一种千层塔内生腐霉菌及其应用_2

文档序号:9320398阅读:来源:国知局
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[0022]以下结合实施例对本发明作进一步的详细说明。
[0023]实施例1:
[0024]将千层塔野生植株移栽到水苔基质中培养。培养温度25°C ±2°C,光照强度为2000LUX、光周期16小时。2个月后千层塔的移栽成活率为50%。
[0025]实施例2:
[0026]将千层塔的组培苗,洗干净培养基质,再移栽到水苔基质中培养。培养温度250C ±2°C,光照强度为2000LUX、光周期16小时。2个月后千层塔的移栽成活率为45%。
[0027]实施例3:
[0028](I)千层塔根际内生真菌的分离
[0029]取野生千层塔新鲜的根,用0.1 %氯化汞溶液进行表面灭菌,在解剖镜下取其根毛区,然后接到MS固体培养基上培养,培养温度25°C ±2°C,光照强度为2000Lux、光周期16小时;一周后,再用5%次氯酸钠溶液进行表面灭菌;然后放置到PDA固体培养基(马铃薯200g、葡萄糖20g)上培养;培养30天后,获得内生菌菌丝体;再通过PDA固体培养基,采用平板划线法进行纯培养获得内生菌的纯培养物即得;
[0030](2)内生菌灭活菌丝的制备
[0031]将内生菌的纯培养物采用PDA液体培养基进行发酵培养,发酵培养的条件为摇瓶液体培养、28度及摇床转速120转/分钟,获得菌丝体,将菌丝于121°C条件下灭菌20min,获得灭活菌丝。将灭活的菌丝用1/6MS液体培养基悬浮成菌丝悬浮液备用;
[0032]MS 基本培养基组成:1.65g/L 的 NH4N03、1.9g/L 的 ΚΝ03、0.17g/L 的 ΚΗ2Ρ04、0.37g/L 的 MgSO4.7H20 和 0.44g/L 的 CaCl2.2Η20、0.83mg/L 的 ΚΙ、6.2mg/L 的 H2BO3'22.3mg/L 的 MnSO4.4Η202、8.6mg/L 的 ZnSO4.7Η202、0.25mg/L 的 Na2MoO4.2Η202、0.025mg/L 的CuCl2.5Η202、0.025mg/L 的 CoCl2.6Η202、37.3mg/L 的 Na2.EDTA、27.8mg/L 的 FeSO4.7H202;
[0033]1/6MS 是指其中 NH4N03、KN03、KH2P04、MgS047H20、CaCl2.2H20 的剂量为 MS 培养基的 1/6 ;
[0034](3)将菌丝悬浮液用于千层塔移栽
[0035]将有3个分叉及3个分叉以上的野生千层塔植株移栽到水苔基质中,培养2周后,将灭活的菌丝悬液浇灌到千层塔小苗根部周围,每株千层塔植株根部周围浇灌的菌丝悬浮液中菌丝的质量为0.lg。每隔一周浇灌I次,总共浇灌2次,每次浇灌内生菌的剂量相同。培养温度25°C ±2°C,光照强度为2000LUX、光周期16小时。2个月后千层塔移栽成活率为65%。
[0036]实施例4:
[0037]本实施例与实施例3不同的是,将野生千层塔移栽到水苔基质中,培养2周后,将灭活的菌丝悬液浇灌到千层塔小苗根部周围,每株千层塔植株根部周围浇灌的内生真菌悬浮液中内生真菌菌丝的质量为0.2go每隔一周浇灌I次,总共浇灌3次,每次浇灌内生菌的剂量相同。培养温度25°C ±2°C,光照强度为2000LUX、光周期16小时。2个月后千层塔移栽成活率为82%。
[0038]实施例5:
[0039]本实施例与实施例3不同的是,将野生千层塔移栽到水苔基质中,培养2周后,将灭活的菌丝悬液浇灌到千层塔小苗根部周围,每株千层塔植株根部周围浇灌的内生真菌悬浮液中内生真菌菌丝的质量为0.3go每隔一周浇灌I次,总共浇灌4次,每次浇灌内生菌的剂量相同。培养温度25°C ±2°C,光照强度为2000LUX、光周期16小时。2个月后千层塔移栽成活率为76%。
[0040]实施例6:
[0041]本实施例与实施例3不同的是,将野生千层塔移栽到水苔基质中,培养2周后,将灭活的菌丝悬液浇灌到千层塔小苗根部周围,每株千层塔植株根部周围浇灌的内生真菌悬浮液中内生真菌菌丝的质量为0.4go每隔一周浇灌I次,总共浇灌3次,每次浇灌内生菌的剂量相同。培养温度25°C ±2°C,光照强度为2000LUX、光周期16小时。2个月后千层塔移栽成活率为65%。
[0042]实施例7:
[0043]本实施例与实施例3不同的是,将千层塔组培苗移栽到水苔基质中,培养2周后,将灭活的菌丝悬液浇灌到千层塔小苗根部周围,每株千层塔植株根部周围浇灌的内生真菌悬浮液中内生真菌菌丝的质量为0.2go每隔一周浇灌I次,总共浇灌3次,每次浇灌内生菌的剂量相同。培养温度25°C ±2°C,光照强度为2000LUX、光周期16小时。2个月后千层塔移栽成活率为73%。
[0044]实施例8:
[0045]本实施例与实施例3不同的是,将千层塔组培苗移栽到水苔基质中,培养2周后,将灭活的菌丝悬液浇灌到千层塔小苗根部周围,每株千层塔植株根部周围浇灌的内生真菌悬浮液中内生真菌菌丝的质量为0.4go每隔一周浇灌I次,总共浇灌4次,每次浇灌内生菌的剂量相同。培养温度25°C ±2°C,光照强度为2000LUX、光周期16小时。2个月后千层塔移栽成活率为51%。
[0046]实施例9:
[0047]本实施例与实施例3不同的是,将千层塔组培苗移栽到水苔基质中,培养2周后,将灭活的菌丝悬液浇灌到千层塔小苗根部周围,每株千层塔植株根部周围浇灌的内生真菌悬浮液中内生真菌菌丝的质量为0.1go每隔一周浇灌I次,总共浇灌3次,每次浇灌内生菌的剂量相同。培养温度25°C ±2°C,光照强度为2000LUX、光周期16小时。2个月后千层塔移栽成活率为64%。
【主权项】
1.一种千层塔内生腐霉菌,其特征在于,该腐霉菌的名称为腐霉,Pythium sp.,该腐霉菌的保藏编号为CGMCC10770。2.权利要求1所述的千层塔内生腐霉菌提高千层塔植株移栽成活率的应用。3.如权利要求2所述的应用,其特征在于,该应用包括在千层塔移栽培养过程中将千层塔内生腐霉菌菌丝放置在千层塔植株的根部用于提高千层塔植株的移栽成活率。4.如权利要求3所述的应用,其特征在于,将质量为0.1?0.4g千层塔内生腐霉菌菌丝放置在单株千层塔植株的根部,放置次数为2?3次,相邻放置次数的间隔时间为7天。5.如权利要求2、3或4所述的应用,其特征在于,将千层塔植株在温度为25°C±2°C、光照强度为2000LUX和光周期16小时的条件下进行移栽培养。
【专利摘要】本发明公开了一种千层塔内生腐霉菌及其应用,该腐霉菌的分类命名为腐霉(Pythium?sp.),保藏单位:中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心(CGMCC),保藏单位地址:北京市朝阳区北辰西路1号院3号,保藏日期:2015年6月10日,保藏编号:CGMCC10770,将该腐霉菌发酵获得菌丝,然后进行高温灭活,将灭活的菌丝施加到千层塔培养基质中,能够提高千层塔的移栽成活率。该方法将千层塔特有的内生真菌引入栽培基质中,可显著提高千层塔对新环境的适应能力,为千层塔的移栽提供新途径。CGMCC 1077020150610
【IPC分类】C12N1/14, A01N63/04, A01P21/00, C12R1/645
【公开号】CN105039172
【申请号】CN201510398022
【发明人】郭斌, 何美娜, 陈习, 何玮, 尉亚辉
【申请人】西北大学
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2015年7月8日
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