聚硅氧烷中的甲硅烷氧基单元的数目和类型,所得的聚合物结构的化学和物理性质有所变化。例如,"线性"有机聚硅氧烷通常主要包含D或(R2Si02/2)甲硅烷氧基单元,其得到作为具有不同粘度的流体的聚二有机硅氧烷,这取决于聚二有机硅氧烷中的D单元的数目所指示的"聚合度"或DP。"线性"有机聚硅氧烷通常具有低于25°C的玻璃化转变温度(Tg)。当大多数甲硅烷氧基单元选自T或Q甲硅烷氧基单元时,得到"树脂"有机聚硅氧烷。当主要使用T甲硅烷氧基单元来制备有机聚硅氧烷时,所得的有机硅氧烷通常被称为"树脂"或"倍半硅氧烷树脂"。增加有机聚硅氧烷中的T甲硅烷氧基单元或Q甲硅烷氧基单元的量通常得到具有增加的硬度和/或玻璃状性质的聚合物。因此,"树脂"有机聚硅氧烷具有较高的Tg值,例如硅氧烷树脂通常具有大于40°C的Tg值,如,大于50°C、大于60°C、大于70°C、大于80°C、大于90°C或大于100°C。在一些实施例中,硅氧烷树脂的Tg为约60°C至约100°C,如,约60°C至约80°C、约50°C至约100°C、约50°C至约80°C或约70°C至约100。。。[0100]本文所用的"有机硅氧烷嵌段共聚物"或"树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物"是指含有"线性"D甲硅烷氧基单元以及与之组合的"树脂"T甲硅烷氧基单元的有机聚硅氧烷。在一些实施例中,有机硅氧烷共聚物是"嵌段"共聚物,与"无规"共聚物相对。同样,所公开的实施例的"树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物"是指含有D和T甲硅烷氧基单元的有机聚硅氧烷,其中D单元(即,[R^SiO^]单元)主要键合在一起以形成在一些实施例中平均具有10至400个D单元(如,约10至约400个D单元、约10至约300个D单元、约10至约200个D单元、约10至约100个D单元、约50至约400个D单元、约100至约400个D单元、约150至约400个D单元、约200至约400个D单元、约300至约400个D单元、约50至约300个D单元、约100至约300个D单元、约150至约300个D单元、约200至约300个D单元、约100至约150个D单元、约115至约125个D单元、约90至约170个D单元或约110至约140个D单元)的聚合物链,其在本文称为"线性嵌段"。[0101]τ单元(S卩,[R2Si03/2])主要彼此键合形成支化聚合物链,其称为"非线性嵌段"。在一些实施例中,当提供固体形式的嵌段共聚物时,大量的这些非线性嵌段可进一步聚集形成"纳米域"。在一些实施例中,这些纳米域形成与由具有D单元的线性嵌段形成的相分离的相,使得形成树脂富集相。在一些实施例中,二甲硅烷氧基单元[R^SiO^]排列成线性嵌段,每个线性嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R^SiO^](如,约10至约400个D单元、约10至约300个D单元、约10至约200个D单元、约10至约100个D单元、约50至约400个D单元、约100至约400个D单元、约150至约400个D单元、约200至约400个D单元、约300至约400个D单元、约50至约300个D单元、约100至约300个D单元、约150至约300个D单元、约200至约300个D单元、约100至约150个D单元、约115至约125个D单元、约90至约170个D单元或约110至约140个D单元),并且三甲硅烷氧基单元[R2Si03/2]排列成具有至少500克/摩尔的分子量的非线性嵌段,并且至少30%的非线性嵌段彼此交联。[0102]上述式可替代性地描述为况與02/2]a[R2Si03/2]b,其中下标a和b表示有机硅氧烷嵌段共聚物中的甲硅烷氧基单元的摩尔份数。在这些式中,a可为0.4至0.9,或者0.5至0.9,或者0.6至0.9。另外,在这些式中,b可为0.1至0.6,或者0.1至0.5,或者0.1至0·4。[0103]上述二甲硅烷氧基单元式中的R1独立地为&至(:3(|烃基。该烃基可以独立地为烷基、芳基或烷芳基基团。如本文所用,烃基还包括卤素取代的烃基,其中卤素可为氯、氟、溴或它们的组合。R1可以是G至C3(l烧基基团,或者R1可以是G至C18烧基基团。或者R1可以是Q至C6烧基基团,例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基。或者R1可以是甲基。R1可以是芳基基团,例如苯基、萘基或蒽基基团。或者,R1可以是上述烷基或芳基基团的任何组合。或者,R1是苯基、甲基或这二者的组合。[0104]上述三甲硅烷氧基单元式中的每个R2独立地为Q至C2Q烃基。如本文所用,烃基还包括卤素取代的烃基,其中卤素可为氯、氟、溴或它们的组合。R2可以是芳基基团,例如苯基、萘基、蒽基基团。或者,R2可以是烷基基团,例如甲基、乙基、丙基或丁基。或者,R2可以是上述烷基或芳基基团的任何组合。或者,R2是苯基或甲基。[0105]有机硅氧烷嵌段共聚物可含有另外的甲硅烷氧基单元,例如Μ甲硅烷氧基单元、Q甲硅烷氧基单元、其他独特的D或Τ甲硅烷氧基单元(如具有非R1或R2的有机基团),只要该有机硅氧烷嵌段共聚物含有如上所述的二甲硅烷氧基和三甲硅烷氧基单元摩尔份数。换言之,由下标a和b所指定的摩尔份数之和不一定必须总和为1。a+b的和可小于1以允许可能存在于该有机硅氧烷嵌段共聚物中的其他甲硅烷氧基单元的量。例如,a+b的和可大于0.6、大于0.7、大于0.8、大于0.9、大于0.95或大于0.98或0.99。[0106]在一个实施例中,有机硅氧烷嵌段共聚物基本上由上述重量百分比的由式#如02/2表示的二甲硅烷氧基单元和由式R2Si03/2表示的三甲硅烷氧基单元组成,同时还包含0.5至25摩尔%的硅烷醇基团[=SiOH],其中R1和R2如上所述。因此,在该实施例中,a+b之和(当用摩尔份数来代表该共聚物中的二甲硅烷氧基和三甲硅烷氧基单元的量时)大于0.95,或者大于0.98。此外,在该实施例中,术语"基本上由…组成"描述了有机娃氧烷嵌段共聚物不含未在本文中描述的其他硅氧烷单元。[0107]如本文所述,式[R^SiCVJJI^SiCVdb以及使用摩尔份数的相关式,不限制二甲硅烷氧基R^SiO^和三甲硅烷氧基R2Si03/2单元在有机硅氧烷嵌段共聚物中的结构顺序。相反,这些式为描述这两种单元在有机硅氧烷嵌段共聚物中的相对量提供非限制性的表示法,依照上文通过下标a和b描述的摩尔份数。有机硅氧烷嵌段共聚物中的各种甲硅烷氧基单元的摩尔份数以及硅烷醇含量可通过29Si核磁共振(NMR)技术测定。[0108]在一些实施例中,以固体形式包含在固体组合物中的有机硅氧烷嵌段共聚物包含40至90摩尔%由式[R^SiOm]表示的二甲硅烷氧基单元,如,50至90摩尔%由式[R^SiO^]表示的二甲硅烷氧基单元、60至90摩尔%由式[R^SiO^]表示的二甲硅烷氧基单元、65至90摩尔%由式[R^SiOm]表示的二甲硅烷氧基单元、70至90摩尔%由式[R^SiOm]表示的二甲硅烷氧基单元、或80至90摩尔%由式[R^SiOm]表示的二甲硅烷氧基单元、40至80摩尔%由式[R^SiO%]表示的二甲硅烷氧基单元、40至70摩尔%由式况如02/2]表示的二甲硅烷氧基单元、40至60摩尔%由式[#如02/2]表示的二甲硅烷氧基单元、40至50摩尔%由式[R^SiO%]表示的二甲硅烷氧基单元、50至80摩尔%由式况如02/2]表示的二甲硅烷氧基单元、50至70摩尔%由式[#如02/2]表示的二甲硅烷氧基单元、50至60摩尔%由式[R^SiO%]表示的二甲硅烷氧基单元、60至80摩尔%由式[R^SiO^]表示的二甲硅烷氧基单元、60至70摩尔%由式[R^SiO^]表示的二甲硅烷氧基单元、或70至80摩尔%由式[R^SiOm]表示的二甲硅烷氧基单元。[0109]在一些实施例中,以固体形式包含在固体组合物中的有机硅氧烷嵌段共聚物包含1〇至60摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元,如,10至20摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元、10至30摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元、10至35摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元、10至40摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元、10至50摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元、20至30摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元、20至35摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元、20至40摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元、20至50摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元、20至60摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元、30至40摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元、30至50摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元、30至60摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元、40至50摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元、或40至60摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元。[0110]在一些实施例中,以固体形式包含在固体组合物中的有机硅氧烷嵌段共聚物包含0.5至25摩尔%硅烷醇基团[ΞSiOH](如,0.5至5摩尔%、0.5至10摩尔%、0.5至15摩尔%、0.5至20摩尔%、5至10摩尔%、5至15摩尔%、5至20摩尔%、5至25摩尔%、10至15摩尔%、10至20摩尔%、10至25摩尔%、15至20摩尔%、15至25摩尔%或20至25摩尔%)。在有机硅氧烷嵌段共聚物的树脂组分上存在的硅烷醇基团可允许有机硅氧烷嵌段共聚物在高温下进一步反应或固化或允许其交联。非线性嵌段的交联可通过多种化学机理和/或部分来实现。例如,有机硅氧烷嵌段共聚物中的非线性嵌段的交联可由该有机硅氧烷嵌段共聚物的非线性嵌段中存在的残余硅烷醇基团缩合而引起。[0111]在一些实施例中,以固体形式包含在固体组合物中的有机硅氧烷嵌段共聚物中的二甲硅烷氧基单元[R^SiO^]排列成平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元(如,约10至约400个二甲硅烷氧基单元、约10至约300个二甲硅烷氧基单元、约10至约200个二甲硅烷氧基单元、约10至约100个二甲硅烷氧基单元、约50至约400个二甲硅烷氧基单元、约100至约400个二甲硅烷氧基单元、约150至约400个二甲硅烷氧基单元、约200至约400个二甲硅烷氧基单元、约300至约400个二甲硅烷氧基单元、约50至约300个二甲硅烷氧基单元、约100至约300个二甲硅烷氧基单元、约150至约300个二甲硅烷氧基单元、约200至约300个二甲硅烷氧基单元、约100至约150个二甲硅烷氧基单元、约115至约125个二甲硅烷氧基单元、约90至约170个二甲硅烷氧基单元或约110至约140个二甲硅烷氧基单元)的线性嵌段。[0112]在一些实施例中,以固体形式包含在固体组合物中的有机硅氧烷嵌段共聚物中的非线性嵌段具有至少500克/摩尔(如,至少1000克/摩尔、至少2000克/摩尔、至少3000克/摩尔或至少4000克/摩尔)的数均分子量;或具有约500克/摩尔至约4000克/摩尔、约500克/摩尔至约3000克/摩尔、约500克/摩尔至约2000克/摩尔、约500克/摩尔至约1000克/摩尔、约1000克/摩尔至2000克/摩尔、约1000克/摩尔至约1500克/摩尔、约1000克/摩尔至约1200克/摩尔、约1000克/摩尔至3000克/摩尔、约1000克/摩尔至约2500克/摩尔、约1000克/摩尔至约4000克/摩尔、约2000克/摩尔至约3000克/摩尔或约2000克/摩尔至约4000克/摩尔的分子量。[0113]在一些实施例中,以固体形式包含在固体组合物中的有机硅氧烷嵌段共聚物中的至少30%的非线性嵌段彼此交联,如,至少40%的非线性嵌段彼此交联、至少50%的非线性嵌段彼此交联、至少60%的非线性嵌段彼此交联、至少70%的非线性嵌段彼此交联、或至少80%的非线性嵌段彼此交联。在其他实施例中,约30%至约80%的非线性嵌段彼此交联、约30%至约70%的非线性嵌段彼此交联、约30%至约60%的非线性嵌段彼此交联、约30%至约50%的非线性嵌段彼此交联、约30%至约40%的非线性嵌段彼此交联、约40%至约80%的非线性嵌段彼此交联、约40%至约70%的非线性嵌段彼此交联、约40%至约60%的非线性嵌段彼此交联、约40%至约50%的非线性嵌段彼此交联、约50%至约80%的非线性嵌段彼此交联、约50%至约70%的非线性嵌段彼此交联、约55%至约70%的非线性嵌段彼此交联、约50%至约60%的非线性嵌段彼此交联、约60%至约80%的非线性嵌段彼此交联、或约60%至约70%的非线性嵌段彼此交联。[0114]在一些实施例中,以固体形式包含在固体组合物中的有机硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000克/摩尔的重均分子量(Mw),或者至少40,000克/摩尔的重均分子量,或者至少50,000克/摩尔的重均分子量,或者至少60,000克/摩尔的重均分子量,或者至少70,000克/摩尔的重均分子量,或者至少80,000克/摩尔的重均分子量。在一些实施例中,以固体形式包含在固体组合物中的有机硅氧烷嵌段共聚物具有约20,000克/摩尔至约250,000克/摩尔或约100,000克/摩尔至约250,000克/摩尔的重均分子量(凡),或者约40,000克/摩尔至约100,000克/摩尔的重均分子量,或者约50,000克/摩尔至约100,000克/摩尔的重均分子量,或者约50,000克/摩尔至约80,000克/摩尔的重均分子量,或者约50,000克/摩尔至约70,000克/摩尔的重均分子量,或者约50,000克/摩尔至约60,000克/摩尔的重均分子量。在其他实施例中,以固体形式包含在固体组合物中的有机硅氧烷嵌段共聚物的重均分子量为40,000至100,000、50,000至90,000、60,000至80,000、60,000至70,000、100,000至500,000、150,000至450,000、200,000至400,000、250,000至350,000或250,000至300,000克/摩尔。在其他实施例中,有机硅氧烷嵌段共聚物具有40,000至60,000、45,000至55,000或约50,000克/摩尔的重均分子量。[0115]在一些实施例中,本文所述一些实施例的有机娃氧烧嵌段共聚物的数均分子量(Mn)为约15,000至约50,000克/摩尔、约15,000至约30,000克/摩尔、约20,000至约30,000克/摩尔、或约20,000至约25,000克/摩尔。[0116]在一些实施例中,上述有机硅氧烷嵌段共聚物例如通过浇注该嵌段共聚物在有机溶剂(如,苯、甲苯、二甲苯或它们的组合)中的溶液的膜并使该溶剂蒸发而以固体形式分离。在这种情况下,上述有机硅氧烷嵌段共聚物可作为包含约50重量%至约80重量%固体(如,约60重量%至约80重量%、约70重量%至约80重量%或约75重量%至约80重量%固体)的有机溶剂中的溶液来提供。在一些实施例中,溶剂为甲苯。在一些实施例中,此类溶液将具有在25°C下约1500厘沲至约4000厘沲,如,在25°C下约1500厘沲至约3000厘沲、约2000厘沲至约4000厘沲或约2000厘沲至约3000厘沲的粘度。[0117]在干燥或形成固体后,嵌段共聚物的非线性嵌段进一步聚集在一起形成"纳米域"。如本文所用,"主要聚集"是指有机硅氧烷嵌段共聚物的大部分非线性嵌段存在于固体组合物的某些区域,即本文所述的"纳米域"。如本文所用,"纳米域"是指固体嵌段共聚物组合物内的那些相区,所述相区在固体嵌段共聚物组合物内已相分离,并且至少一个维度尺寸为1至100纳米。该纳米域形状方面可有所变化,只要该纳米域的至少一个维度尺寸为1至100纳米。因而,该纳米域的形状可以是规则的或不规则的。该纳米域可以是球形、管形,以及在一些情形中为层状形状。[0118]在另外的实施例中,上述固体有机娃氧烧嵌段共聚物含有第一相和不相容的第二相,该第一相主要含有上文所定义的二甲硅烷氧基单元[R^SiO^],该第二相主要含有上文所定义的三甲硅烷氧基单元[R2Si03/2],非线性嵌段充分聚集成与第一相不相容的纳米域。[0119]当固体组合物由本文所述的一些实施例的有机硅氧烷嵌段共聚物的可固化组合物形成时,在一些实施例中,该固体组合物还包含有机硅氧烷树脂(如,不是嵌段共聚物的一部分的游离树脂),有机硅氧烷树脂还主要聚集在纳米域内。[0120]本公开固体嵌段共聚物中的二甲硅烷氧基单元和三甲硅烷氧基单元的结构顺序以及纳米域的表征,可用某些分析技术明确测定,如透射电子显微镜(TEM)技术、原子力显微技术(AFM)、小角中子散射、小角X射线散射和扫描电子显微技术。[0121]或者,该嵌段共聚物中的二甲硅烷氧基单元和三甲硅烷氧基单元的结构顺序以及纳米域的形成,可通过表征由来源于本发明有机硅氧烷嵌段共聚物的涂层的某些物理性质来暗示。例如,本发明有机硅氧烷共聚物可提供可见光光学透射率大于95%的涂层。本领域技术人员认识到,仅在可见光能够通过这样一种介质且不被尺寸大于150纳米的粒子(或如本文所用的域)衍射时该光学透明度是可能的(而不是两相的折射率匹配)。当粒度或域进一步降低时,该光学透明度可进一步改善。因此,源于本发明有机硅氧烷共聚物的涂层可具有至少95%的可见光光学透射率,如,至少96%、至少97%、至少98%、至少99%、或100%的可见光透射率。如本文所用,术语"可见光"包括波长大于350nm的光。[0122]本发明的固体组合物可包含相分离的"软"链段和"硬"链段,其分别来自于线性D单元的嵌段和非线性T单元嵌段的聚集体。这些相应的软链段和硬链段可通过不同的玻璃化转变温度(Tg)来测定或推断。因此,线性链段可被描述为通常具有低Tg(例如小于25°C,或者小于〇°C,或者甚至小于-20°C)的"软"链段。线性链段通常在多种条件下保持"流体"状行为。相反,非线性嵌段可被描述为具有较高的!;值(例如大于30°C,或者大于40°C,或者甚至大于50°C)的"硬链段"。[0123]本发明树脂-线性有机聚硅氧烷嵌段共聚物的优点是它们可处理数次,因为处理温度(Tfta)低于最终固化该有机硅氧烷嵌段共聚物所需的温度即,Taa〈T@ft。然而,当采用的Tfta高于T时,该有机硅氧烷共聚物将固化并实现高温稳定性。因而,本发明树脂-线性有机聚硅氧烷嵌段共聚物提供"可再加工"的显著优点以及通常与有机硅相关的有益效果,例如疏水性、高温稳定性、抗潮/抗UV性。[0124]在一个实施例中,将线性软嵌段硅氧烷单元,如,聚合度(dp)>2(如,dp>10、(^>50、(^>100、(^>150、或(^为约2至约150、(^为约50至约150、或(^为约70至约150)的线性软嵌段硅氧烷单元接枝至具有高于室温的玻璃化转变温度的线性或树脂的"硬嵌段"娃氧烷单元。在相关的实施例中,有机硅氧烷嵌段共聚物(如,硅烷醇封端的有机硅氧烷嵌段共聚物)与硅烷(例如甲基三乙酰氧基硅烷和/或甲基三肟硅烷)反应,然后与硅烷醇官能化的苯基倍半硅氧烷树脂反应。在其他实施例中,有机硅氧烷嵌段共聚物包含一个或多个软嵌段(如,玻璃化转变温度<25°C的嵌段)和一个或多个线性硅氧烷"预聚物"嵌段,在一些实施例中,该预聚物嵌段包含作为侧链的芳基基团(如,聚(苯基甲基硅氧烷))。在另一个实施例中,有机硅氧烷嵌段共聚物包含的PhMe-D含量>20摩尔%(如,>30摩尔%、>40摩尔%、>50摩尔%、或约20至约50摩尔%、约30至约50摩尔%、或约20至约30摩尔%)屮11]^-0(^>2(如,(^>10、(^>50、(^>100、(^>150、或(^为约2至约150、(^为约50至约150、或(1?为约70至约150);和/或?112-0/]^2-0>20摩尔%(如,>30摩尔%、>40摩尔%、>50摩尔%、或约20至约50摩尔%、约30至约50摩尔%、或约20至约30摩尔%),其中Ph2-D/Me2-D的摩尔比为约3/7。在一些实施例中,Ph2-D/Me2-D摩尔比为约1/4至约1/2,如,约3/7至约3/8。在其他实施例中,有机硅氧烷嵌段共聚物包含一个或多个硬嵌段(如,玻璃化转变温度>25°C的嵌段)和一个或多个线性或树脂硅氧烷,例如苯基倍半硅氧烷树脂,其可用于形成非粘性膜。[0125]在一些实施例中,包含树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物的固体组合物还包含超强碱催化剂。参见例如2012年12月14日提交的PCT专利申请No.PCT/US2012/069701和2012年12月14日提交的美国临时专利申请No.61/570,477,所述专利申请的全文以引用方式并入,视同在本文中完全示出。术语"超强碱"和"超强碱催化剂"在本文中可互换使用。在一些实施例中,包含超强碱催化剂的固体组合物与没有超强碱催化剂的类似组合物相比表现出增强的固化速率、改善的机械强度和提高的热稳定性。[0126]本文所用的术语"超强碱"是指具有非常高的碱度的化合物,例如二异丙基胺基锂。术语"超强碱"还包括由两种(或更多种)碱混合而形成的碱,从而产生具有固有新性质的新型碱性物质。术语"超强碱"并不一定是指热力学和/或动力学比另一个更强的碱。相反,在一些实施例中,其是指通过结合若干不同碱的特性而产生的碱性试剂。术语"超强碱"还包括相对于1,8-双-(二甲氨基)-萘具有较高绝对质子亲和力(APA=245.3千卡/摩尔)和固有气相碱度(GB=239千卡/摩尔)的任何物质。[0127]超强碱的非限制性例子包括有机超强碱、有机金属超强碱和无机超强碱。[0128]有机超强碱包括但不限于含氮化合物。在一些实施例中,含氮化合物还具有低亲核性和相对温和的使用条件。含氮化合物的非限制性例子包括磷腈、脒、胍和多环聚胺。有机超强碱还包括其中反应性金属已经替换为杂原子上的氢,所述杂原子例如氧(不稳定的醇盐)或氮(金属酰胺,例如二异丙基胺基锂)。在一些实施例中,超强碱催化剂为脒化合物。[0129]在一些实施例中,术语"超强碱"是指有机超强碱,其具有至少两个氮原子和约0.5至约11的pKb,如在水中测量的。例如,pKb为约0.5至约10、约1至约5、约6至约11、约3至约5、约0.5至约3或约2至约5,如在水中测量的。就pKa而言,在一些实施例中,超强碱具有约3至约13.5的pKa,如在水中测量的。例如,pKa为约5至约10、约5至约10、约8至约13.5、约6至约8、约10至约12或约9至约12,如在水中测量的。例如,1,4-二氮杂二环[2.2.2]辛烷(也称为0八8〇))的?1(3为2.97和8.82(因为其包含两个氮);并且1,8-二氮杂二环[5.4.0]i^一碳-7-烯(也称为DBU)的pKa为约12。参见例如http://evans.harvard.edu/pdf/evans_pka_table.pdf〇[0130]有机金属超强碱包括但不限于有机锂和有机镁(格氏试剂)化合物。在一些实施例中,以使其为非亲核的所必需的程度阻碍有机金属超强碱。[0131]超强碱还包括有机超强碱、有机金属超强碱和/或无机超强碱的混合物。此类混合超强碱的非限制性例子为施洛瑟碱(或曼弗雷德-施洛瑟碱),其是正丁基锂和叔丁醇钾的组合。正丁基锂和叔丁醇钾的组合形成与任一单独试剂相比更大反应性的混合聚集体,并具有与叔丁醇钾相比显著不同的性质。[0132]无机超强碱包括具有小的高电荷阴离子的盐类化合物。无机超强碱的非限制性例子包括氮化锂以及碱金属和碱土金属氢化物(包括氢化钾和氢化钠)。此类物质由于强的阳离子-阴离子相互作用而不溶于所有溶剂,但这些材料的表面是高反应性的并且可使用浆料。[0133]在本发明的某些实施例中,超强碱催化剂为有机超强碱,例如上文描述的或本领域中已知的任何有机超强碱。[0134]在另外的实施例中,超强碱催化剂包括:[0135]1,8-二氮杂二环[5.4.0]^碳_7_烯(DBU),(CAS#6674_22_2)[0136]1,5,7-三氮杂双环[4.4.0]癸-5-烯(TBD),(CAS#5807-14-7)[0137]1,4-二氮杂二环[2.2.2]辛烷(DABC0),(CAS#280-57-9)[0138]1,1,3,3-四甲基胍(TMG),(CAS#80-70_6)[0139]1,5-二氮杂二环[4·3·0]-5-壬烯(DBN),(CAS#3001-72-7)[0140]7-甲基-1,5,7-三氮杂双环[4.4.0]癸-5-烯(MTBD),(CAS#84030-20-6)[0141]或它们的组合。[0142]这些中每一者的结构如下所示:[0143]【权利要求】1.一种形成光学组件的方法,所述光学组件包括光学器件和包含树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物的组合物,所述方法包括结合所述光学器件和所述组合物以形成所述光学组件的步骤。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000克/摩尔的重均分子量,并且包含:以线性嵌段排列的40至90摩尔%由式[R^SiO^]表示的二甲硅烷氧基单元,每个线性嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R^SiO^];以非线性嵌段排列的10至60摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元,每个非线性嵌段具有至少500克/摩尔的重均分子量;以及0·5至25摩尔%的硅烷醇基团[=SiOH];其中R1独立地为Q至C3(l烃基,而R2独立地为Q至C2(l烃基;其中至少30重量%的所述非线性嵌段与另一个非线性嵌段交联,并聚集成纳米域,并且其中每个线性嵌段连接至至少一个非线性嵌段。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述光学组件包括固态灯。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述光学器件包括相干光源或不相干光源/部分相干光源。5.根据权利要求1所述的方法,其中所述光学器件包括不相干光源/部分相干光源。6.根据权利要求5所述的方法,其中所述不相干光源/部分相干光源包括LED。7.根据任一项前述权利要求所述的方法,其中所述结合步骤包括熔融所述组合物使得所述组合物设置在所述光学器件上。8.根据权利要求7所述的方法,其中所述组合物与所述光学器件直接接触。9.根据任一项前述权利要求所述的方法,还包括提供所述组合物在溶剂中的溶液的步骤。10.根据权利要求9所述的方法,还包括在结合所述光学器件和所述组合物的所述步骤之前移除所述溶剂以形成所述组合物的步骤。11.根据权利要求10所述的方法,还包括在移除所述溶剂的所述步骤之后和在结合所述光学器件和所述组合物的所述步骤之前使所述组合物形成为片材的步骤。12.根据任一项前述权利要求所述的方法,还包括固化所述组合物的步骤。13.根据权利要求12所述的方法,其中所述固化包括缩合固化。14.根据权利要求12所述的方法,其中所述固化步骤在高于所述组合物的所述熔融温度的温度下发生。15.根据任一项前述权利要求所述的方法,其中所述光学组件包含荧光体。16.根据权利要求15所述的方法,其中所述组合物包含荧光体。17.根据权利要求2-16中任一项所述的方法,其中所述二甲硅烷氧基单元具有式[(CH3)(C6H5)Si02/2]。18.根据权利要求2-17中任一项所述的方法,其中所述有机硅氧烷嵌段共聚物包含至少30重量%二甲硅烷氧基单元。19.根据权利要求2-18中任一项所述的方法,其中R2为苯基。20.根据任一项前述权利要求所述的方法,其中所述组合物具有大于1.OMPa的抗张强度和大于20%的断裂伸长率百分比。21.根据任一项前述权利要求所述的方法,其中所述组合物具有25°C至200°C的熔融流动温度。22.根据任一项前述权利要求所述的方法,其中所述组合物在25°C下具有0.OIMPa至500MPa的储能模量(G,)并且在25°C下具有0.OOlMPa至250MPa的损耗模量(G")。23.根据权利要求16所述的方法,其中所述组合物在120°C下具有10Pa至500,OOOPa的储能模量(G')并且在120°C下具有10Pa至500,000Pa的损耗模量(G")。24.根据权利要求16或17所述的方法,其中所述组合物在200°C下具有10Pa至100,OOOPa的储能模量(G')并且在200°C下具有5Pa至80,OOOPa的损耗模量(G")。25.根据任一项前述权利要求所述的方法,其中所述组合物具有大于95%的透光率,如使用ASTMD1003测定。26.根据任一项前述权利要求所述的方法,其中所述组合物具有大于1.4的折射率。27.根据任一项前述权利要求所述的方法,其中所述组合物包含超强碱。28.根据任一项前述权利要求所述的方法,其中所述组合物包含稳定剂。29.-种包括光学器件和包含树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物的组合物的光学组件。30.根据权利要求29所述的光学组件,其中所述树脂-线性有机硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000克/摩尔的重均分子量,并且包含:以线性嵌段排列的40至90摩尔%由式[R^SiO^]表示的二甲硅烷氧基单元,每个线性嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R^SiO^];以非线性嵌段排列的10至60摩尔%由式[R2Si03/2]表示的三甲硅烷氧基单元,每个非线性嵌段具有至少500克/摩尔的重均分子量;以及0·5至25摩尔%的硅烷醇基团[=SiOH];其中R1独立地为Q至C3(l烃基,而R2独立地为Q至C2(l烃基;其中至少30重量%的所述非线性嵌段与另一个非线性嵌段交联,并聚集成纳米域,并且其中每个线性嵌段连接至至少一个非线性嵌段。31.根据权利要求29所述的光学组件,其中所述光学组件包括固态灯。32.根据权利要求29所述的光学组件,其中所述光学器件包括相干光源或不相干光源/部分相干光源。33.根据权利要求29所述的光学组件,其中所述光学器件包括不相干光源/部分相干光源。34.根据权利要求29所述的光学组件,其中所述不相干光源/部分相干光源包括LED。35.根据权利要求29至34中任一项所述的光学组件,其中所述组合物在所述光学器件上熔融使得所述组合物设置在所述光学器件上。36.根据权利要求35所述的光学组件,其中所述组合物与所述光学器件直接接触。37.根据权利要求29所述的光学组件,其中所述组合物是固化的。38.根据权利要求29所述的光学组件,其中所述光学组件包含荧光体。39.根据权利要求29至37中任一项所述的光学组件,其中所述组合物包含荧光体。40.根据权利要求29至39中任一项所述的光学组件,其中所述二甲硅烷氧基单元具有式[(CH3)(C6H5)Si02/2]。41.根据权利要求29至40中任一项所述的光学组件,其中所述有机硅氧烷嵌段共聚物包含至少30重量%二甲硅烷氧基单元。42.根据权利要求29至41中任一项所述的光学组件,其中R2为苯基。43.根据权利要求29至42中任一项所述的光学组件,其中所述组合物具有大于1.OMPa的抗张强度和大于20%的断裂伸长率百分比。44.根据权利要求29至43中任一项所述的光学组件,其中所述组合物具有25°C至200°C的熔融流动温度。45.根据权利要求29至44中任一项所述的光学组件,其中所述组合物在25°C下具有0.OIMPa至500MPa的储能模量(G,)并且在25°C下具有0.OOlMPa至250MPa的损耗模量(G,,)。46.根据权利要求45所述的光学组件,其中所述组合物在120°C下具有10Pa至500,000Pa的储能模量(G')并且在120°C下具有10Pa至500,000Pa的损耗模量(G")。47.根据权利要求45或46所述的光学组件,其中所述组合物在200°C下具有10Pa至100,000Pa的储能模量(G')并且在200°C下具有5Pa至80,000Pa的损耗模量(G")。48.根据权利要求29至47中任一项所述的光学组件,其中所述组合物具有大于95%的透光率,如使用ASTMD1003测定。49.根据权利要求29至48中任一项所述的光学组件,其中所述组合物具有大于1.4的折射率。50.根据权利要求29至49中任一项所述的光学组件,其中所述组合物包含超强碱。51.根据权利要求29至49中任一项所述的光学组件,其中所述组合物包含稳定剂。【文档编号】C08G77/44GK104204119SQ201280070705【公开日】2014年12月10日申请日期:2012年12月20日优先权日:2011年12月30日【发明者】尼子雅章,S·斯维尔申请人:道康宁公司,道康宁东丽株式会社
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