技术特征：
技术总结
本发明制备了一种高直流击穿场强的聚丙烯/纳米复合电介质的制备方法，(1)选用硅烷偶联剂KH570对AlN纳米粒子和α相Al2O3纳米粒子进行表面修饰，增强了无机纳米粒子与聚合物基体的桥接作用；(2)将聚丙烯基料添加在高温的转矩流变仪腔体中，待颗粒熔融后，分别加入经硅烷偶联剂修饰的AlN和Al2O3纳米粒子，在高温下高速搅拌一定时间，制备得到纳米粒子分散均匀的纳米复合电介质；(3)用平板硫化机采用三明治结构热压制得厚度为150μm的聚丙烯/AlN和聚丙烯/Al2O3的薄膜试样。采用连续升压方式测试直流击穿场强，测试结果表明：聚丙烯/AlN和聚丙烯/Al2O3纳米复合电介质的直流击穿场强相比于纯聚丙烯介质分别提高了13％和35％。
技术研发人员：谢东日;闵道敏;李盛涛;湛海涯;闵超
受保护的技术使用者：西安交通大学;中国西电电气股份有限公司
技术研发日：2017.07.07
技术公布日：2017.09.15