本发明涉及羧酸酐的制造方法、羧酸酰亚胺的制造方法和电子照相感光构件的制造方法。
背景技术：
：例如二羧酸单酐和四羧酸二酐等的羧酸酐广泛地用作例如电子照相感光构件、光电转换元件和有机电场发光元件等的有机电子装置的材料，并且用作聚酰亚胺树脂的原料或中间体。例如，日本专利特开No.2014-29479公开了用于处理盒或电子照相设备的电子照相感光构件，并且在该公布中，通过四羧酸酐和胺的反应生产的四羧酸二酰亚胺用作电子输送物质。已经设计了通过加热固体二羧酸或四羧酸或通过在乙酸酐中加热二羧酸或四羧酸来生产羧酸酐的方法。日本专利特开No.62-59280公开了通过使用温度为240℃以上的热介质间接加热苯均四酸来将苯均四酸脱水的方法。日本专利特开No.1-50876公开了通过在250℃以上加热联苯四羧酸来将联苯四羧酸脱水的方法。技术实现要素：根据本发明的一个方面，一种羧酸酐的制造方法，其包括以下步骤(i)至(iii)：(i)在第一溶剂的存在下加热包含由式(1)表示的化合物的组合物从而生产由式(2)表示的羧酸酐：其中在式(1)和(2)中，Y表示二价至六价的有机基团，n表示2至6的整数，并且m表示1至3的整数；(ii)在第二溶剂的存在下加热包含选自由式(3)表示的化合物和由式(4)表示的化合物组成的组的至少一种化合物的组合物从而制备由式(5)表示的羧酸酐：其中在式(3)至(5)中，X1表示除去了四个羧基的四羧酸的残基；和(iii)在第三溶剂的存在下加热包含由式(6)表示的化合物的组合物从而生产由式(7)表示的羧酸酐：其中在式(6)和(7)中，R1表示选自由氢原子、烷基、卤素原子和羧基组成的组的原子或基团，R2表示选自由氢原子、烷基和卤素原子组成的组的原子或基团，并且X2表示除去了两个羧基的二羧酸的残基。在这些步骤中，所述溶剂包含沸点为50℃以上的非质子性极性溶剂。根据本发明的另一个方面，提供了一种羧酸酰亚胺的制造方法。在该方法中，使用通过以上方法生产的羧酸酐。根据本发明的又一个方面，提供了一种电子照相感光构件的制造方法，所述电子照相感光构件包括支承构件、遍及所述支承构件的底涂层和在所述底涂层上的感光层。所述方法包括：制备包含通过前述方法生产的羧酸酰亚胺的底涂层形成用涂布液；和通过施涂所述底涂层形成用涂布液从而形成涂膜并且干燥所述涂膜来形成所述底涂层。本发明的进一步特征将参考附图从示例性实施方案的以下说明而变得明显。附图说明图1是装配有包括电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的结构的示意图。图2是重影检测图案的说明性代表。图3是在如国际象棋桂马移动的点图案中的半色调图像的说明性代表。具体实施方式在以上引用的日本专利特开No.62-59280和No.1-50876中公开的通过加热固体二羧酸或四羧酸来生产羧酸酐的方法在高温下进行并且因此需要大量的用于加热的能量。当在高温下生产羧酸酐时，所得产物在一些情况下会被着色，或会产生副产物。同时，当使用例如乙酸酐等的酸时，需要耐酸设备和酸的处理。因此，本发明提供了新型的羧酸酐的制造方法和羧酸酰亚胺的制造方法。同时，本发明涉及提供可以形成高品质图像的电子照相感光构件的制造方法。本发明人通过其深入研究已经设计了在低温下或在不使用酸性溶剂的情况下的羧酸酐的制造方法。方法之一使用包含由以下式(1)表示的化合物的组合物：在式(1)中，Y表示二价至六价的有机基团，n表示2至6的整数。将组合物在溶剂的存在下加热，由此生产了由以下式(2)表示的羧酸酐：在式(2)中，Y表示二价至六价的有机基团，并且m表示1至3的整数。溶剂包含沸点为50℃以上的非质子性极性溶剂。用于生产羧酸酐的本发明的选择性方法使用包含选自由式(3)表示的化合物和由式(4)表示的化合物组成的组的至少一种化合物的组合物：将组合物在溶剂的存在下加热，由此生产了由式(5)表示的羧酸酐(四羧酸二酐)：溶剂包含沸点为50℃以上的非质子性极性溶剂。在式(3)至(5)中，X1表示通过从四羧酸除去四个羧基形成的四羧酸的残基。在本发明的另一个实施方案中，羧酸酐的制造方法使用包含由以下式(6)表示的化合物的组合物：将组合物在溶剂的存在下加热，由此生产了由式(7)表示的羧酸酐(羧酸单酐)：溶剂包含沸点为50℃以上的非质子性极性溶剂。在式(6)和(7)中，R1表示选自由氢原子、烷基、卤素原子和羧基组成的组的原子或基团。R2表示选自由氢原子、烷基和卤素原子组成的组的原子或基团。X2表示通过从二羧酸除去两个羧基形成的的二羧酸的残基。根据本发明的方法，羧酸酐可以在低温下或在不使用酸性溶剂的情况下来生产。本发明人推测羧酸酐在低温下或在不使用酸性溶剂的情况下生产的原因如下。在本发明的方法中，非质子性极性溶剂用作包含由式(1)表示的化合物的组合物的溶剂。推测的是，非质子性极性溶剂减弱了在由式(1)表示的化合物的分子中的羧基之间的氢键，由此降低了脱水所需要的能量。本发明人认为脱水反应因此即使在低温下或在不使用酸性溶剂的情况下也进行从而生产羧酸酐。虽然低温反应趋于花费长时间，但脱水反应可以在相对短的时间内在低温下进行，这是因为非质子性极性溶剂的沸点是50℃以上(加热温度可以是50℃以上)。生产羧酸酐的原料根据本发明的实施方案的生产羧酸酐的原料组合物包含选自由以下组成的组的至少一种化合物：(I)由式(1)、(3)和(6)的任何之一表示的化合物(多价羧酸)；和(II)由式(4)表示的化合物(具有羧基的羧酸酐)。例如，组合物可以包含二羧酸和三羧酸，或包含四羧酸和四羧酸单酐。组合物可以进一步包含不含有羧基的羧酸酐。由式(1)表示的羧酸的实例包括六羧酸、五羧酸、四羧酸、三羧酸和二羧酸。六羧酸可以是苯六羧酸。五羧酸可以是苯五羧酸。在式(1)和(2)中，有机基团Y可以进一步包含选自由氢原子、卤素原子、氰基、硝基、羧酸酯基、和取代或未取代的烷基组成的组的原子或官能团。由式(3)表示的化合物(四羧酸)可以是芳香族四羧酸。芳香族四羧酸的实例包括1,2,3,4-苯四羧酸、1,2,4,5-苯四羧酸、2,2',3,3'-联苯四羧酸、3,3',4,4'-联苯四羧酸、2,3,3',4'-联苯四羧酸、3,3',4,4'-对三联苯四羧酸、2,2',3,3'-对三联苯四羧酸、2,3,3',4'-对三联苯四羧酸、1,2,4,5-萘四羧酸、1,2,5,6-萘四羧酸、1,4,5,8-萘四羧酸、2,3,6,7-萘四羧酸、2,3,6,7-蒽四羧酸和3,4,9,10-苝四羧酸。由式(4)表示的化合物可以是芳香族四羧酸单酐。芳香族四羧酸单酐的实例包括1,2,3,4-苯四羧酸1,2-单酐、1,2,4,5-苯四羧酸1,2-单酐、2,2',3,3'-联苯四羧酸2,3-单酐、3,3',4,4'-联苯四羧酸3,4-单酐、2,3,3',4'-联苯四羧酸2,3-单酐、3,3',4,4'-对三联苯四羧酸3,4-单酐、2,2',3,3'-对三联苯四羧酸2,3-单酐、2,3,3',4'-对三联苯四羧酸2,3-单酐、1,2,4,5-萘四羧酸1,2-单酐、1,2,5,6-萘四羧酸1,2-单酐、1,4,5,8-萘四羧酸1,8-单酐、2,3,6,7-萘四羧酸2,3-单酐、2,3,6,7-蒽四羧酸2,3-单酐和3,4,9,10-苝四羧酸3,4-单酐。由式(5)表示的化合物可以是芳香族四羧酸二酐。芳香族四羧酸二酐的实例包括1,2,3,4-苯四羧酸二酐、1,2,4,5-苯四羧酸二酐、2,2',3,3'-联苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-联苯四羧酸二酐、3,3',4,4'-对三联苯四羧酸二酐、2,2',3,3'-对三联苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-对三联苯四羧酸二酐、1,2,4,5-萘四羧酸二酐、1,2,5,6-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-萘四羧酸二酐、2,3,6,7-蒽四羧酸二酐和3,4,9,10-苝四羧酸二酐。由式(6)表示的化合物可以是芳香族二羧酸或三羧酸。芳香族二羧酸的实例包括1,8-萘二羧酸、2,3-萘二羧酸、4-甲基邻苯二甲酸、4-溴邻苯二甲酸、4,5-二氯邻苯二甲酸和4-三氟甲基邻苯二甲酸。芳香族三羧酸的实例包括偏苯三酸和1,2,3-苯三羧酸。有利地，在式(1)和(2)中的Y、在式(3)至(5)中的X1、和在式(6)和(7)中的X2各自是由以下式(10)、(11)和(12)的任何之一表示的基团。由式(12)表示的基团是更有利的。当Y、X1和X2各自是由式(10)至(12)的任何之一表示的基团时，在分子中的羧基脱水所需要的能量可以有效地减少。本发明人推测，这是因为由这些式表示的基团使式(1)、(3)、(4)或(6)的化合物形成其中羧基易于导致脱水反应的分子结构。非质子性极性溶剂在本发明的方法中，将原料组合物在非质子性极性溶剂中加热。非质子性溶剂是不具有解离性氢原子的溶剂。同时，非质子性极性溶剂是具有大的偶极矩和高的介电常数的非质子性溶剂。两种以上的非质子性极性溶剂可以以组合使用，而不限于使用单一种类的非质子性极性溶剂。如果两种以上的非质子性极性溶剂以组合使用，则此处提及的"非质子性极性溶剂的沸点"是指非质子性极性溶剂的最低沸点。非质子性极性溶剂包括脂肪酸酯、酰胺、亚砜和酮。非质子性极性溶剂的实例将在以下列出，但不限于列出的溶剂。示例性脂肪酸酯包括乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸异丙酯、乙酸丁酯、乙酸戊酯、丙酸甲酯、戊酸甲酯、戊酸乙酯、己酸甲酯、己酸乙酯、庚酸甲酯、庚酸乙酯、正辛酸甲酯和正辛酸乙酯。酰胺可以由以下式(8)表示：在式(8)中，R3和R4各自表示烷基，并且R5表示氢原子或烷基。更具体地，由式(8)表示的化合物的实例包括N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺和N,N-二甲基乙酰胺。亚砜可以由以下式(9)表示：在式(9)中，R6和R7各自表示烷基。更具体地，由式(9)表示的化合物可以是二甲亚砜。示例性酮包括丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、异丙基甲基酮、二异丙基酮、叔丁基甲基酮、2-戊酮、3-戊酮、2-庚酮、4-庚酮、环丁酮、环戊酮和环己酮。在式(8)和(9)的化合物中的由R3至R7表示的烷基包括甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、和叔丁基。除了非质子性极性溶剂以外的溶剂从将阻害脱水反应的水从反应液减少从而促进反应的观点，除了非质子性极性溶剂以外，溶剂可以进一步包含选自由烃、含卤素的溶剂和醚组成的组的至少一种溶剂。这些另外的溶剂可以单独或以组合使用。对另外的溶剂的量没有特别限制，只要可以生产羧酸酐即可。例如，相对于非质子性极性溶剂的量，其可以是0.5至20倍，例如1至10倍。烃包括芳香族烃和脂族烃。脂族烃可以是链状烃或脂环族烃。芳香族烃的实例包括甲苯、邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、异丙基苯、1,3,5-三甲基苯、对异丙基苯甲烷、1,2,4,5-四甲基苯和叔丁基苯。链状脂族烃的实例包括戊烷、己烷、和辛烷。脂环族烃的实例包括环己烷、甲基环己烷、乙基环己烷、环庚烷和环辛烷。含卤素的溶剂的实例包括氯仿、氯苯、溴苯、1,2-二氯苯、1,3-二氯苯和1,2,4-三氯苯。醚的实例包括二丙基醚、二异丙基醚和二丁基醚。在本发明的方法中的反应在可以生产羧酸酐的范围内的温度下进行，并且反应温度可以是，但不限于，50℃至180℃，优选50℃至150℃，例如50℃至130℃。当反应温度在此类范围内时，反应可以在其中所得羧酸酐不易于分解的工业有利的条件下进行。对用于本发明的方法中的溶剂的量没有特别限制，只要可以生产羧酸酐即可，并且相对于原料组合物的质量，溶剂的比例可以是1质量％至50质量％。有利地，其为1质量％至30质量％，例如1质量％至20质量％。反应时间在其中可以生产羧酸酐的范围内，并且其可以是，但不限于，0.1至30小时，例如0.1至20小时。反应可以在常压、加压或减压下并且有利地在例如氮气等的惰性气体的气氛中进行。包含选自由多价羧酸和含羧基的羧酸酐组成的组的至少一种的用于本发明的方法中的组合物可以通过已知方法来合成，并且可商购自例如TokyoChemicalIndustry、Sigma-Aldrich或WakoPureChemicalIndustries。羧酸酰亚胺的制造方法通过本发明的方法生产的羧酸酐可以用于通过与胺缩合来生产羧酸酰亚胺。羧酸酰亚胺的合成方法公开于例如日本专利特开No.2007-108670和NIHONGAZOGAKKAISHI(JournaloftheImagingSocietyofJapan(日本图像学会学报)，日本)45(6),521-525(2006)。两种以上的胺可以用于缩合反应，而不限于使用单一种类的胺。羧酸酐用于合成羧酸酰亚胺减少了副产物的量。羧酸酰亚胺可以用作例如光电转换元件和有机电场发光元件等的有机电子装置的材料，并且用于电子照相感光构件。特别地，从生产工业有用的四羧酸二酰亚胺的观点，期望羧酸酐为四羧酸酐。电子照相感光构件和其制造方法通常，电子照相感光构件包括支承构件和在支承构件上的感光层。负带电的电子照相感光构件包括包含电荷产生物质和空穴输送物质的感光层。包含电荷产生物质和空穴输送物质的感光层可以具有包括从支承构件依序形成的包含电荷产生物质的电荷产生层和包含空穴输送物质的空穴输送层的多层结构，或可以定义为一起包含电荷产生物质和空穴输送物质的单层。如果感光层(电荷产生层)直接设置在支承构件上，则感光层会从支承构件剥离，或在支承构件的表面中或表面上的缺陷(例如裂纹等的形状缺陷或例如杂质等的材料缺陷)会导致例如黑点或白点形式的图像缺陷。为了解决这些问题，很多感光构件在感光层与支承构件之间具有底涂层(可以称为中间层)。羧酸酰亚胺可以包含于底涂层、感光层和电荷产生层以及空穴输送层的任何中，并且有利地在底涂层中。电子照相感光构件的制造方法包括：制备底涂层形成用涂布液，和通过形成底涂层形成用涂布液的涂膜并且干燥该涂膜来形成底涂层。羧酸酰亚胺包含于底涂层形成用涂布液中。包括通过本发明的方法制造的底涂层的电子照相感光构件可以提供良好的电子照相性并且可以特别地抑制正重影。有利地，用于根据本发明的电子照相感光构件的制造方法的羧酸酰亚胺是四羧酸二酰亚胺。支承构件期望支承构件是导电性的(导电性支承构件)，并且可以由例如铝、镍、铜、金或铁等的金属或其合金制成。选择性地，由例如聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺或玻璃制成的绝缘性支承构件可以覆盖有由例如铝、银或金制成的金属薄膜或由例如氧化铟或氧化锡制成的任何其它导电性薄膜。支承构件可以进行表面处理从而改善电性能并且抑制在使用例如半导体激光等的相干光照射时易于发生的干涉条纹。此类表面处理可以通过湿式珩磨、冲击、切削或例如阳极氧化等的电化学操作来进行。支承构件可以在其上设置有导电层。导电层可以通过将包含分散在树脂中的导电性颗粒的导电层形成用涂布液施涂至支承构件的表面上，并且将在支承构件上的涂膜干燥来形成。导电性颗粒的实例包括炭黑，乙炔黑，例如铝、镍、铁、镍铬铁合金(Nichrome)、铜、锌或银的金属的粉末，和例如导电性氧化锡或ITO的金属氧化物的粉末。用于导电层的树脂可以是聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、丙烯酸系树脂、硅树脂、环氧树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、酚醛树脂或醇酸树脂。用于导电层用涂布液的溶剂可以是醚系溶剂、醇系溶剂、酮系溶剂、或芳香族烃。导电层的厚度可以在0.2μm至40μm的范围内。底涂层底涂层设置在电荷产生层与支承构件之间。在本发明中，底涂层包含羧酸酰亚胺并且遍及支承构件形成。底涂层可以通过施涂底涂层形成用涂布液，并且干燥涂膜来形成。从促进底涂层的形成和改善底涂层的电性能的观点，除了上述羧酸酰亚胺以外，底涂层可以进一步包含树脂、交联剂、有机颗粒、无机颗粒、流平剂、或其它添加剂。相对于底涂层的总质量，在底涂层中的这些添加剂的含量期望地为小于50质量％，更期望地为小于20质量％。交联剂任何交联剂可以添加至底涂层，只要其参与底涂层的材料的交联即可。交联剂的实例包括，但不限于，以下列出的异氰酸酯化合物和胺化合物。多种交联剂可以以组合使用。有利地，异氰酸酯化合物具有两个以上的异氰酸酯基或封端的异氰酸酯基。此类异氰酸酯化合物的实例包括：苯三异氰酸酯、甲基苯三异氰酸酯、三苯基甲烷三异氰酸酯、和赖氨酸三异氰酸酯；例如甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、二环己基甲烷二异氰酸酯、萘二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、亚二甲苯基二异氰酸酯、2,2,4-三甲基六亚甲基二异氰酸酯、甲基-2,6-二异氰酸酯己酸酯和降冰片烷二异氰酸酯等的二异氰酸酯的异氰脲酸酯改性、缩二脲改性或脲基甲酸酯改性的化合物；这些二异氰酸酯的三羟甲基丙烷加成物或季戊四醇加成物。异氰脲酸酯改性的化合物和加成物是特别有利的。可以用作交联剂的示例性可商购的异氰酸酯化合物包括：异氰酸酯系交联剂，例如由AsahiKasei生产的DURANATE系列MFK-60B和SBA-70B和由SumikaBayerUrethane生产的DESMODUR系列BL3175和BL3475；胺基系交联剂，例如由MitsuiChemicals生产的U-VAN系列20SE60和220和由DIC生产的SuperBeckamine系列L-125-60和G-821-60；和丙烯酸系交联剂，例如由HitachiChemical生产的FANCRYL系列FA-129AS和FA-731A。有利地，用作交联剂的胺化合物具有两个以上的N-羟甲基或烷基醚化的N-羟甲基。此类胺化合物的实例包括羟甲基化的三聚氰胺、羟甲基化的胍胺、羟甲基化的尿素衍生物、羟甲基化的亚乙基脲衍生物、羟甲基化的甘脲、具有烷基醚化的N-羟甲基部位的化合物、和这些化合物的衍生物。可以用作交联剂的示例性可商购的胺化合物包括SuperMelamiNo.90(由NOF生产)；SuperBeckamine(R)系列TD-139-60、L-105-60、L-127-60、L-110-60、J-820-60、G-821-60、L-148-55、13-535、L-145-60和TD-126(各自由DIC生产)；U-VAN2020(由MitsuiChemicals生产)；SumitexResinM-3(由SumitomoChemical生产)；和NIKALAC系列MW-30、MW-390、MX-750LM、BL-60、BX-4000、MX-280、MX-270和MX-290(由NipponCarbide生产)。树脂可以添加至底涂层的树脂的实例包括，但不限于，聚醚-多元醇树脂、聚酯-多元醇树脂、聚丙烯酸系多元醇树脂、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、聚酰胺树脂、含羧基的树脂、多胺树脂、和多硫醇树脂。这些树脂的一些可以以组合使用。包含羧酸酰亚胺和交联剂的底涂层形成用涂布液可以进一步包含用于固化涂布液的具有聚合性官能团的树脂。固化的涂布液防止羧酸酰亚胺分解。示例性可商购的具有聚合性官能团的树脂包括：聚醚-多元醇树脂，例如AQD-457和AQD-473(由NipponPolyurethaneIndustry生产)和SANNIXGP系列GP-400和GP-700(由SanyoChemicalIndustries生产)；聚酯-多元醇树脂，例如PhthalkydW2343(由HitachiChemical生产)、WATERSOL系列S-118和CD-520(由DIC生产)、和HARIDIPWH-1188(由HarimaChemicals生产)；聚丙烯酸系多元醇树脂，例如BURNOCK系列WE-300和WE-304(由DIC生产)；聚乙烯醇树脂，例如POVALPVA-203(由Kuraray生产)；聚乙烯醇缩醛树脂，例如BX-1、BM-1、KS-1和KS-5(由SekisuiChemical生产)；聚酰胺树脂，例如ToresinFS-350(由NagaseChemtex生产)；含羧基的树脂，例如AQUALIC(由NipponShokubai生产)和FINELEXSG2000(由Namariichi生产)；多胺树脂，例如LUCKAMIDE(由DIC生产)；和多硫醇树脂，例如QE-340M(由Toray生产)。感光层底涂层在其上设置有包含电荷产生物质和空穴输送物质的感光层。感光层可以具有包括从支承构件依序形成的包含电荷产生物质的电荷产生层和包含空穴输送物质的空穴输送层的多层结构，或可以定义为一起包含电荷产生物质和空穴输送物质的单层。电荷产生层和空穴输送层各自可以包括多个层。电荷产生物质的实例包括：例如单偶氮颜料、双偶氮颜料和三偶氮颜料等的偶氮颜料；例如苝羧酸酐和苝羧酸酰亚胺等的苝颜料；例如蒽醌衍生物、蒽嵌蒽醌衍生物、二苯并芘醌衍生物、皮蒽酮染料衍生物、紫蒽酮衍生物、和异紫蒽酮衍生物等的醌颜料；例如靛蓝衍生物和硫靛衍生物等的靛蓝类颜料；例如金属酞菁和非金属酞菁等的酞菁颜料；和例如双苯并咪唑衍生物等的芘酮(perinone)颜料。其中，偶氮颜料和酞菁颜料是有利的。有利的酞菁颜料包括氧钛酞菁、氯镓酞菁、和羟基镓酞菁。如果感光层具有多层结构，则用于电荷产生层的粘结剂树脂可以选自例如苯乙烯、乙酸乙烯酯、氯乙烯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、偏二氟乙烯、和三氟乙烯等的乙烯基化合物的聚合物或共聚物；和聚乙烯醇、聚乙烯醇缩醛、聚碳酸酯、聚酯、聚砜、聚苯醚、聚氨酯、纤维素树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、硅树脂、和环氧树脂。其中，聚酯、聚碳酸酯和聚乙烯醇缩醛是有利的。聚乙烯醇缩醛是特别有利的。在电荷产生层中，电荷产生物质与粘结剂树脂的质量比(电荷产生物质的质量/粘结剂树脂的质量)可以在10/1至1/10，例如5/1至1/5的范围内。电荷产生层的厚度可以在0.05μm至5μm的范围内。在空穴输送层中的空穴输送物质的实例包括多环芳香族化合物、杂环化合物、腙化合物、苯乙烯基化合物、联苯胺化合物、三芳基胺化合物、和三苯基胺。选择性地，电荷输送物质可以是在主链或侧链中具有来源自这些化合物的基团的聚合物。如果感光层具有多层结构，则用于空穴输送层的粘结剂树脂可以选自聚酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚芳酯、聚砜和聚苯乙烯。其中，聚碳酸酯和聚芳酯是有利的。粘结剂树脂的重均分子量(Mw)可以在10,000至300,000的范围内。在空穴输送层中，空穴输送物质与粘结剂树脂的质量比(空穴输送物质的质量/粘结剂树脂的质量)可以在10/5至3/10，例如10/8至6/10的范围内。另外的层可以在支承构件与底涂层之间或在底涂层与感光层之间形成。另外的层可以是通过将金属氧化物或炭黑的导电性颗粒分散在树脂中形成的导电层、或不包含具有聚合性基团的树脂的第二底涂层。感光构件的空穴输送层可以在其上设置有包含粘结剂树脂和导电性颗粒或空穴输送物质的保护层(表面保护层)。保护层可以进一步包含例如润滑剂等的添加剂。在保护层中的粘结剂树脂可以具有导电性或空穴输送性。在此情况下，除了粘结剂树脂以外，保护层不需要包含导电性颗粒或空穴输送物质。在保护层中的粘结剂树脂可以是热塑性的，或可以是通过热、光或辐射(例如，电子束)可固化的树脂。层的形成例如底涂层、电荷产生层和空穴输送层等的电子照相感光构件的各层可以通过施涂通过将层的材料溶解或分散在溶剂中制备的涂布液从而形成涂布液的涂膜来形成。期望将涂膜干燥和/或固化。涂布液可以通过浸渍(浸涂法)、喷涂法、帘式涂布法、或旋涂法来施涂。从效率性和生产性的观点，浸涂法是有利的。处理盒和电子照相设备图1是装配有包括电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的结构的示意图。将图1中示出的电子照相设备的电子照相感光构件1在预定的圆周速度下沿着由对应箭头表示的方向围绕旋转轴2驱动旋转。将电子照相感光构件1的表面(周面)使用充电装置3(例如，接触型一次充电装置或非接触型一次充电装置)均匀地充电至预定的正或负电位来旋转。然后，将均匀充电的表面或周面曝光至来自例如狭缝曝光装置或激光束扫描曝光装置等的曝光装置(图像曝光装置，未示出)的光(图像曝光光)4。因此，对应于期望的图像的静电潜像在电子照相感光构件1的表面上依次形成。形成在电子照相感光构件1的表面上的静电潜像然后使用包含于显影装置5(例如接触型显影装置或非接触型显影装置)中的调色剂显影为调色剂图像。将所得调色剂图像使用转印装置6(例如转印充电器)依次转印至转印介质7(例如纸)。转印介质7与电子照相感光构件1的旋转同步地从转印介质供给部(未示出)供给至在电子照相感光构件1与转印装置6之间的部分。已经转印了调色剂图像的转印介质7从电子照相感光构件1的表面分离并且导入用于定影调色剂图像的定影装置8中，由此作为复印制品(复印品)排出。将调色剂图像已经转印至转印介质的电子照相感光构件1的表面使用清洁装置9来清洁从而从其除去转印之后残留的调色剂等。然后，电子照相感光构件1的表面预曝光至来自预曝光装置(未示出)的预曝光光(未示出)从而在重复用于形成图像之前除去静电。充电装置3可以是使用电晕放电的高压舱型或电晕管充电器，或包括辊、刮板或刷形式的充电构件的接触型充电器。在本发明的实施方案中，电子照相感光构件1和选自充电装置3、显影装置5和清洁装置9的至少一种一体化为盒。处理盒可以可拆卸地安装至电子照相设备的主体。例如，选自充电装置3、显影装置5、转印装置6和清洁装置9的至少一种与电子照相感光构件1一体化为盒。该盒可以由作为轨道11和12的导轨引导，由此用作可拆卸自电子照相设备的主体的处理盒10。实施例本发明的主旨将参考实施例和比较例详细地进一步描述，但其不限于实施例。此处使用的术语"份"是指"质量份"。用于实施例和比较例的溶剂的沸点在表1中示出。表1溶剂沸点N,N-二甲基乙酰胺166℃N,N-二甲基甲酰胺153℃N,N-二乙基甲酰胺177℃二甲亚砜189℃乙酸甲酯58℃乙酸乙酯77℃乙酸丙酯101℃乙酸异丙酯89℃己酸甲酯150℃己酸乙酯167℃庚酸甲酯172℃庚酸乙酯188℃正辛酸甲酯194℃正辛酸乙酯208℃环己酮156℃丙酮56℃甲苯111℃邻二甲苯144℃间二甲苯139℃对二甲苯138℃异丙基苯152℃1,3,5-三甲基苯165℃对异丙基苯甲烷177℃1,2,4,5-四甲基苯197℃叔丁基苯168℃氯苯132℃邻二氯苯180℃辛烷126℃环己烷81℃甲基环己烷101℃乙基环己烷132℃环庚烷118℃环辛烷149℃甲缩醛42℃己烷69℃将用于生产羧酸酐的材料和所得羧酸酐通过核磁共振光谱法(NMR)来鉴别。同时，将羧酸酰亚胺通过核磁共振光谱法(NMR)和质谱法来鉴别。NMR和质谱法如下进行。核磁共振光谱法(NMR)将各样品的结构使用傅里叶变换核磁共振光谱仪(FT-NMR，Bruker制造的AVANCEIII500)在氘代二甲亚砜中获得的1H-NMR光谱来确定。质谱法将各样品的分子量使用富勒烯C60作为分子量标准的反射模式的质谱仪(MALDI-TOFMS，Bruker制造的Ultraflex)在20kV的加速电压下测量。为了鉴别，使用峰值分子量。实施例1在室温下在氮气流中，向1L的三颈烧瓶中添加100.0g的包含质量比为62:38的1,4,5,8-萘四羧酸和1,4,5,8-萘四羧酸二酐的组合物和作为溶剂的300mL的N,N-二甲基乙酰胺。在加热至120℃之后，烧瓶中的材料在搅拌和该温度下进行反应2小时。烧瓶冷却至10℃，并且将样品搅拌1小时，然后过滤从而获得85g的1,4,5,8-萘四羧酸二酐。实施例2除了将300mL的N,N-二甲基乙酰胺使用由200mL的N,N-二甲基乙酰胺和200mL的甲苯制成的混合溶剂来代替，并且将材料加热至111℃以外，进行与实施例1中相同的操作。实施例3至5除了溶剂、反应温度(加热温度)和反应时间依照表2中示出的那些来改变以外，进行与实施例1中相同的操作。实施例6在室温下在氮气流中，向1000mL的三颈烧瓶中添加100.0g的包含质量比为86:14的1,4,5,8-萘四羧酸和1,4,5,8-萘四羧酸单酐的组合物和由200mL的N,N-二甲基乙酰胺和400mL的甲苯制成的溶剂。在加热至111℃之后，烧瓶中的材料在搅拌和该温度下进行反应2小时。烧瓶冷却至10℃，并且将样品搅拌1小时，然后过滤从而获得73g的1,4,5,8-萘四羧酸二酐。实施例7至12和14至38除了溶剂、反应温度(加热温度)和反应时间依照表2中示出的那些来改变以外，进行与实施例6中相同的操作。实施例39在室温下在氮气流中，向3L的三颈烧瓶中添加100g的苯均四酸和由200mL的N,N-二甲基乙酰胺、1000mL的氯苯和400mL的甲苯制成的溶剂。在加热至111℃之后，烧瓶中的材料在搅拌和该温度下进行反应20小时。在除去溶剂之后，将反应产物通过分散于甲苯中来清洗，然后过滤从而获得42g的苯均四酸二酐。实施例40至42除了溶剂和反应温度(加热温度)依照表2中示出的那些来改变以外，进行与实施例39中相同的操作。实施例43在室温下在氮气流中，向300mL的三颈烧瓶中添加10.0g的3,3',4,4'-联苯四羧酸和由20mL的N,N-二甲基乙酰胺、100mL的氯苯和40mL的甲苯制成的溶剂。在加热至111℃之后，烧瓶中的材料在搅拌和该温度下进行反应20小时。在除去溶剂之后，将反应产物通过分散于甲苯中来清洗，然后过滤从而获得5.1g的3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐。实施例44除了溶剂和反应温度(加热温度)依照表2中示出的那些来改变以外，进行与实施例43中相同的操作。实施例45在室温下在氮气流中，向300mL的三颈烧瓶中添加10.0g的偏苯三酸和由20mL的N,N-二甲基乙酰胺、100mL的氯苯和40mL的甲苯制成的溶剂。在加热至111℃之后，烧瓶中的材料在搅拌和该温度下进行反应10小时。在除去溶剂之后，将反应产物通过分散于甲苯中来清洗，由此获得了5.7g的偏苯三酸酐。实施例46除了溶剂和反应温度(加热温度)依照表2中示出的那些来改变以外，进行与实施例45中相同的操作。实施例47在室温下在氮气流中，向300mL的三颈烧瓶中添加10.0g的4-甲基邻苯二甲酸和由20mL的N,N-二甲基乙酰胺、100mL的氯苯和40mL的甲苯制成的溶剂。在加热至111℃之后，烧瓶中的材料在搅拌和该温度下进行反应10小时。在除去溶剂之后，将反应产物通过分散于甲苯中来清洗，由此获得了3.6g的4-甲基邻苯二甲酸酐。实施例48在室温下在氮气流中，向300mL的三颈烧瓶中添加10.0g的2,3-萘二羧酸和由20mL的N,N-二甲基乙酰胺、100mL的氯苯和40mL的甲苯制成的溶剂。在加热至111℃之后，烧瓶中的材料在搅拌和该温度下进行反应10小时。在除去溶剂之后，将反应产物通过分散于甲苯中来清洗，由此获得了4.1g的2,3-萘二羧酸酐。比较例1至2除了溶剂和反应温度(加热温度)依照表2中示出的那些来改变以外，进行与实施例6中相同的操作。然而，不获得1,4,5,8-萘四羧酸二酐。表2实施例编号溶剂体积(mL)反应温度(℃)反应时间1N,N-二甲基乙酰胺3001202h2N,N-二甲基乙酰胺/甲苯200/2001112h3N,N-二甲基乙酰胺/甲苯200/4001112h4N,N-二甲基乙酰胺50016530min5N,N-二甲基乙酰胺/对异丙基苯甲烷250/25016530min6N,N-二甲基乙酰胺/甲苯200/4001112h7二甲亚砜/甲苯200/4001112h8N,N-二甲基甲酰胺/甲苯200/4001112h9N,N-二乙基甲酰胺/甲苯200/4001112h10N,N-二甲基乙酰胺/邻二甲苯200/4001202h11N,N-二甲基甲酰胺/间二甲苯200/4001202h12N,N-二甲基甲酰胺/对二甲苯200/4001202h14N,N-二甲基乙酰胺/异丙基苯200/4001202h15N,N-二甲基乙酰胺/1,3,5-三甲基苯200/4001202h16N,N-二甲基乙酰胺/对异丙基苯甲烷200/4001202h17N,N-二甲基乙酰胺/1,2,4,5-四甲基苯200/4001202h18N,N-二甲基乙酰胺/叔丁基苯200/4001202h19N,N-二甲基甲酰胺/叔丁基苯200/4001202h20N,N-二甲基乙酰胺/氯苯200/4001202h21N,N-二甲基甲酰胺/乙酸甲酯200/4005820h22N,N-二甲基乙酰胺/乙酸乙酯200/400776h23N,N-二甲基乙酰胺/乙酸丙酯200/4001014h24N,N-二甲基乙酰胺/乙酸异丙酯200/400895h25N,N-二甲基乙酰胺/己酸甲酯200/4001202h26N,N-二甲基甲酰胺/己酸乙酯200/4001202h27N,N-二甲基乙酰胺/庚酸甲酯200/4001202h28N,N-二甲基甲酰胺/庚酸乙酯200/4001202h29N,N-二甲基乙酰胺/辛烷200/4001202h30N,N-二甲基乙酰胺/环己烷200/400819h31N,N-二甲基乙酰胺/甲基环己烷200/4001104h32N,N-二甲基甲酰胺/乙基环己烷200/4001203h33N,N-二甲基乙酰胺/环庚烷200/4001183h34N,N-二甲基甲酰胺/环辛烷200/4001203h35N,N-二甲基乙酰胺/丙酮200/4005618h36环己酮6001204h37正辛酸甲酯6001405h38正辛酸乙酯6001405h39N,N-二甲基乙酰胺/氯苯/甲苯200/1000/40011110h40N,N-二甲基乙酰胺/邻二氯苯/甲苯200/1000/40011110h41N,N-二甲基乙酰胺/氯苯/邻二甲苯200/1000/40013010h42N,N-二甲基乙酰胺/邻二氯苯/邻二甲苯200/1000/40014010h43N,N-二甲基乙酰胺/氯苯/甲苯200/1000/40011110h44N,N-二甲基乙酰胺/氯苯/邻二甲苯200/1000/40013010h45N,N-二甲基乙酰胺/氯苯/甲苯200/1000/40011110h46N,N-二甲基乙酰胺/氯苯/邻二甲苯200/1000/40013010h47N,N-二甲基乙酰胺/氯苯/甲苯200/1000/40011110h48N,N-二甲基乙酰胺/氯苯/甲苯200/1000/40011110h比较例1甲缩醛10004210h比较例2己烷10006910h实施例49在室温下在氮气流中，向500mL的三颈烧瓶中添加5.4g的实施例1中生产的1,4,5,8-萘四羧酸二酐、200mL的N,N-二甲基乙酰胺、2.6g的亮氨醇、2.7g的2-(2-氨基乙基硫代)乙醇，并且将材料在室温下搅拌1小时，并且将混合物回流7小时。在通过在减压下蒸发从所得黑褐色液体除去二甲基乙酰胺之后，产物溶解在乙酸乙酯/甲苯混合溶剂中。在通过硅胶柱色谱法(洗脱液：乙酸乙酯/甲苯)分离之后，将包含预期产物的样品的一些部分浓缩。所得晶体溶解在甲苯/己烷混合溶剂中，然后重结晶从而获得2.5g的由以下式(E1)表示的四羧酸二酰亚胺：实施例50在室温下在氮气流中，向500mL的三颈烧瓶中添加5.4g的实施例2中生产的1,4,5,8-萘四羧酸二酐、200mL的N,N-二甲基乙酰胺和5.2g的亮氨醇，并且将材料在室温下搅拌1小时，并且将混合物回流7小时。在将二甲基乙酰胺通过在减压下蒸发来除去之后，将产物在乙酸乙酯中重结晶从而获得5.0g的由以下式(E2)表示的四羧酸二酰亚胺：实施例51除了使用实施例6中生产的1,4,5,8-萘四羧酸二酐来代替实施例1中生产的1,4,5,8-萘四羧酸二酐以外，以与实施例49中相同的方式来生产由式(E1)表示的四羧酸二酰亚胺。实施例52除了使用实施例8中生产的1,4,5,8-萘四羧酸二酐来代替实施例1中生产的1,4,5,8-萘四羧酸二酐以外，以与实施例49中相同的方式来生产由式(E1)表示的四羧酸二酰亚胺。实施例53除了使用实施例10中生产的1,4,5,8-萘四羧酸二酐来代替实施例2中生产的1,4,5,8-萘四羧酸二酐以外，以与实施例50中相同的方式来生产由式(E2)表示的四羧酸二酰亚胺。实施例54除了使用实施例22中生产的1,4,5,8-萘四羧酸二酐来代替实施例2中生产的1,4,5,8-萘四羧酸二酐以外，以与实施例50中相同的方式来生产由式(E2)表示的四羧酸二酰亚胺。实施例55在室温下在氮气流中，向300mL的三颈烧瓶中添加10.0g的实施例39中生产的苯均四酸二酐、100mL的N,N-二甲基乙酰胺和11.8g的亮氨醇，并且将材料在室温下搅拌1小时，并且将混合物回流7小时。在将二甲基乙酰胺通过在减压下蒸发来除去之后，将产物在甲苯/乙酸乙酯混合溶剂中重结晶从而获得6.7g的由以下式(E3)表示的四羧酸二酰亚胺：实施例56长度为260.5mm并且直径为30mm的铝圆筒(JIS-A3003铝合金)用作支承构件(导电性支承构件)。然后，50份的缺氧型氧化锡覆盖的氧化钛颗粒(粉末电阻率：120Ω·cm，氧化锡覆盖率：40％)、40份的酚醛树脂(商品名：PlyophenJ-325，DIC制造，树脂固成分：60％)和55份的甲氧基丙醇添加至包含直径为1mm的玻璃珠的砂磨机中，并且分散在彼此中3小时从而制备导电层形成用涂布液。将在该涂布液中的缺氧型氧化锡覆盖的氧化钛颗粒的平均粒径通过在5000rpm的旋转速度下使用四氢呋喃作为分散介质的离心沉降方法使用粒径分布分析仪CAPA700(Horiba制造)来测量。平均粒径是0.30μm。将该涂布液通过浸涂法施涂至支承构件的表面。将所得涂膜通过在160℃下加热30分钟来干燥和固化。因此，形成了18μm厚的导电层。接着，将1份的实施例49中生产的由式(E1)表示的四羧酸二酰亚胺、0.5份的聚乙烯醇缩丁醛树脂(商品名：BX-1，由SekisuiChemical生产)和0.0005份的月桂酸二辛基锡溶解在由15份的甲氧基丙醇和15份的四氢呋喃制成的混合溶剂中。向所得溶液中，添加以固体计1.3份的比例的封端的异氰酸酯树脂(BL3575，由SumikaBayerUrethane生产)从而制备底涂层形成用涂布液。将所得底涂层形成用涂布液通过浸涂法施涂至导电层的表面。将所得涂膜在160℃下加热30分钟从而在将溶剂通过蒸发除去的同时固化。因此，形成了0.8μm厚的底涂层。接着，制备了其CuKαX射线衍射光谱在布拉格角2θ(±0.2°)为7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°和28.3°处具有峰的晶体羟基镓酞菁(电荷产生物质)。向包含直径为1mm的玻璃珠的砂磨机中添加10份的晶体羟基镓酞菁、5份的聚乙烯醇缩丁醛(商品名:S-LECBX-1，由SekisuiChemical生产)和250份的环己酮。将材料在砂磨机中分散在彼此中2小时。然后，将250份的乙酸乙酯添加至分散液从而获得电荷产生层形成用涂布液。将该涂布液通过浸涂法施涂至底涂层的表面。将所得涂膜在95℃下干燥10分钟。因此，形成了0.17μm厚的电荷产生层。接着，将空穴输送层形成用涂布液通过将以下材料溶解在由40份的二甲氧基甲烷和60份的邻二甲苯制成的混合溶剂中来制备：7.2份的由以下式(13)表示的胺化合物(空穴输送物质)：0.8份的由以下式(14)表示的胺化合物(空穴输送物质)：10份的重均分子量(Mw)为100,000并且包括5/5的比例的由以下式(15)和(16)表示的结构单元的聚酯树脂(P1)：将所得涂布液通过浸涂法施涂至电荷产生层的表面。将所得涂膜在120℃下干燥40分钟。因此，形成了15μm厚的空穴输送层。因此，生产了在支承构件上具有导电层、底涂层、电荷产生层和空穴输送层的电子照相感光构件。将电子照相感光构件在23℃和50％RH的条件下安装在改造自Canon激光打印机(商品名：LBP-2510)的打印机(一次充电：辊接触DC充电，处理速度：120mm/s，激光曝光)中。然后，表面电位测量在图像输出至15,000张上之前和之后进行，并且评价输出的图像。更具体地，评价如下进行。重影检测将上述激光束打印机的青色处理盒通过将电位探针(Model6000B-8，TrekJapan制造)连接至显影位置来改造。然后，将电子照相感光构件的中央的电位使用表面电位计(Model344，TrekJapan制造)来测量。通过控制曝光图像的光的量来设定电子照相感光构件的表面电位以致暗部电位(Vd)和亮部电位(Vl)可以分别是-600V和-150V。接着，电子照相感光构件安装在激光束打印机的青色处理盒中。将该处理盒安装在青色处理盒站中，并且输出了图像。首先，一张白色实心图案、五张检测重影用图案(下文中称为重影检测图案)、一张黑色实心图案、和五张重影检测图案依序连续输出。通过将黑色实心矩形22打印在纸张前端的白色部分21中，然后如图3中示出的国际象棋桂马移动打印半色调点图案，如图2中示出形成重影检测图案。为了检测正重影，测量如国际象棋桂马移动的半色调点图案23与重影部位24(其中正重影会发生)之间的麦克白浓度差。更具体地，使用分光浓度计X-Rite504/508(X-Rite制造)，对于各张重影检测图案，在10个点处测量麦克白浓度差。对全部10张重影检测图案进行该操作，并且计算总计100个点的麦克白浓度差的平均值。初始的麦克白浓度差在表3中的麦克白浓度差(初始)栏中示出。在15,000张输出之后的麦克白浓度差在表3中的麦克白浓度差(在耐久测试之后)栏中示出。同时，初始的麦克白浓度差与在15,000张输出之后的麦克白浓度差之间的差在表3中的"麦克白浓度差(在耐久测试之后)-(初始)"栏中示出。在重影部分中的麦克白浓度差越大说明发生的正重影越强。较小的麦克白浓度差说明抑制了正重影。实施例57至61除了如表3中示出使用实施例50至54的任何之一中生产的四羧酸二酰亚胺来代替由式(E1)表示的四羧酸二酰亚胺以外，以与实施例56中相同的方式来生产电子照相感光构件；并且将所得样品以相同的方式进行重影检测。表3虽然本发明已经参考示例性实施方案来描述，但要理解的是，本发明不限于公开的示例性实施方案。所附权利要求的范围符合最广泛的解释从而涵盖全部此类修改和等同的结构和功能。当前第1页1 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