一种透明双面抗静电离型薄膜及其制备方法与流程

本发明属于薄膜领域，尤其涉及一种透明双面抗静电离型薄膜及其制备方法。
背景技术：
：离型膜的基材种类繁多，有pe离型膜、opp离型膜、bopet离型膜以及其他特殊的机体材料离型膜等。bopet离型膜是以bopet为基膜，然后在其表面涂上一层离型剂，使得bopet表面张力降低，达到一定的离型效果。其中，bopet因为其与有机硅离型剂结合强度高、表面平整性好、力学强度高、耐热性好等优点，在包装印刷、电子密封材料、医药、模切冲型、柔性线路板、胶黏制品等领域均得到大量的应用。有机硅离型剂具有硅含量可调控、耐溶剂、耐高温、隔离效果好、透明性好、持久性好等显著优点。然而，当前的bopet单面离型膜已经无法满足工业要求，bopet单面离型膜由于其只有单面具有离型，造成了其不可双面均作保护，不可广泛地用于电子零器件、手机屏幕等领域。进而在其基础上进行改性研究了双面离型膜，而目前现有的双面离型膜的离型力不稳定，附着力较差。因此，现亟需一种能够稳定性及附着力强的双面离型膜。技术实现要素：发明目的：本发明的第一目的是提供一种双面离型薄膜，该薄膜不仅稳定性强，附着力优，且同时抗静电效果佳。本发明的第二目的是提供该薄膜的制备方法。技术方案：本发明的透明双面抗静电离型薄膜，包括基膜，设于该基膜上下表面的抗静电层以及设于抗静电层上下表面的离型层；所述离型层按重量份数包括原料：乙烯基聚二甲基硅氧烷60-80份、溶剂500-540份、乙烯基硅树脂20-24份、含氢环状聚二甲基硅氧烷1-5份、聚二甲基硅氧烷0.1-0.5份、铂金催化剂0.5-1份。本发明通过在离型层和基膜间设置抗静电层，进而不仅提高了该薄膜的抗静电效果，且在基膜上涂覆一层抗静电后会使得基膜表面更加平整，增加表面张力，对离型层具有良好的促进作用，使得基膜表面的硅附着力强且硅含量分布均匀；同时，离型层通过采用原料硅油主剂乙烯基聚二甲基硅氧烷、溶剂、剥离力调节剂乙烯基硅树脂、交联剂含氢环状聚二甲基硅氧烷、锚固剂聚二甲基硅氧烷及铂金催化剂，溶剂的存在使得硅油均匀分散，交联剂使得硅油发生交联反应，呈网状结构，通过铂金催化剂与剥离力调节剂进一步有效调控交联速率和交联密度；同时锚固剂将交联结构与基材结合，形成稳定涂层。本发明通过上述原料间的相互作用，使得离型力不因双面有机硅离型层而发生波动，离型层附着力也较好，无明显硅转移现象，进而提高了离型层的附着了和稳定性能。优选的，基膜可为双向拉伸聚酯塑料薄膜、双向拉伸聚丙烯薄膜或双向拉伸聚偏氟乙烯。进一步说，抗静电层按重量份数可包括原料：聚噻吩抗静电剂1-3份、酒精1-2份及蒸馏水2-4份。再进一步说，溶剂可为汽油、乙酸乙酯或乙醇。铂金催化剂可为铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物，其中铂含量13-23％。本发明制备透明双面抗静电离型薄膜的方法，包括如下步骤：(1)制备离型剂：按重量份数将乙烯基聚二甲基硅氧烷、溶剂、乙烯基硅树脂、含氢环状聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷及铂金催化剂混合均匀后制得离型剂；(2)制备薄膜：在基膜的上下表面上涂覆抗静电层，随后在该抗静电层的上下表面涂覆离型剂形成离型层，经烘干、熟化后制得薄膜。更进一步说，烘干的温度为80-120℃。熟化是在60-100℃条件下熟化18-24h。有益效果：与现有技术相比，本发明的显著优点为：该透明双面抗静电离型薄膜不仅具有优越的抗静电稳定性能，且其离型层的附着力强、稳定性高，其电阻率可达到108-109ω，离型力在66-90g/inch，残余接着率可达80％；同时，该薄膜的制备方法简单，可操作性强，安全环保。附图说明图1为本发明透明双面抗静电离型薄膜的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本发明的技术方案作进一步详细说明。而本发明采用的原料均可从市场上购买得到。本发明的透明双面抗静电离型薄膜，包括基膜1，设于该基膜上下表面的抗静电层2以及设于抗静电层上下表面的离型层3，如图1所示。实施例1该实施例的抗静电层的组分及含量如下表1所示，离型层组分及含量如下表2所示。表1抗静电层的组分及含量组分含量/份聚噻吩聚合物1酒精2蒸馏水2表2离型层的组分及含量组分含量/份乙烯基聚二甲基硅氧烷60乙酸乙酯500乙烯基硅树脂20含氢环状聚二甲基硅氧烷1聚二甲基硅氧烷0.1铂金催化剂0.5该薄膜的制备方法包括如下步骤：(1)制备抗静电剂：按重量份数将聚噻吩聚合物、酒精、水均匀混合，制成抗静电剂；(2)制备离型剂：按重量份数将乙烯基聚二甲基硅氧烷、乙酸乙酯、乙烯基硅树脂、含氢环状聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷及铂金催化剂混合均匀，制得离型剂；(3)制备薄膜：在基膜的上下表面上涂覆抗静电层，随后在该抗静电层的上下表面涂覆离型剂形成离型层，在100℃条件下烘干后，在100℃条件下熟化18h，制得薄膜。实施例2该实施例的抗静电层的组分及含量如下表3所示，离型层组分及含量如下表4所示。表3抗静电层的组分及含量组分含量/份聚噻吩聚合物1酒精2蒸馏水2表4离型层的组分及含量组分含量/份乙烯基聚二甲基硅氧烷65乙醇510乙烯基硅树脂21含氢环状聚二甲基硅氧烷2聚二甲基硅氧烷0.2铂金催化剂0.6该薄膜的制备方法包括如下步骤：(1)制备抗静电剂：按重量份数将聚噻吩聚合物、酒精、水均匀混合，制成抗静电剂；(2)制备离型剂：按重量份数将乙烯基聚二甲基硅氧烷、乙醇、乙烯基硅树脂、含氢环状聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷及铂金催化剂混合均匀，制得离型剂；(3)制备薄膜：在基膜的上下表面上涂覆抗静电层，随后在该抗静电层的上下表面涂覆离型剂形成离型层，在100℃条件下烘干后，在60℃条件下熟化24h，制得薄膜。实施例3该实施例的抗静电层的组分及含量如下表5所示，离型层组分及含量如下表6所示。表5抗静电层的组分及含量组分含量/份聚噻吩聚合物1酒精2蒸馏水2表6离型层的组分及含量组分含量/份乙烯基聚二甲基硅氧烷70汽油520乙烯基硅树脂22含氢环状聚二甲基硅氧烷3聚二甲基硅氧烷0.3铂金催化剂0.7该薄膜的制备方法包括如下步骤：(1)制备抗静电剂：按重量份数将聚噻吩聚合物、酒精、水均匀混合，制成抗静电剂；(2)制备离型剂：按重量份数将乙烯基聚二甲基硅氧烷、汽油、乙烯基硅树脂、含氢环状聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷及铂金催化剂混合均匀，制得离型剂；(3)制备薄膜：在基膜的上下表面上涂覆抗静电层，随后在该抗静电层的上下表面涂覆离型剂形成离型层，在100℃条件下烘干后，在80℃条件下熟化20h，制得薄膜。实施例4该实施例的抗静电层的组分及含量如下表7所示，离型层组分及含量如下表8所示。表7抗静电层的组分及含量组分含量/份聚噻吩聚合物3酒精1蒸馏水4表8离型层的组分及含量组分含量/份乙烯基聚二甲基硅氧烷75乙酸乙酯530乙烯基硅树脂23含氢环状聚二甲基硅氧烷4聚二甲基硅氧烷0.4铂金催化剂0.8该薄膜的制备方法包括如下步骤：(1)制备抗静电剂：按重量份数将聚噻吩聚合物、酒精、水均匀混合，制成抗静电剂；(2)制备离型剂：按重量份数将乙烯基聚二甲基硅氧烷、乙酸乙酯、乙烯基硅树脂、含氢环状聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷及铂金催化剂混合均匀，制得离型剂；(3)制备薄膜：在基膜的上下表面上涂覆抗静电层，随后在该抗静电层的上下表面涂覆离型剂形成离型层，在100℃条件下烘干后，在75℃条件下熟化22h，制得薄膜。实施例5该实施例的抗静电层的组分及含量如下表9所示，离型层组分及含量如下表10所示。表9抗静电层的组分及含量组分含量/份聚噻吩聚合物3酒精2蒸馏水3表10离型层的组分及含量组分含量/份乙烯基聚二甲基硅氧烷80乙酸乙酯540乙烯基硅树脂24含氢环状聚二甲基硅氧烷5聚二甲基硅氧烷0.5铂金催化剂1该薄膜的制备方法包括如下步骤：(1)制备抗静电剂：按重量份数将聚噻吩聚合物、乙酸乙酯、水均匀混合，制成抗静电剂；(2)制备离型剂：按重量份数将乙烯基聚二甲基硅氧烷、汽油、乙烯基硅树脂、含氢环状聚二甲基硅氧烷、聚二甲基硅氧烷及铂金催化剂混合均匀，制得离型剂；(3)制备薄膜：在基膜的上下表面上涂覆抗静电层，随后在该抗静电层的上下表面涂覆离型剂形成离型层，在100℃条件下烘干后，在85℃条件下熟化20h，制得薄膜。性能检测对上述实施例1至实施例5制备的透明双面抗静电离型薄膜的离型力、残余接着率、电阻率等进行检测，获得的结果如下表11所示。该薄膜的离型力、残余接着率、电阻率等性能的测试方法均为本领域技术人员所公知。表11实施例1至实施例5制备的薄膜的性能表由上表可得出如下结论，该离型膜的电阻率可达到108～109ω，离型力在66～90g/inch，残余接着率可达80％。由此可知，该离型膜具有良好的涂层稳定性，附着力较好。对比例1基本步骤与实施例1相同，不同之处在于离型层中不添加原料铂金催化剂，具体组分及含量如下表12及表13所示。该实施例的抗静电层的组分及含量如下表12所示，离型层组分及含量如下表13所示。表12抗静电层的组分及含量组分含量/份聚噻吩聚合物1酒精2蒸馏水2表13离型层的组分及含量组分含量/份乙烯基聚二甲基硅氧烷60乙酸乙酯500乙烯基硅树脂20.5含氢环状聚二甲基硅氧烷1聚二甲基硅氧烷0.1该薄膜的制备方法包括如下步骤：(1)制备抗静电剂：按重量份数将聚噻吩聚合物、酒精、水均匀混合，制成抗静电剂；(2)制备离型剂：按重量份数将乙烯基聚二甲基硅氧烷、乙酸乙酯、乙烯基硅树脂、含氢环状聚二甲基硅氧烷及聚二甲基硅氧烷混合均匀，制得离型剂；(3)制备薄膜：在基膜的上下表面上涂覆抗静电层，随后在该抗静电层的上下表面涂覆离型剂形成离型层，在100℃条件下烘干后，在100℃条件下熟化18h，制得薄膜。将该对比例制备的薄膜进行性能检测，获得的结果如下表14所示。表14实施例1及对比例1制备的薄膜的性能表通过上述实施例及对比例可知，本发明制备的薄膜不仅具有优越的抗静电稳定性能，且其离型层的附着力强、稳定性高，其电阻率可达到108-109ω，离型力在66-90g/inch，残余接着率可达80％。而不添加铂金催化剂的对比例1由于离型层固化不完全，硅油迁移表面较多，导致离型力不稳定，同时残余接着率较低。当前第1页12