一种含有苯并咪唑结构的衍生物及应用其制备的有机发光器件的制作方法

本发明属于有机光电材料技术领域，具体涉及一种含有苯并咪唑结构的衍生物及应用其制备的有机电致发光器件。

背景技术：

随着在非照明领域之外的ar、vr、手机屏显等平面显示方面的市场占有率超过50％，具有响应速度快、色域广、环境适应性强、无辐射、柔性可弯曲等诸多优势的有机电致发光器件(oled)已经成为第三代显示技术的主流。

从最早的双层三明治器件结构开始到现在已经商业化的主动矩阵有机电致发光器件(amoled)，包括注入层、传输层、阻挡层、发光层等功能层的器件结构越加复杂，器件的发光效率和寿命不断提高。应用于oled的有机光电功能材料中，注入材料和传输材料组成和功能单一化固定化，而发光层主体材料强调电子、空穴等载流子的传输平衡。因此，“空穴类材料以富电子体系为结构核心，电子类材料以缺电子体系为结构核心，主体材料同时包含富电子和缺电子体系”便成为了有机光电功能材料研发遵循的基本原则。功能化已有富电子、缺电子体系提高材料性能，不断引入性能优异的新体系提升oled性能是有机光电功能材料研发的根本方法。

吡啶并[1,2-a]苯并咪唑衍生物是氮桥头杂环化合物，这种非交替杂芳族体系具有大的偶极极化率，电子电荷在五元环中显着增加，而低电子密度出现在六元环中，具有大极化率的共轭有机化合物特别适用于光学电子学领域(见heyang,yan-qingge,jiongjia,jian-wuwang.，j.lumin,2011,131,749-755)。本发明以缺电子体系苯并咪唑为结构核心构筑的有机光电功能材料，应用于oled中能获得优异的效果，是一种具有很大商业价值的新型材料。

技术实现要素：

本发明的目的是提供一种含有苯并咪唑结构的衍生物及应用其制备的有机电致发光器件。本发明以苯并咪唑结构为基础，引入不同取代基，得到了一系列新型有机光电材料。本发明材料具有较高的玻璃态转换温度，从而具有良好的热稳定性，能够改善成膜性能。含有该发明涉及的化合物有机电致发光器件，表现出低电压下高亮度、高效率的优点，是性能优良的有机发光材料。

本发明所述的含有苯并咪唑结构的衍生物，其结构通式如(i)或(ii)所示：

其中，r¹选自未取代或r^1-1取代的“杂原子选自n、o和s中的一种或多种，杂原子数为3个”的c3～c50的杂芳基、或者c6～c40的有机胺基团；

r²选自氢、氘、氟原子、氰基、三氟甲基、c1～10的烷基、c3～10的环烷基、c1～10的烷氧基、未取代或r^1-2取代的5或6元“杂原子为n、o和s中的一种或多种，杂原子数为1～3个”的杂环烷基、未取代或r^1-3取代的c6～c60的芳基、未取代或r^1-4取代的“杂原子为n、o和s中的一种或两种，杂原子数为1～2个”的c4～c50的杂芳基；

所述的c6～c40有机胺基团为

m选自1、2或者3，n选自0、1或者2；

p和q分别选自1～3的整数。

所述的r^1-1选自氘、氟原子、氰基、三氟甲基、c1～6的烷基、c1～6的烷氧基、未取代或r^a-1取代的c6～30的芳基、未取代或r^a-2取代的“杂原子选自n、o和s中的一种或多种，杂原子数为3个”的c3～c30的杂芳基；

所述的r^a-1、r^a-2选自独立地为c6～c18芳基或“杂原子选自n、o和s中的一种或多种，杂原子数为3个”的c3～c18的杂芳基；

所述的r^1-2、r^1-3、r^1-4独立地为氘、氟原子、氰基、三氟甲基、c1～6的烷基、c1～6的烷氧基、未取代或r^a-3取代的c6～30的芳基、未取代或r^a-4取代的“杂原子为n、o和s中的一种或两种，杂原子数为1～2个”的c4～c30的杂芳基；

所述的r^a-3和r^a-4独立地为c6～c18芳基或“杂原子为n、o和s中的一种或两种，杂原子数为1～2个”的c4～c18的杂芳基；

进一步的，所述的一种含有苯并咪唑结构的衍生物的某些基团定义如下，未定义的基团如前任一方案所述：

r¹为“杂原子选自n、o和s中的一种或多种，杂原子数为3个”的c3～c50的杂芳基，进一步的为未取代或r^1-1取代的c3～c30的杂芳基，较佳的为三嗪基，但不限于此；

为进一步地为较佳地为

为如下任一基团：

进一步地为较佳地为

为：进一步的为较佳地为

r²为c1～10的烷基，进一步的为c1～c4的烷基，再进一步的为甲基、乙基、丙基、异丙基或正丁基；

r²为c3～10的环烷基，进一步的为c3～6的环烷基；

r²为c1～10的烷氧基，进一步的为c1～3的烷氧基，再进一步的为甲氧基或乙氧基；

r²为未取代或r^1-3取代的c6～c60的芳基，进一步的为未取代或r^1-3取代的c6～c40的芳基，再进一步的为未取代或r^1-3取代的苯基、二联苯基、三联苯基、萘基、蒽基或芘基；

r²为未取代或r^1-4取代的“杂原子为n、o和s中的一种或多种，杂原子数为1～2个”的c4～c50的杂芳基，进一步的为c4～c30的杂芳基，再进一步的为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、二苯并呋喃、二苯并噻吩或咔唑基；

进一步的，所述的一种含有苯并咪唑结构的衍生物的某些基团定义如下，未定义的基团如前任一方案所述：

r^1-1、r^1-2、r^1-3、r^1-4独立的为c1～c6烷基，进一步的为甲基、乙基或异丙基；

r^1-1、r^1-2、r^1-3、r^1-4独立地为c1～c6烷氧基，进一步的为甲氧基或乙氧基；

r^1-1为未取代或r^a-1取代的c6～c30的芳基，进一步的为苯基、蒽基、萘基、二联苯基、三亚苯基或菲基；

r^1-2、r^1-3、r^1-4独立地为未取代或r^a-3取代的c6～c30的芳基，进一步的为苯基、蒽基、萘基、二联苯基、三亚苯基或菲基；

r^1-1为未取代或r^a-2取代的c3～c30的杂芳基，进一步的为三嗪基；

r^1-2、r^1-3、r^1-4独立地为未取代或r^a-4取代的c4～c30的杂芳基，进一步的为吡啶基、苯并咪唑、苯并噻唑、苯并噁唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、吩噻嗪或吩噁嗪；

r^a-1、r^a-2、r^a-3、r^a-4独立地为c6～c18的芳基，进一步的为苯基、萘基、二联苯基或菲基；

r^a-1、r^a-2独立地为c3～c18的杂芳基，进一步的为三嗪基。

r^a-3、r^a-4独立地为c4～c18的杂芳基，进一步的为吡啶基、嘧啶基或咔唑基。

进一步的，所述的含有苯并咪唑结构的衍生物，选自如下所示结构中的任意一种：

本发明还提供一种有机电致发光器件，所述的有机电致发光器件顺次由阳极、有机功能层和阴极组成，有机功能层顺次由空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的至少一层组成。所述的含有苯并咪唑结构的衍生物可用于制备有机电致发光器件中的发光层或电子传输层，当所述的含有苯并咪唑结构的衍生物作为发光层时，其可以作为主体使用。

所述有机电致发光器件可用于平板显示器、照明光源、指示牌、信号灯等应用领域。

本领域技术人员可以理解，根据本领域中使用的惯例，本申请描述基团的结构式中所使用的是指，相应的基团通过该位点与化合物中的其它片段、基团进行连接。

本发明所述式(i)及式(ii)化合物可按照本领域常规的化学合成方法制备得到，其步骤和条件可参考本领域类似反应的步骤和条件。

在不违背本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。

本发明所用试剂和原料均市售可得。

附图说明

图1为应用实施例及对比例所采用的器件结构示意图。图中，1为透明基底，2为ito，3为空穴传输层，4为发光层，5为空穴阻挡层，6为电子传输层，7为电子注入层，8为金属阴极。其中，发光层4为掺杂结构。

具体实施方式

为了进一步理解本发明，下面将结合本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。

下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。

实施例1：化合物1的合成

(1)将化合物a(25mmol,2.47g)溶解在无水甲苯(100ml)中，在0℃下滴加pocl3(1.93g，12.5mmol)。将反应溶液在冰浴中保持搅拌2小时，随后一次性加入2,6-二溴苯胺(12.5mmol，3.11g)，将所得混合物在搅拌下回流4小时。浓缩反应液，将残余物溶于50ml水中。将混合物与活性炭一起搅拌30分钟，过滤后，加入2m的naoh调节ph到10。将沉淀物过滤，干燥，并用乙酸乙酯/己烷(v:v＝1:1)的混合溶液重结晶得到化合物b(7mmol,2.3g)，产率为56％。

(2)将化合物b(0.84mmol,0.28g)溶于5ml的无水乙腈中，将无水碳酸钾(0.84mmol，234mg)、n,n'-二甲基乙二胺(0.084mmol,0.72mg)和碘化亚铜(0.042mmol，8mg)加入上述混合液中，混合物在氩气保护下回流反应4小时。冷却反应液，将5毫升的二氯甲烷加入其中，混合液被过滤，旋干滤液，残余物用二氯甲烷和甲醇柱层析纯化得到化合物c(0.67mmol，168mg)，产率为80％。

(3)在氩气氛围下，将中间体c(2mmol,0.5g)和四(三苯基膦)钯(0.02eq)溶于thf(四氢呋喃，15ml)中，混合物加热至50℃，然后加入5ml的2m碳酸钾水溶液。然后缓慢注入化合物d(2.5mmol，1.07g)的thf溶液。然后将混合物加热至65℃并回流8小时。冷却后，用二氯甲烷和水萃取反应液。合并有机层并用无水硫酸钠干燥。过滤后，减压除去溶剂，残留物经硅胶柱色谱纯化，用dcm(二氯甲烷)/pe(石油醚)洗脱。得到化合物1(1.2mmol,667mg)，收率60％。质谱分析确定的分子离子质量为：555.25(计算值为：555.24)；理论元素含量(％)c38h29n5:c,82.14；h,5.26；n,12.60；实测元素含量(％)：c,82.18；h,5.23；n,12.59。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例2：化合物2的合成

依照化合物1的合成方法得到化合物2(制备化合物2的过程中将化合物d替换为)，总产率为32％，质谱分析确定的分子离子质量为：555.25(计算值为：555.24)；理论元素含量(％)c38h29n5:c,82.14；h,5.26；n,12.60；实测元素含量(％)：c,82.18；h,5.23；n,12.59。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例3：化合物4的合成

依照化合物1的合成方法得到化合物4(制备化合物4的过程中，在(1)反应中引入原料化合物)，总产率为36％，质谱分析确定的分子离子质量为：555.25(计算值为：555.24)；理论元素含量(％)c38h29n5:c,82.14；h,5.26；n,12.60；实测元素含量(％)：c,82.18；h,5.23；n,12.59。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例4：化合物6的合成

(1)在氮气氛围下，向25mlschlenck管中依次加入pd2(dba)3(460mg，5mol％)，dppf(1,1′-二茂铁二基-双(二苯基膦)，560mg，10mol％)，化合物e(10mmol,0.94g)，化合物1,3-二溴-2-碘代苯(12.5mmol,4.5g)，叔丁醇钠(14mmol，1.3g)和甲苯(50ml)。将混合物加热至100℃并搅拌14小时。冷却至室温后，将反应混合物用乙醚稀释，用短硅藻土垫过滤，用旋转蒸发器浓缩有机溶液，用硅胶快速色谱纯化，用己烷和乙酸乙酯的混合物(v:v＝20：3)作为洗脱液得到化合物f(8.6mmol,2.8g)，产率为86％。

(2)将化合物f(8.6mmol,2.8g)溶于50ml的无水乙腈中，将无水碳酸钾(8.6mmol，2.4g)、dmeda(n,n'-二甲基乙二胺，0.86mmol,74mg)和碘化亚铜(0.043mmol，8mg)加入上述混合液中.混合物在氩气保护下回流反应4小时。冷却反应液，将50毫升的二氯甲烷加入其中，混合液被过滤，旋干滤液，残余物用二氯甲烷和甲醇柱层析纯化得到化合物g(6.7mmol,1.65g)，产率为78％。

(3)在氩气氛围下，将中间体g(2mmol,492mg)和四(三苯基膦)钯(0.02eq)溶于thf(15ml)中，混合物加热至50℃，然后加入5ml的2m碳酸钾水溶液。然后缓慢注入化合物h(2.5mmol，1.07g)的thf溶液。然后将混合物加热至65℃并回流8小时。冷却后，用二氯甲烷和水萃取反应液。合并有机层并用无水硫酸钠干燥。过滤后，减压除去溶剂，残留物经硅胶柱色谱纯化，用dcm/pe洗脱。得到化合物3(1.4mmol,772mg)，收率70％。质谱分析确定的分子离子质量为：551.25(计算值为：551.24)；理论元素含量(％)c38h25n5：c,82.74；h,4.57；n,12.70；实测元素含量(％)：c,82.70；h,4.61；n,12.69。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例5：化合物11的合成

依照化合物6的合成方法得到化合物11(制备化合物11的过程中，化合物h替换为)，总产率为31％，质谱分析确定的分子离子质量为：551.25(计算值为：551.24)；理论元素含量(％)c38h25n5：c,82.74；h,4.57；n,12.70；实测元素含量(％)：c,82.70；h,4.61；n,12.69。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例6：化合物13的合成

依照化合物1的合成方法得到化合物13(制备化合物13的过程中，在(1)反应中引入原料化合物)，总产率为31％，质谱分析确定的分子离子质量为：541.25(计算值为：541.23)；理论元素含量(％)c37h27n5：c,82.05；h,5.02；n,12.60；实测元素含量(％)：c,82.02；h,5.05；n,12.59。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例7：化合物14的合成

依照化合物1的合成方法，得到化合物14(制备化合物14的过程中，在(1)反应中引入原料化合物且化合物d替换为)，总产率为37％，质谱分析确定的分子离子质量为：541.25(计算值为：541.23)；理论元素含量(％)c37h27n5：c,82.05；h,5.02；n,12.60；实测元素含量(％)：c,82.02；h,5.05；n,12.59。

上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例8：化合物15的合成

依照化合物1的合成方法，得到化合物15(制备化合物15的过程中，在(1)反应中引入原料化合物且化合物d替换为)，收率32％。质谱分析确定的分子离子质量为：541.25(计算值为：541.23)；理论元素含量(％)c37h27n5：c,82.05；h,5.02；n,12.60；实测元素含量(％)：c,82.02；h,5.05；n,12.59。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例9：化合物16的合成

依照化合物1的合成方法，得到化合物16(制备化合物16的过程中，在(1)反应中引入原料化合物且化合物d替换为)，总产率为26％，质谱分析确定的分子离子质量为：617.25(计算值为：617.26)；理论元素含量(％)c43h31n5：c,83.60；h,5.06；n,11.34；实测元素含量(％)：c,83.63；h,5.05；n,11.32。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例10：化合物18的合成

依照化合物3的合成方法，得到化合物18(制备化合物18的过程中，化合物h替换为)，总产率为35％，质谱分析确定的分子离子质量为：621.28(计算值为:621.24)；理论元素含量(％)c44h29n5：c,84.19；h,4.66；n,11.16；实测元素含量(％)：c,84.21；h,4.65；n,11.14。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例11：化合物20的合成

依照化合物1的合成方法，得到化合物20(制备化合物20的过程中，化合物d替换为)，总产率为31％，质谱分析确定的分子离子质量为：631.25(计算值为：631.27)；理论元素含量(％)c44h33n5:c,83.65；h,5.26；n,11.09；实测元素含量(％)：c,83.63；h,5.27；n,11.10。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例12：化合物28的合成

依照化合物1的合成方法，得到化合物28(制备化合物28的过程中，化合物d替换为进行(3)反应时，化合物投料量为d摩尔数的2倍)，总产率为31％，质谱分析确定的分子离子质量为：649.33(计算值为：649.30)；理论元素含量(％)c43h35n7：c,79.48；h,5.43；n,15.09；实测元素含量(％)：c,79.45；h,5.45；n,15.10。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例13：化合物29的合成

依照化合物1的合成方法，得到化合物29(制备化合物29的过程中，在(1)反应中引入原料化合物且化合物d替换为进行(3)反应时，化合物投料量为d摩尔数的2倍)，总产率为31％，质谱分析确定的分子离子质量为：697.32(计算值为：697.30)；理论元素含量(％)c47h35n7：c,80.89；h,5.06；n,14.05；实测元素含量(％)：c,80.91；h,5.05；n,14.04。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例14：化合物30的合成

依照化合物1的合成方法，得到化合物30(制备化合物30的过程中，化合物d替换为进行(3)反应时，化合物投料量为d摩尔数的2倍)，总产率为45％，质谱分析确定的分子离子质量为：725.30(计算值为：725.33)；理论元素含量(％)c49h39n7:c,81.08；h,5.42；n,13.51；实测元素含量(％)：c,81.10；h,5.40；n,13.50。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例15：化合物31的合成

依照化合物3的合成方法，得到化合物31(制备化合物31的过程中，化合物h替换为进行(3)反应时，化合物投料量为h摩尔数的2倍)，总产率为28％，质谱分析确定的分子离子质量为：641.25(计算值为：641.23)；理论元素含量(％)c43h27n7：c,80.48；h,4.24；n,15.28；实测元素含量(％)：c,80.45；h,4.26；n,15.29。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例16：化合物35的合成

依照化合物1的合成方法，得到化合物35(制备化合物35的过程中，化合物d替换为进行(3)反应时，化合物与化合物d反应)，总产率为30％，质谱分析确定的分子离子质量为：568.27(计算值为：568.26)；理论元素含量(％)c40h32n4：c,84.48；h,5.67；n,9.85；实测元素含量(％)：c,84.50；h,5.65；n,9.85。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例17：化合物40的合成

依照化合物1的合成方法得到化合物40(制备化合物40的过程中，化合物d替换为)，总产率为30％，质谱分析确定的分子离子质量为：567.25(计算值为：567.27)；理论元素含量(％)c41h33n3：c,86.74；h,5.86；n,7.40；实测元素含量(％)：c,86.77；h,5.83；n,7.40。上述结果证实获得产物为目标产品。

实施例18：化合物43的合成

依照化合物1的合成方法，得到化合物43(制备化合物43的过程中，在(1)反应中引入原料化合物进行(3)反应时，化合物d反应化合物d替换为)，总产率为30％，质谱分析确定的分子离子质量为：581.30(计算值为：581.28)；理论元素含量(％)c42h35n3：c,86.71；h,6.06；n,7.22；实测元素含量(％)：c,86.73；h,6.04；n,7.23。上述结果证实获得产物为目标产品。

应用实施例1-44及对比例1-4：

其中应用实施例及对比例中具体涉及的化合物结构如下：

[对比例1]

发光器件结构为[ito/npb/cbp:dbqa/bcp/tpbi/lif/al]。

器件制备过程：将透明阳极电极ito基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用氧等离子体处理10分钟。随后将处理后的ito基板放入蒸镀设备。首先蒸镀一层70nm的npb作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s；然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀cbp/dbqa，dbqa的掺杂浓度为2wt％，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为30nm；随后蒸镀空穴阻挡层bcp(10nm)，其次是电子传输层tpbi(50nm)，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀lif(1nm)和al作为阴极，厚度为200nm。

[对比例2]

发光器件结构为[ito/npb/cbp:dbqa/bcp/c7/lif/al]。

器件制备过程：将透明阳极电极ito基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用氧等离子体处理10分钟。随后将处理后的ito基板放入蒸镀设备。首先蒸镀一层70nm的npb作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s；然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀cbp/dbqa，dbqa的掺杂浓度为2wt％，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为30nm；随后蒸镀空穴阻挡层bcp(10nm)，其次是电子传输层c7(50nm)，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀lif(1nm)和al作为阴极，厚度为200nm。

[对比例3]

发光器件结构为[ito/npb/cbp:dbqa/bcp/3c/lif/al]。

器件制备过程：将透明阳极电极ito基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用氧等离子体处理10分钟。随后将处理后的ito基板放入蒸镀设备。首先蒸镀一层70nm的npb作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s；然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀cbp/dbqa，dbqa的掺杂浓度为2wt％，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为30nm；随后蒸镀空穴阻挡层bcp(10nm)，其次是50nm厚度的电子传输层3c(50nm)，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀lif(1nm)和al作为阴极，厚度为200nm。

[应用实施例]

发光器件结构为[ito/npb/cbp:dbqa/bcp/苯并咪唑结构的衍生物/lif/al]。

将对比例2中的经典电子传输材料tpbi用苯并咪唑结构的衍生物替换，所述的含有苯并咪唑结构的衍生物作为电子传输材料。

器件制备过程：将透明阳极电极ito基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用氧等离子体处理10分钟。随后将处理后的ito基板放入蒸镀设备。首先蒸镀一层70nm的npb作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s；然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀cbp/dbqa，dbqa的掺杂浓度为2wt％，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为30nm；随后蒸镀空穴阻挡层bcp(10nm)，其次是50nm厚度的含有苯并咪唑结构的衍生物作为电子传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀lif(1nm)和al作为阴极，厚度为200nm。

上述方法制造的有机电致发光器件的电子发光特性如表1所示：

表1：含有苯并咪唑结构的衍生物作为电子传输材料所表现的发光特性数据

[对比例4]

发光器件结构为[ito/npb/cbp:ir(piq)3/bcp/tpbi/lif/al]。

器件制备过程：将透明阳极电极ito基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用氧等离子体处理10分钟。随后将处理后的ito基板放入蒸镀设备。首先蒸镀一层70nm的npb作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s；然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀cbp:ir(piq)3，ir(piq)3的掺杂浓度为2wt％，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为30nm，随后蒸镀空穴阻挡层bcp(10nm)，其次是50nm厚度的电子传输层tpbi(50nm)，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀lif(1nm)和al作为阴极，厚度为200nm。

[应用实施例16～18]

发光器件结构为[ito/npb/苯并咪唑结构的衍生物:ir(piq)3/bcp/tpbi/lif/al]

将对比例1中的经典发光主体材料cbp用苯并咪唑结构的衍生物替换，所述的含有苯并咪唑结构的衍生物作为发光层中的主体材料。

器件制备过程：将透明阳极电极ito基板在异丙醇中超声清洗15分钟，并暴露在紫外光下30分钟，随后用氧等离子体处理10分钟。随后将处理后的ito基板放入蒸镀设备。首先蒸镀一层70nm的npb作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s；然后是发光层的蒸镀，混合蒸镀含有苯并咪唑结构的衍生物/ir(piq)3，ir(piq)3的掺杂浓度为2wt％，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为30nm，随后蒸镀空穴阻挡层bcp(10nm)，其次是50nm厚度的电子传输层tpbi(50nm)，蒸镀速率为0.1nm/s，在电子传输层上依次真空蒸镀lif(1nm)和al作为阴极，厚度为200nm。

上述方法制造的有机电致发光器件的电子发光特性如表2所示：

表2：含有苯并咪唑结构的衍生物作为发光主体材料所表现的器件特性数据

应用实施例1-15中所用的苯并咪唑结构的衍生物电子传输材料为本发明所涉及的材料。对比例1-3与应用实施例1-15的器件制备工艺完全相同，所不同的是对器件电子传输材料做了改变。

应用实施例16-18中所用的苯并咪唑结构的衍生物发光主体材料为本发明所涉及的材料。对比例4与应用实施例16-18的器件制备工艺完全相同，所不同的是对器件发光主体材料做了改变。

从表1、2中的数据可见，本发明所述的苯并咪唑结构的衍生物适用于作为oled器件的电子传输材料或发光层材料使用(当作为发光层材料使用时，作为主体材料)，并且可以实现优良的器件性能。由该衍生物制成的有机电致发光器件能有效降低驱动电压，提高发光效率。

显然，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于所述技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。