一种适用于蓝宝石a面的化学机械抛光组合物的制作方法

文档序号:3717470阅读:283来源:国知局
一种适用于蓝宝石a面的化学机械抛光组合物的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物。本发明组合物由研磨颗粒、络合剂、表面活性剂、抑菌剂、无机碱和水组成;研磨颗粒的含量为重量百分比5~50%;络合剂的含量为重量百分比0.01~10%;表面活性剂的含量为重量百分比0.01~5%;抑菌剂的含量为重量百分比0.001~1%;无机碱的含量为重量百分比0.1~10%;用水补足含量至重量百分比100%。经本发明所述抛光组合物抛光后的A面蓝宝石晶片的去除速率与表面粗糙度效果较好,去除速率从现有的0.4um/h左右提高到1um/h以上,可显著提高生产效率。
【专利说明】-种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物

【技术领域】
[0001] 本发明属于蓝宝石晶片的加工领域,特别涉及一种用于蓝宝石A面的化学机械抛 光组合物。

【背景技术】
[0002] 蓝宝石单晶(Sapphire),又称白宝石,分子式为A1203,透明,与天然宝石具有相 同的光学特性和力学性能,有着很好的热特性,极好的电气特性和介电特性,并且防化学腐 蚀,对红外线透过率高,有很好的耐磨性,硬度仅次于金刚石,达莫氏9级,在高温下仍具有 较好的稳定性,熔点为2030°C,所以被广泛应用于工业、国防、科研等领域,越来越多地用 作固体激光、红外窗口、半导体芯片的衬底片、精密耐磨轴承等高【技术领域】中零件的制造材 料。
[0003] 蓝宝石具有优异的化学稳定性、光学透明性和合乎需要的机械性能,如抗碎裂性、 耐久性、抗刮擦性、抗辐射性和在高温的挠曲强度等,已广泛应用于LED衬底,红外窗口,手 机面板等领域。无论是LED衬底、红外窗口、还是手机面板,都需要表面超光滑,而此目的的 实现很大程度依赖于蓝宝石衬底的表面加工,化学机械抛光(CMP)是其目前最普遍的表面 加工技术。CMP工艺中最关键耗材之一是抛光液,其性能直接影响加工后的表面质量。
[0004] 蓝宝石晶片根据用途不同可以沿着许多结晶轴切割,见图1,例如C面(0001向,也 称为〇度平面或基面)、A面(11-20方向,也称为90度蓝宝石)和R面(1-102方向,与C 面成57.6度)。C面蓝宝石不具极性,所以最常用作LED衬底,在此基础上生长GaN磊晶。R 面蓝宝石特别用于半导体、微波和压力传感器中。A面蓝宝石较C面与R面更加致密,用其 加工成为窗口片、手机面板,不仅利用其更耐高温、抗腐蚀和高硬度等优势,更避免了 C面 存在的晶片缺陷问题,提高了晶体的利用率,大大降低了成本。由于蓝宝石C面与A面致密 度不同,抛光过程中所使用的抛光组合物也不同,抛光去除更加致密的蓝宝石A面,最突出 的问题是抛光速率低,加工周期长。目前整个蓝宝石行业仍较多专注于C面LED衬底的加 工,对于A面的化学机械抛光加工技术还少有报道。随着红外窗口、手机面板等A面蓝宝石 的大量使用,迫切需要开发适用于A面的蓝宝石抛光组合物,以满足近年来急剧增长额市 场需求。


【发明内容】

[0005] 本发明的目的是,克服现有技术中存在的不足,提供一种适用于蓝宝石A面的化 学机械抛光组合物。
[0006] 本发明一种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物,通过以下技术方案实现: [0007] 所述的一种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物,由研磨颗粒、络合剂、表面 活性剂、抑菌剂、无机碱和水组成;
[0008] 所述的研磨颗粒为二氧化硅、三氧化二铝或覆盖铝的二氧化硅高分子研磨颗粒中 的一种或多种组合物;研磨颗粒的较佳含量为重量百分比5?50%,更佳含量为10-40% ; 研磨颗粒的粒径为20?200nm,较佳为40-150nm,更佳为60-120nm ;
[0009] 所述的络合剂为乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸钠盐、乙二胺四乙酸钾盐、羟乙基乙 二胺、氨基三乙酸钠盐、氨基三乙酸钾盐中的一种或多种组合物,络合剂的较佳含量为重量 百分比〇? 01?10% ;
[0010] 所述的表面活性剂为月桂醇聚氧乙烯醚、仲醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛 基酚聚氧乙烯醚、十二烷基酚聚氧乙烯醚中的一种或多种组合物,表面活性剂的较佳含量 为重量百分比0.01?5% ;
[0011] 所述的抑菌剂为对羟基苯甲酸甲酯、羟乙基六氢均三嗪、三氯叔丁醇中的一种或 几种组合物,抑菌剂的较佳含量为重量百分比0. 001?1% ;
[0012] 所述的无机碱为氢氧化钠、氢氧化钾中的一种或两种组合物,无机碱的较佳含量 为重量百分比0. 1?10% ;
[0013] 所述的水较佳为去离子水,用水补足含量至重量百分比100%。
[0014] 本发明的抛光液可按下述方法制备:将所有组分按比例混合均匀,直接使用。
[0015] 本发明的积极进步效果在于:此抛光组合物适用于蓝宝石A面的化学机械抛光, 经本发明所述抛光组合物抛光后的A面蓝宝石晶片的去除速率与表面粗糙度效果较好,去 除速率从现有的0. 4um/h左右提商到lum/h以上,可显者提商生广效率。

【专利附图】

【附图说明】
[0016] 图1监宝石晶片不同结晶面不意图。
[0017]

【权利要求】
1. 一种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物,其特征在于,其由研磨颗粒、络合 齐IJ、表面活性剂、抑菌剂、无机碱和水组成; 所述的研磨颗粒为二氧化硅、三氧化二铝或覆盖铝的二氧化硅高分子研磨颗粒中的一 种或多种;研磨颗粒的含量为重量百分比5?50% ; 所述的络合剂为乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸钠盐、乙二胺四乙酸钾盐、羟乙基乙 二胺、氨基三乙酸钠盐、氨基三乙酸钾盐中的一种或多种;络合剂的含量为重量百分比 0? 01 ?10% ; 所述的表面活性剂为月桂醇聚氧乙烯醚、仲醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基 酚聚氧乙烯醚、十二烷基酚聚氧乙烯醚中的一种或多种;表面活性剂的含量为重量百分比 0? 01 ?5% ; 所述的抑菌剂为对羟基苯甲酸甲酯、羟乙基六氢均三嗪、三氯叔丁醇中的一种或几种; 抑菌剂的含量为重量百分比〇. 〇〇1?1% 所述的无机碱为氢氧化钠、氢氧化钾中的一种或两种;无机碱的含量为重量百分比 0? 1 ?10% ; 用水补足含量至重量百分比100%。
2. 如权利要求1所述的一种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物,其特征在于,研 磨颗粒的含量为10-40%。
3. 如权利要求1所述的一种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物,其特征在于,所 述的研磨颗粒的粒径为20?200nm。
4. 如权利要求3所述的一种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物,其特征在于,研 磨颗粒的粒径为40_150nm。
5. 如权利要求4所述的一种适用于蓝宝石A面的化学机械抛光组合物,其特征在于,研 磨颗粒的粒径为60_120nm。
【文档编号】C09G1/02GK104449399SQ201410685233
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年11月25日 优先权日:2014年11月25日
【发明者】何彦刚, 牛新环, 孙鸣, 陈国栋, 张玉峰, 周建伟, 刘玉岭 申请人:河北工业大学
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