电子产品的基片研磨剂的制作方法
【专利摘要】一种电子产品的基片研磨剂，其是一种碱性的亲水半透明液体，其采用去离子水并含有：高纯硅粉粒子和单晶金刚石粒子的混合物；2~5%的脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠；2%的铜缓蚀剂巯基苯骈噻唑MBT；其pH值为9~12，该研磨剂适用各种电子产品的基片研磨和抛光处理，对电子产品的污染小，研磨光亮平整，使用安全环保。
【专利说明】电子产品的基片研磨剂
【技术领域】
[0001]本发明有关于电子产品的基片处理行业，特别是对其基片进行研磨所用的研磨剂。
【背景技术】
[0002]随着半导体技术的发展，具有更高性能和更强功能的集成电路要求更大的元件密度，与之相对应的技术发展方向之一就是采用大马士革结构的铜(Cu)金属互联工艺和化学机械抛光(CMP)工艺。例如中国发明专利(CN ZL 200510025216.4)、中国专利申请(CN200810035095.5)便公开了相应的制造工艺及参数。 [0003]半导体产业是现代电子工业的核心，而半导体产业的基础是硅材料工业。虽然有各种各样新型的半导体材料不断出现，但90%以上的半导体器件和电路，尤其是超大规模集成电路(ULSI)都是制作在高纯优质的硅单晶抛光片和外延片上的。
[0004]同时作为电子行业的一个重要分支，LED产业近年来得到了飞速的发展。其中作为LED产品的核心和附加值最大的部分，底衬材料对LED光源的稳定性和寿命起到重要的决定作用。目前能用于商品化的衬底只有两种，即蓝宝石和碳化硅衬底。
[0005]对于上述电子产品的基片(硅片或者蓝宝石底衬)的加工中，对其要求较高的平整度，镜面度，以及反射条件等都需要通过清洗、研磨、抛光等类似加工手段获得。否则表面平整度、表面粗糙度、表面缺陷会影响表面电极质量，也容易引起MCP产生发射点和黑点。同时，表面缺陷会引起MCP和荧光屏之问的电击穿。
【发明内容】
[0006]为解决上述技术问题，本发明提供一种电子产品的基片研磨剂，其中:所述研磨剂是一种碱性的亲水半透明液体，所述液体的溶剂是去离子水，且其中含有:
1)闻纯娃粉粒子和单晶金刚石粒子的混合物；
2)2^5%的脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠；
3)2%的铜缓蚀剂巯基苯骈噻唑MBT ；
4)所述研磨剂的pH值为扩12。
[0007]本发明采用高纯硅粉粒子和单晶金刚石粒子，其具有较高的硬度，其处于碱性工作环境，可以耐腐蚀，抛光效率高，适合硅基片和蓝宝石底衬的研磨。
【具体实施方式】
[0008]本发明提供一种电子产品的基片研磨剂，其中，所述研磨剂是一种碱性的亲水半透明液体，所述液体的溶剂是去离子水，且其中含有:
1)闻纯娃粉粒子和单晶金刚石粒子的混合物；
2)2^5%的脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠；
3)2%的铜缓蚀剂巯基苯骈噻唑MBT ；4)所述研磨剂的pH值为扩12。
[0009]本发明的研磨剂是一种碱性的亲水性制剂，便于在工业环境中操作、清洗和回收。
[0010]同时采用高纯硅粉粒子和单晶金刚石粒子，该粒子具有较高的硬度，且同电子产品的基片具有类似的材质特性，因此在研磨时不会参入有害污染物质，保证电子产品的后期性能。
[0011] 另外其处于碱性工作环境，可以耐腐蚀，抛光效率高，适合硅基片和蓝宝石底衬的研磨。
[0012]作为本发明的优选实施例，所述粒子混合物的含量为30%。其保证了研磨质量的同时，也使得其更具有亲水的特性，便于后续设备的使用。
[0013]作为本发明的另一实施例，所述碱性的亲水半透明液体采用NaOH或KOH调节所得。其具有亲水特性，同时属于工业常备材料，成本较低。
[0014]作为本发明的优选方案，所述研磨剂内所含Cu和Fe的浓度小于30ppm。通过调整重金属的含量，并结合所采用的粒子材质，保证了本发明的研磨剂能够安全和广泛的应用于所述的电子产品的基片加工，不会对其产生污染。
[0015]作为本发明的优选，所述高纯的硅粉粒子和单晶金刚石粒子的混合物的质量比为1:2。保证了研磨的硬度和化学特性。能够达到光亮、平整的技术要求。
[0016]应了解本发明所要保护的范围不限于非限制性实施方案，应了解非限制性实施方案仅仅作为实例进行说明。本申请所要要求的实质的保护范围更体现于独立权利要求提供的范围，以及其从属权利要求。
【权利要求】
1.一种电子产品的基片研磨剂，其特征在于:所述研磨剂是一种碱性的亲水半透明液体，所述液体的溶剂是去离子水，且其中含有: 1)闻纯娃粉粒子和单晶金刚石粒子的混合物； 2)2^5%的脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠； 3)2%的铜缓蚀剂巯基苯骈噻唑MBT ； 4)所述研磨剂的pH值为扩12。
2.如权利要求1所述的基片研磨剂，其特征在于:所述粒子混合物的含量为30%。
3.如权利要求1所述的基片研磨剂，其特征在于:所述碱性的亲水半透明液体采用NaOH或KOH调节所得。
4.如权利要求1所述的基片研磨剂，其特征在于:其内所含Cu和Fe的浓度小于30ppm。
5.如权利要求1所述的基片研磨剂，其特征在于:高纯的硅粉粒子和单晶金刚石粒子的混合物的质量比为1 :2。
【文档编号】C09K3/14GK103614115SQ201310538756
【公开日】2014年3月5日 申请日期:2013年11月5日 优先权日:2013年11月5日
【发明者】夏泽军 申请人:昆山宏凌电子有限公司