本发明涉及一种清洗剂，尤其涉及一种硅片清洗剂。
背景技术：
硅片清洗对半导体工业的重要性早在50年代初就引起人们的高度重视，这是由于硅片表面沾污的杂质严重影响电池片的性能、可靠性和成品率。硅片表面的污染物的杂质可归纳为三类：（1）油脂、松香、环氧树脂、聚乙二醇等有机物；（2）金属、金属离子及一些无机化合物；（3）尘埃及其它颗粒等。硅片清洗要求即能去除各类杂质又不破坏硅片。这些杂质的污染特别是金属杂质在高温扩散中会形成晶格缺陷，严重影响到电池片的各性能指标。所以电池在生产之前一定要先清洗，以去除杂质。
技术实现要素：
本发明的目的在于，提供一种硅片清洗剂，能有效去除由线切割单晶硅而产生的表面油脂及硅片内部金属杂质和粘附在硅片表面的尘埃和其它颗粒。
本发明的技术方案：一种硅片清洗剂，其特征在于，按重量份数计，各组分重量百分比如下：氢氧化钾1-3％、碳酸钠2-5％、硅酸钠2-5％、脂肪醇聚氧乙烯醚3-10％、全氟烷基乙氧基醚醇2-5％、四甲基氢氧化铵2-5％、次氯酸钠5-10%、三聚磷酸钠2-5%、磷酸钠5-6%、余量为去离子水。
前述的一种硅片清洗剂，其特征在于，按重量份数计，各组分重量百分比如下：氢氧化钾3％、碳酸钠5％、硅酸钠5％、脂肪醇聚氧乙烯醚10％、全氟烷基乙氧基醚醇5％、四甲基氢氧化铵5％、次氯酸钠10%、三聚磷酸钠5%、磷酸钠6%、余量为去离子水。
前述的一种硅片清洗剂，其特征在于，按重量份数计，各组分重量百分比如下：氢氧化钾1％、碳酸钠2％、硅酸钠2％、脂肪醇聚氧乙烯醚3％、全氟烷基乙氧基醚醇2％、四甲基氢氧化铵2％、次氯酸钠5%、三聚磷酸钠2%、磷酸钠5%、余量为去离子水。
本发明的有益效果：能有效去除由线切割单晶硅而产生的表面油脂及硅片内部金属杂质和粘附在硅片表面的尘埃和其它颗粒。
具体实施方式
下面实施例对本发明作进一步的说明，但并不作为对本发明限制的依据。
实施例1：一种硅片清洗剂，按重量份数计，各组分重量百分比如下：氢氧化钾1-3％、碳酸钠2-5％、硅酸钠2-5％、脂肪醇聚氧乙烯醚3-10％、全氟烷基乙氧基醚醇2-5％、四甲基氢氧化铵2-5％、次氯酸钠5-10%、三聚磷酸钠2-5%、磷酸钠5-6%、余量为去离子水。
实施例2：一种硅片清洗剂，按重量份数计，各组分重量百分比如下：氢氧化钾3％、碳酸钠5％、硅酸钠5％、脂肪醇聚氧乙烯醚10％、全氟烷基乙氧基醚醇5％、四甲基氢氧化铵5％、次氯酸钠10%、三聚磷酸钠5%、磷酸钠6%、余量为去离子水。
实施例3：一种硅片清洗剂，按重量份数计，各组分重量百分比如下：氢氧化钾1％、碳酸钠2％、硅酸钠2％、脂肪醇聚氧乙烯醚3％、全氟烷基乙氧基醚醇2％、四甲基氢氧化铵2％、次氯酸钠5%、三聚磷酸钠2%、磷酸钠5%、余量为去离子水。