双唑类铂金属发光错合物的制作方法

文档序号:8441035阅读:294来源:国知局
双唑类铂金属发光错合物的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种适用于有机发光二极管的铂金属错合物,特别是涉及一种由一中 性且含氮杂环的双牙配基与一负二价双牙配基所形成的双唑类铂金属发光错合物。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光装置一般包含有机发光二极管(organiclight-emittingdiode, 简称0LED)及驱动元件,其中,有机发光二极管是以有机层作为发光层。形成有机层的材料 大都采用磷光材料,因磷光材料可以同时通过单重激发态和三重激发态(tripletexcited state)进彳丁放光,而能有效的提尚有机发光>极管的发光效率。
[0003] 中国台湾专利公告案1291488揭示一种做为磷光发光体的铂金属错合物,如式 (A)所示:
【主权项】
1. 一种双唑类铂金属发光错合物,其特征在于其由式α)所示:
R1及R2各自独立地表示氟烷基;X表示C 一 H或氮;L1表示中性且含氮杂环的双牙配 基。
2. 根据权利要求1所述的双唑类铂金属发光错合物,其特征在于=L1是选自于
3. 根据权利要求1所述的双唑类铂金属发光错合物,其特征在于:Χ表示C 一 Η。
4. 根据权利要求3所述的双唑类铂金属发光错合物,其特征在于:R 1及R 2各自独立地 表示三氟甲基或全氟丙基。
5. 根据权利要求4所述的双唑类铂金属发光错合物,其特征在于:L 1表示
6. 根据权利要求1所述的双唑类铂金属发光错合物,其特征在于:X表示氮。
7. 根据权利要求6所述的双唑类铂金属发光错合物,其特征在于:R 1及R 2各自独立地 表示三氟甲基或全氟丙基。
8. 根据权利要求7所述的双唑类铂金属发光错合物,其特征在于:L 1表示
【专利摘要】一种由式(I)所示的双唑类铂金属发光错合物,其中,R1及R2各自独立的表示氟烷基;X表示C-H或氮,L1表示中性且含氮杂环的双牙配基。本发明双唑类铂金属发光错合物由于包含一负二价双牙配基,且所述负二价双牙配基更含有拉电子取代基(即氟烷基),使所述双唑类铂金属发光错合物经激发后可放射出可见光区域的磷光,并具有不错的发光效率,而适于应用在有机发光二极管上,
【IPC分类】H01L51-54, C07F15-00, C09K11-06, C07D231-12
【公开号】CN104761588
【申请号】CN201410758471
【发明人】季昀, 叶秀炫
【申请人】季昀
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2014年12月11日
【公告号】US9040702
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