本发明涉及荧光晶体材料技术领域，尤其涉及一种噻唑荧光晶体材料及其制备方法。
背景技术：
荧光材料分无机荧光材料和有机荧光材料。无机荧光材料的代表为稀土离子发光及稀土荧光材料，其优点是吸收能力强，转换率高，稀土配合物中心离子的窄带发射有利于全色显示，且物理化学性质稳定。由于稀土离子具有丰富的能级和4f电子跃迁特性，使稀土成为发光宝库，为高科技领域特别是信息通讯领域提供了性能优越的发光材料。常见的无机荧光材料是以碱土金属的硫化物(如zns、cas)铝酸盐(sral2o4,caal2o4,baal2o4)等作为发光基质，以稀土镧系元素[铕(eu)、钐(sm)、铒(er)、钕(nd)等]作为激活剂和助激活剂。无机荧光体的传统制备方法是高温固相法，但随着新技术的快速更新，发光材料性能指标的提高需要克服经典合成方法所固有的缺陷，一些新的方法应运而生，如燃烧法、溶胶—凝胶法[、水热沉淀法、微波法等。在发光领域中，有机材料的研究日益受到人们的重视。因为有机化合物的种类繁多，可调性好，色彩丰富，色纯度高，分子设计相对比较灵活。根据不同的分子结构，有机发光材料可分为：(1)有机小分子发光材料；(2)有机高分子发光材料；(3)有机配合物发光材料。这些发光材料无论在发光机理、物理化学性能上，还是在应用上都有各自的特点。有机小分子发光材料种类繁多，它们多带有共轭杂环及各种生色团，结构易于调整，通过引入烯键、苯环等不饱和基团及各种生色团来改变其共轭长度，从而使化合物光电性质发生变化。如恶二唑及其衍生物类，三唑及其衍生物类，罗丹明及其衍生物类，香豆素类衍生物，1,8-萘酰亚胺类衍生物，吡唑啉衍生物，三苯胺类衍生物，卟啉类化合物，咔唑、吡嗪、噻唑类衍生物，苝类衍生物等。它们广泛应用于光学电子器件、dna诊断、光化学传感器、染料、荧光增白剂、荧光涂料、激光染料[7]、有机电致发光器件(eld)等方面。但是小分子发光材料在固态下易发生荧光猝灭现象，一般掺杂方法制成的器件又容易聚集结晶，器件寿命下降。因此众多的科研工作者一方面致力于小分子的研究，另一方面寻找性能更好的发光材料，高分子发光材料就应运而生了。目前现有的技术中荧光晶体材料存在制备流程复杂，高能耗高成本且纯度不高，品质较差，荧光效果不好。
有鉴于此，特提出本发明。
技术实现要素：
内容
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的是提供一种噻唑荧光晶体材料及其制备方法，重量组分配比合理，制备方法流程少，能够降低能耗，节约成本，并且通过多次的细化荧光晶体材料，能够使其荧光效果显著提升，具有良好的市场价值。
为了实现上述目的，本发明提供的一种噻唑荧光晶体材料及其制备方法，包括以下成分：噻唑、卤化银、硫化物、铝酸钡、铝酸钙、硫化锌、硫化钙、有机复合荧光材料、活性剂、稀土元素氧化物、辅助剂和ph值调节剂，其中各成分重量组分为：噻唑3-5份、卤化银6-9份、硫化物2-8份、铝酸钡2-5份、铝酸钙4-6份、硫化锌3-7份、硫化钙2-6份、有机复合荧光材料18-28份、活性剂5-15份、稀土元素氧化物9-18份、辅助剂6-12份、ph值调节剂18-20份。
优选地，所述硫化物为硫化镁、硫化锶、硫化钡和硫化铬的组合；
优选地，所述有机复合荧光材料为1,8-萘酰亚胺类衍生物、吡唑啉衍生物、三苯胺类衍生物的混合物；
优选地，所述活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、乙二醇；
优选地，所述稀土元素氧化物为氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钷、氧化钐、氧化铕的混合物；
优选地，所述辅助剂为去离子水、乙醇；
优选地，所述ph值调节剂为氢氧化钙溶液、稀盐酸；
优选地，包括以下步骤：
(1)称量研磨，按照上述的组分比例称量原料，然后分别将称量好的原料存储备用，将卤化银、硫化物、铝酸钡、铝酸钙、硫化锌、硫化钙依次放入研磨机，进行研磨碾碎处理，控制研磨机转速为760-800转/分，研磨处理20-40分钟，然后对粉末进行筛选，筛网为300目，不符合颗粒度要求的继续进行研磨筛选，将符合要求的粉末留取备用；
(2)浸洗，将上一步制得的粉末投入到高压釜中，加入硫化镁、硫化锶、硫化钡和硫化铬、活性剂、稀土元素氧化物搅拌混合，然后再加入去离子水、乙醇，保持高压釜密闭，进行加压加热处理，加热温度为280-460摄氏度，压强控制为6-8个大气压强，反应时间为35-45分钟，然后对高压釜进行泄压，将内部的浆料取出投入到搅拌装置中，检测ph值，并调节ph值至7；
(3)煅烧，将上一步制得的中性浆料放置到煅烧炉中进行煅烧，煅烧温度控制为500-600摄氏度，煅烧时间为1-2小时，然后冷却即可制得荧光晶体材料粗品；
(4)研细，将荧光晶体材料粗品使用研磨设备进行研磨，过400目筛，即可制得荧光晶体材料；
优选地，所述步骤(2)中使用ph值调节剂进行ph值调节的过程为：若检测到浆料呈酸性，则加入的ph值调节剂为氢氧化钙溶液，若检测到浆料呈碱性，则加入的ph值调节剂为稀盐酸，调节的过程中采用滴加的方式，并每隔1分钟至少检测一次ph值，直至ph值达到7完成该过程；
优选地，所述氢氧化钙溶液的质量浓度为2-5％，所述稀盐酸的质量浓度为6-9％。
本发明提供的，具有如下有益效果：
1.通过加入多种稀土元素氧化物，能够有效的提高荧光晶体材料的荧光效果，改善荧光晶体材料的品质，通过加入铝酸钡、铝酸钙，能更进一步的提高荧光效果，使荧光晶体材料的荧光波长更加趋于一致，荧光显示效果更佳，因此能够提高市场竞争力。
2.制备方法流程少，能够降低能耗，节约成本，并且通过多次的细化荧光晶体材料，能够使其荧光效果显著提升。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步说明，以助于理解本发明的内容。
实施例1：
一种噻唑荧光晶体材料，包括以下成分：噻唑、卤化银、硫化物、铝酸钡、铝酸钙、硫化锌、硫化钙、有机复合荧光材料、活性剂、稀土元素氧化物、辅助剂和ph值调节剂，其中各成分的重量组份为：噻唑3份、卤化银6份、硫化物2份、铝酸钡2份、铝酸钙4份、硫化锌3份、硫化钙2份、有机复合荧光材料18份、活性剂5份、稀土元素氧化物9份、辅助剂6份、ph值调节剂18份。
硫化物为硫化镁、硫化锶、硫化钡和硫化铬的组合。有机复合荧光材料为1,8-萘酰亚胺类衍生物、吡唑啉衍生物、三苯胺类衍生物的混合物。活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、乙二醇。稀土元素氧化物为氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钷、氧化钐、氧化铕的混合物。辅助剂为去离子水、乙醇。ph值调节剂为氢氧化钙溶液、稀盐酸。
一种噻唑荧光晶体材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)称量研磨，按照上述的组分比例称量原料，然后分别将称量好的原料存储备用，将卤化银、硫化物、铝酸钡、铝酸钙、硫化锌、硫化钙依次放入研磨机，进行研磨碾碎处理，控制研磨机转速为760转/分，研磨处理20分钟，然后对粉末进行筛选，筛网为300目，不符合颗粒度要求的继续进行研磨筛选，将符合要求的粉末留取备用；
(2)浸洗，将上一步制得的粉末投入到高压釜中，加入硫化镁、硫化锶、硫化钡和硫化铬、活性剂、稀土元素氧化物搅拌混合，然后再加入去离子水、乙醇，保持高压釜密闭，进行加压加热处理，加热温度为280摄氏度，压强控制为6个大气压强，反应时间为35分钟，然后对高压釜进行泄压，将内部的浆料取出投入到搅拌装置中，检测ph值，并调节ph值至7；
(3)煅烧，将上一步制得的中性浆料放置到煅烧炉中进行煅烧，煅烧温度控制为500摄氏度，煅烧时间为1小时，然后冷却即可制得荧光晶体材料粗品；
(4)研细，将荧光晶体材料粗品使用研磨设备进行研磨，过400目筛，即可制得荧光晶体材料。
其中，步骤(2)中使用ph值调节剂进行ph值调节的过程为：若检测到浆料呈酸性，则加入的ph值调节剂为氢氧化钙溶液，若检测到浆料呈碱性，则加入的ph值调节剂为稀盐酸，调节的过程中采用滴加的方式，并每隔1分钟至少检测一次ph值，直至ph值达到7完成该过程。氢氧化钙溶液的质量浓度为5％，所述稀盐酸的质量浓度为9％。
实施例2：
一种噻唑荧光晶体材料，包括以下成分：噻唑、卤化银、硫化物、铝酸钡、铝酸钙、硫化锌、硫化钙、有机复合荧光材料、活性剂、稀土元素氧化物、辅助剂和ph值调节剂，其中各成分的重量组份为：噻唑4份、卤化银7份、硫化物5份、铝酸钡4份、铝酸钙5份、硫化锌6份、硫化钙3份、有机复合荧光材料22份、活性剂10份、稀土元素氧化物12份、辅助剂10份、ph值调节剂20份。
硫化物为硫化镁、硫化锶、硫化钡和硫化铬的组合。有机复合荧光材料为1,8-萘酰亚胺类衍生物、吡唑啉衍生物、三苯胺类衍生物的混合物。活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、乙二醇。稀土元素氧化物为氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钷、氧化钐、氧化铕的混合物。辅助剂为去离子水、乙醇。ph值调节剂为氢氧化钙溶液、稀盐酸。
一种噻唑荧光晶体材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)称量研磨，按照上述的组分比例称量原料，然后分别将称量好的原料存储备用，将卤化银、硫化物、铝酸钡、铝酸钙、硫化锌、硫化钙依次放入研磨机，进行研磨碾碎处理，控制研磨机转速为780转/分，研磨处理30分钟，然后对粉末进行筛选，筛网为300目，不符合颗粒度要求的继续进行研磨筛选，将符合要求的粉末留取备用；
(2)浸洗，将上一步制得的粉末投入到高压釜中，加入硫化镁、硫化锶、硫化钡和硫化铬、活性剂、稀土元素氧化物搅拌混合，然后再加入去离子水、乙醇，保持高压釜密闭，进行加压加热处理，加热温度为350摄氏度，压强控制为7个大气压强，反应时间为40分钟，然后对高压釜进行泄压，将内部的浆料取出投入到搅拌装置中，检测ph值，并调节ph值至7；
(3)煅烧，将上一步制得的中性浆料放置到煅烧炉中进行煅烧，煅烧温度控制为560摄氏度，煅烧时间为2小时，然后冷却即可制得荧光晶体材料粗品；
(4)研细，将荧光晶体材料粗品使用研磨设备进行研磨，过400目筛，即可制得荧光晶体材料。
其中，步骤(2)中使用ph值调节剂进行ph值调节的过程为：若检测到浆料呈酸性，则加入的ph值调节剂为氢氧化钙溶液，若检测到浆料呈碱性，则加入的ph值调节剂为稀盐酸，调节的过程中采用滴加的方式，并每隔1分钟至少检测一次ph值，直至ph值达到7完成该过程。氢氧化钙溶液的质量浓度为5％，所述稀盐酸的质量浓度为9％。
实施例3：
一种噻唑荧光晶体材料，包括以下成分：噻唑、卤化银、硫化物、铝酸钡、铝酸钙、硫化锌、硫化钙、有机复合荧光材料、活性剂、稀土元素氧化物、辅助剂和ph值调节剂，其中各成分的重量组份为：噻唑5份、卤化银9份、硫化物8份、铝酸钡5份、铝酸钙6份、硫化锌7份、硫化钙6份、有机复合荧光材料28份、活性剂15份、稀土元素氧化物18份、辅助剂12份、ph值调节剂20份。
硫化物为硫化镁、硫化锶、硫化钡和硫化铬的组合。有机复合荧光材料为1,8-萘酰亚胺类衍生物、吡唑啉衍生物、三苯胺类衍生物的混合物。活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、乙二醇。稀土元素氧化物为氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钷、氧化钐、氧化铕的混合物。辅助剂为去离子水、乙醇。ph值调节剂为氢氧化钙溶液、稀盐酸。
一种噻唑荧光晶体材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)称量研磨，按照上述的组分比例称量原料，然后分别将称量好的原料存储备用，将卤化银、硫化物、铝酸钡、铝酸钙、硫化锌、硫化钙依次放入研磨机，进行研磨碾碎处理，控制研磨机转速为800转/分，研磨处理40分钟，然后对粉末进行筛选，筛网为300目，不符合颗粒度要求的继续进行研磨筛选，将符合要求的粉末留取备用；
(2)浸洗，将上一步制得的粉末投入到高压釜中，加入硫化镁、硫化锶、硫化钡和硫化铬、活性剂、稀土元素氧化物搅拌混合，然后再加入去离子水、乙醇，保持高压釜密闭，进行加压加热处理，加热温度为460摄氏度，压强控制为8个大气压强，反应时间为45分钟，然后对高压釜进行泄压，将内部的浆料取出投入到搅拌装置中，检测ph值，并调节ph值至7；
(3)煅烧，将上一步制得的中性浆料放置到煅烧炉中进行煅烧，煅烧温度控制为600摄氏度，煅烧时间为2小时，然后冷却即可制得荧光晶体材料粗品；
(4)研细，将荧光晶体材料粗品使用研磨设备进行研磨，过400目筛，即可制得荧光晶体材料。
其中，步骤(2)中使用ph值调节剂进行ph值调节的过程为：若检测到浆料呈酸性，则加入的ph值调节剂为氢氧化钙溶液，若检测到浆料呈碱性，则加入的ph值调节剂为稀盐酸，调节的过程中采用滴加的方式，并每隔1分钟至少检测一次ph值，直至ph值达到7完成该过程。氢氧化钙溶液的质量浓度为5％，所述稀盐酸的质量浓度为9％。
本发明的重量组分配比合理，能够提高荧光晶体材料的荧光效果，并且本发明的荧光晶体材料的制备方法通过优化工序，提高荧光晶体材料的颗粒细度，也进一步的提高荧光效果。
本文中应用了具体个例对发明构思进行了详细阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离该发明构思的前提下，所做的任何显而易见的修改、等同替换或其他改进，均应包含在本发明的保护范围之内。