1.一种聚硅氧烷组合物，包含：
聚硅氧烷，第一酸解离常数pka1为4.0以下的由下式(ii)表示的二羧酸，和溶剂，
hooc-l-cooh(ii)
式(ii)中，l为单键，具有1至6个碳原子的羟基取代的亚烷基或氨基取代的亚烷基，取代或未取代的具有2至4个碳原子的亚烯基，取代或未取代的具有2至4个碳原子的亚炔基，或取代或未取代的具有6至10个碳原子的亚芳基，
其中，所述二羧酸的摩尔数与所述聚硅氧烷的摩尔数之比为0.1至6.0。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，
所述l为单键，具有2至4个碳原子的羟基取代的亚烷基，未取代的具有一个c＝c键和2至4个碳原子的亚烯基，或未取代的具有6至10个碳原子的亚芳基。
3.根据权利要求1或2所述的组合物，其中，
所述二羧酸从由草酸、马来酸、富马酸、苹果酸和邻苯二甲酸所组成的群组中选出。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的组合物，其中，
所述聚硅氧烷具有下式(ia)表示的重复单元和/或下式(ib)表示的重复单元：
式(ia)中，
r1为氢，1至3价的c1-30直链、支链或环状饱和或不饱和的脂肪族烃基，或1至3价的c6-30芳香族烃基，
在所述脂肪族烃基和芳香族烃基中，一个以上亚甲基未被取代或被氧基、酰亚胺基或羰基取代，一个以上氢未被取代或被氟、羟基或烷氧基取代，并且一个以上碳原子未被取代或被硅取代，
当r1为二价或三价时，r1连接多个重复单元中包含的si；
所述聚硅氧烷中包含的由式(ib)表示的重复单元的数量与由式(ia)和(ib)表示的重复单元的总数的比率为1％至100％。
5.根据权利要求4所述的组合物，其中，r1从由氢原子、甲基、乙基和苯基所组成的群组中选出。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的组合物，其中，所述聚硅氧烷的质均分子量为500至5000。
7.根据权利要求1至6所述的组合物，其中，所述二羧酸的摩尔数与所述聚硅氧烷的摩尔数之比为0.15至2.0。
8.一种制造硅质膜的方法，包括将根据权利要求1至7中任一项所述的组合物涂布到基板上以形成涂膜，并加热所述涂膜。
9.一种电子器件，包括根据权利要求8所述的硅质膜。