覆盖有荧光体层的led、其制造方法以及led 装置制造方法
【专利摘要】本发明提供覆盖有荧光体层的LED、其制造方法及LED装置。该制造方法包括以下工序：准备工序，准备支承片，该支承片包括硬质的支承板和层叠在支承板的厚度方向上的一个表面上的、粘合力会因照射活性能量线而降低的粘合层；LED粘合工序，借助粘合层将LED粘合于支承板；覆盖工序，将荧光体层配置在支承板的厚度方向上的一个表面上，利用荧光体层来覆盖LED；切割工序，在覆盖工序后，通过与LED相对应地切割荧光体层，获得覆盖有荧光体层的LED，该覆盖有荧光体层的LED包括LED和覆盖LED的荧光体层；以及LED剥离工序，在切割工序之后，从至少厚度方向上的一侧向粘合层照射活性能量线，并将覆盖有荧光体层的LED自粘合层剥离。
【专利说明】覆盖有荧光体层的LED、其制造方法以及LED装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及覆盖有荧光体层的LED、该覆盖有荧光体层的LED的制造方法以及LED装置，详细而言，本发明涉及覆盖有荧光体层的LED的制造方法、通过该覆盖有荧光体层的LED的制造方法而获得的覆盖有荧光体层的LED以及具有该覆盖有荧光体层的LED的LED
>j-U ρ?α装直。
【背景技术】
[0002]以往，公知发光二极管装置(以下，简称为LED装置。)是通过以下方法制造的:首先，在基板上安装多个发光二极管元件(以下，简称为LED。)，接着，以覆盖多个LED的方式设置荧光体层，之后，单片化为各LED。
[0003]然而，由于在多个LED之间产生发光波长、发光效率的偏差，因此，在安装有上述LED的LED装置中，存在在多个LED之间产生发光的偏差的不良情况。
[0004]为了消除该不良情况，例如研究了以下方法:利用荧光体层覆盖多个LED来制作覆盖有荧光体层的LED，之后，根据发光波长、发光效率来筛选覆盖有荧光体层的LED，然后将筛选出的覆盖有荧光体层的LED安装在基板上。
[0005]例如，提出有一种通过下述方法而获得的覆盖有荧光体层的LED (芯片零件)(例如，参照日本特开2001 - 308116号公报。)。
[0006]即，首先，在石`英基板之上粘贴粘合力会因照射紫外线而降低的粘合片，之后，在粘合片之上粘贴芯片(LED)。然后，自芯片之上涂敷树脂，在粘合片之上制作由被树脂覆盖的芯片构成的疑似晶圆。之后，自石英基板的背面侧(下侧)照射紫外线以减弱粘合片的粘合力，将疑似晶圆自石英基板和粘合片剥离。之后，以芯片为单位对剥离下来的疑似晶圆进行切割而使其单片化。
[0007]但是，在日本特开2001 - 308116号公报所记载的方法中，由于自背面侧照射的紫外线在透过石英基板之后达到粘合片，因此，作为基板，需要选择石英基板等紫外线可透过的基板材料。因此，基板材料的选择受到制限。
[0008]另外，在日本特开2001 - 308116号公报所记载的方法中，在要切割疑似晶圆时，已经将疑似晶圆自石英基板和粘合片剥离，也就是说疑似晶圆没有由石英基板支承，因此，不能够以优异的精度切割疑似晶圆，其结果，存在所获得的芯片零件的尺寸稳定性较低这样的不良情况。
【发明内容】
[0009]本发明的目的在于提供不仅能够使用活性能量线透过性的支承板、还能够使用活性能量线阻隔性的支承板、而且能够简便且以优异的尺寸稳定性获得覆盖有荧光体层的LED的覆盖有荧光体层的LED的制造方法、通过该覆盖有荧光体层的LED的制造方法而获得的覆盖有荧光体层的LED以及具有该覆盖有荧光体层的LED的LED装置。
[0010]本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的特征在于，该覆盖有荧光体层的LED的制造方法包括以下工序:准备工序，在该准备工序中，准备支承片，该支承片包括硬质的支承板和层叠在上述支承板的厚度方向上的一个表面上的、粘合力会因照射活性能量线而降低的粘合层；LED粘合工序，在该LED粘合工序中，借助上述粘合层将LED粘合于上述支承板；覆盖工序，在该覆盖工序中，将荧光体层配置在上述支承板的上述厚度方向上的一个表面上，利用上述荧光体层来覆盖上述LED ;切割工序，在上述覆盖工序后的该切割工序中，通过与上述LED相对应地切割上述荧光体层，从而获得覆盖有荧光体层的LED，该覆盖有荧光体层的LED包括上述LED和用于覆盖上述LED的上述荧光体层；以及LED剥离工序，在上述切割工序之后的该LED剥离工序中，从至少上述厚度方向上的一侧向上述粘合层照射活性能量线，并将上述覆盖有荧光体层的LED自上述粘合层剥离。
[0011]另外，在本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法中，优选上述荧光体层由荧光体片形成。
[0012]另外，在本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法中，优选在上述覆盖工序中，利用B阶段的上述荧光体片来覆盖上述LED，之后，使上述荧光体片固化而达到C阶段。
[0013]另外，在本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法中，优选上述荧光体层包括:覆盖部，其用于覆盖上述LED ;以及反射部，其含有光反射成分且以包围上述覆盖部的方式形成。
[0014]另外，在本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法中，优选在上述准备工序中，以预先设置基准标记的方式准备上述支承片，该基准标记在上述切割工序中作为切割基准。
[0015]另外，本发明的覆盖有荧光体层的LED的特征在于，该覆盖有荧光体层的LED通过覆盖有荧光体层的LED的制造方法而获得，该覆盖有荧光体层的LED的制造方法包括以下工序:准备工序，在该准备工序中，准备支承片，该支承片包括上述硬质的支承板和层叠在上述支承板的厚度方向上的一个表面上的、粘合力会因照射活性能量线而降低的粘合层；LED粘合工序，在该LED粘合工序中，借助上述粘合层将LED粘合于上述支承板；覆盖工序，在该覆盖工序中，将荧光体层配置在上述支承板的上述厚度方向上的一个表面上，利用上述荧光体层来覆盖上述LED ;切割工序，在上述覆盖工序后的该切割工序中，通过与上述LED相对应地切割上述荧光体层，从而获得覆盖有荧光体层的LED，该覆盖有荧光体层的LED包括上述LED和用于覆盖上述LED的上述荧光体层；以及LED剥离工序，在上述切割工序之后的该LED剥离工序中，从至少上述厚度方向上的一侧向上述粘合层照射活性能量线，并将上述覆盖有荧光体层的LED自上述粘合层剥离。
[0016]另外，本发明的LED装置的特征在于，该LED装置包括基板和安装在上述基板上的上述覆盖有荧光体层的LED，上述覆盖有荧光体层的LED通过覆盖有荧光体层的LED的制造方法而获得，该覆盖有荧光体层的LED的制造方法包括以下工序:准备工序，在该准备工序中，准备支承片，该支承片包括硬质的支承板和层叠在上述支承板的厚度方向上的一个表面上的、粘合力会因照射活性能量线而降低的粘合层；LED粘合工序，在该LED粘合工序中，借助上述粘合层将LED粘合于上述支承板；覆盖工序，在该覆盖工序中，将荧光体层配置在上述支承板的上述厚度方向上的一个表面上，利用上述荧光体层来覆盖上述LED ;切割工序，在上述覆盖工序后的该切割工序中，通过与上述LED相对应地切割上述荧光体层，从而获得覆盖有荧光体层的LED，该覆盖有荧光体层的LED包括上述LED和用于覆盖上述LED的上述荧光体层；以及LED剥离工序，在上述切割工序之后的该LED剥离工序中，从至少上述厚度方向上的一侧向上述粘合层照射活性能量线，并将上述覆盖有荧光体层的LED自上述粘合层剥离。
[0017]采用本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法，在LED剥离工序中，从至少厚度方向上的一侧向粘合层照射活性能量线。于是，活性能量线透过荧光体层而照射至粘合层。因此，不必由活性能量线可透过的基板材料来形成支承板并使活性能量线透过该支承板。其结果，作为支承板，不仅能够从活性能量线透过性的支承板中选择，而且还能够从活性能量线阻隔性的支承板中选择。
[0018]另外，在切割工序后，实施LED剥离工序。也就是说，在切割工序中，能够一边通过具有硬质的支承板的支承片来支承LED和荧光体片一边切割荧光体片。因此，能够获得尺寸稳定性优异的覆盖有荧光体层的LED。
[0019]因而，本发明的覆盖有荧光体层的LED的尺寸稳定性优异。
[0020]另外，由于本发明的LED装置具有尺寸稳定性优异的覆盖有荧光体层的LED，因此可靠性优异，因此提高了发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第I实施方式的工序图，图1的(a)表示准备支承片的准备工序，图1的(b)表示将LED配置在支承片之上的LED粘合工序，图1的(C)表不将突光体片粘合在支承片的上表面上的片粘合工序，图1的(d)表示利用荧光体片来密封LED的密封工序以及切割荧光体片的切割工序，图1的(e)表示将覆盖有荧光体层的LED自支承片剥离的LED剥离工序，图1的(f)表示将覆盖有荧光体层的LED安装在基板上的安装工序。
[0022]图2是表示图1的(a)所示的支承片的俯视图。
[0023]图3是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第2实施方式的工序图，图3的(a)表示准备支承片的准备工序，图3的(b)表示将LED配置在支承片之上的LED粘合工序，图3的(c)表示通过埋设一反射片的埋设部来埋设LED的片粘合工序，图3的(d)表示利用埋设部来密封LED的密封工序和切割反射部的切割工序，图3的(e)表示将设有反射部的覆盖有荧光体片的LED自支承片剥离的LED剥离工序，图3的(f)表示将设有反射部的覆盖有荧光体片的LED安装在基板上的安装工序。
[0024]图4是表不图3的(d)所不的埋设有突光体片的LED的俯视图。
[0025]图5是图3的(b)所示的埋设一反射片的制造方法的工序图，图5的(a)表示在冲压装置中配置反射片的工序，图5的(b)表示对反射片进行冲压而形成反射部的工序，图5的(c)表示将荧光体片配置在反射部之上的工序，图5的(d)表示对荧光体片进行冲压而形成埋设部的工序，图5的(e)表示将埋设一反射片自剥离片剥离的工序。
[0026]图6是本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第3实施方式所使用的埋设一反射片的制造方法的工序图，图6的(a)表示在冲压装置中配置反射片的工序，图6的(b)表示对反射片进行冲压而形成反射部的工序，图6的(C)表示将荧光树脂组合物的清漆灌注于通孔的工序，图6的(d)表示将埋设一反射片自剥离片剥离的工序。
[0027]图7是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第4实施方式的工序图，图7的(a)表示准备支承片的准备工序，图7的(b)表示将LED配置在支承片之上的LED粘合工序，图7的(c)表示利用埋设一反射片的埋设部来埋设LED的片粘合工序，图7的(d)表示利用埋设部来密封LED的密封工序和切割反射部的切割工序，图7的(e)表示将设有反射部的覆盖有荧光体片的LED自支承片剥离的LED剥离工序，图7的(f)表示将设有反射部的覆盖有荧光体片的LED安装在基板上的安装工序。
[0028]图8是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第5实施方式的工序图，图8的(a)表示准备支承片的准备工序，图8的(b)表示将LED配置在支承片之上的LED粘合工序，图8的(c)表示利用埋设一反射片的埋设部来埋设LED的片粘合工序，图8的(d)表示利用埋设部来密封LED的密封工序和切割反射部的切割工序，图8的(e)表示将设有反射部的覆盖有荧光体片的LED自支承片剥离的LED剥离工序，图8的(f)表示将设有反射部的覆盖有荧光体片的LED安装在基板上的安装工序。
[0029]图9是图8的(b)所示的埋设一反射片的制造方法的工序图，图9的(a)表示在冲裁装置中配置反射片的工序，图9的(b)表示对反射片进行冲裁而形成反射部的工序，图9的(c)表示将荧光体片配置在反射部之上的工序，图9的(d)表示对荧光体片进行冲压而形成埋设部的工序，图9的(e)表示将埋设一反射片自剥离片剥离的工序。
[0030]图10是本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第6实施方式所使用的埋设一反射片的制造方法的工序图，图10的(a)表示在冲裁装置中配置反射片的工序，图10的(b)表示对反射片进行冲裁而形成反射部的工序，图10的(C)表示将荧光树脂组合物的清漆灌注于通孔的工序，图10的(d)表示将埋设一反射片自剥离片剥离的工序。
[0031]图11是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第7实施方式的工序图，其中，图11的(a)表示准备支承片的准备工序，图11的(b)表示将LED配置在支承片之上的LED粘合工序，图11的(c)表示利用覆盖部来覆盖LED的覆盖工序，图11的(d)表示使覆盖部固化的固化工序和切割反射部的切割工序，图11的(e)表示将设有反射部的覆盖有荧光体片的LED自支承片剥离的LED剥离工序，图11的(f)表示将设有反射部的覆盖有荧光体片的LED安装在基板上的安装工序。
[0032]图12是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第8实施方式的工序图，图12的(a)表示准备支承片的准备工序，图12的(b)表示将LED配置在支承片之上的LED粘合工序，图12的(c)表示利用荧光体片来覆盖LED的侧面的片粘合工序，图12的(d)表示使荧光体片固化的固化工序和切割荧光体片的切割工序，图12的(e)表示将覆盖有荧光体片的LED自支承片剥离的LED剥离工序，图12的(f)表示将覆盖有荧光体片的LED安装在基板上的安装工序。
[0033]图13是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第9实施方式所使用的分配器的立体图。
【具体实施方式】
[0034]第I实施方式
[0035]在图1中，以纸面的上下方向为上下方向(第I方向、即厚度方向)，以纸面的左右方向为左右方向(第2方向、即与第I方向正交的方向)、纸面的纸厚方向为前后方向(第3方向、即与第I方向和第2方向正交的方向)。图2之后的各图以上述方向和图1的方向箭头为基准。
[0036]图1是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第I实施方式的工序图。图2是表不图1的(a)所不的支承片的俯视图。
[0037]此外，在图2中，为了明确示出后述的支承板2与基准标记18之间的相对配置，省略了后述的粘合层3。
[0038]作为覆盖有荧光体层的LED的一个例子的覆盖有荧光体片的LEDlO的制造方法包括以下工序:准备工序，在该准备工序中，准备支承片I (参照图1的(a));LED粘合工序，在该LED粘合工序中，借助粘合层3将LED4粘合于支承板2 (参照图1的(b));密封工序，在该密封工序中，利用作为荧光体层的荧光体片5来密封LED4(覆盖工序的一个例子，参照图1的(c)和图1的(d));切割工序，在该切割工序中，与LED4相对应地切割荧光体片5 (参照图1的(d)的虚线)；以及LED剥离工序，在该LED剥离工序中，将覆盖有荧光体片的LEDlO自粘合层3剥离(参照图1的(e))。
[0039]以下，详细叙述各工序。
[0040]准各工序
[0041]如图1的(a)和图2所示，支承片I呈沿着面方向(与厚度方向正交的方向、即左右方向和前后方向)延伸的片形状，且俯视形状(沿厚度方向投影时的形状)形成为例如矩形形状。
[0042]另外，以预先设置基准标记18的方式准备支承片1，该基准标记18在后面说明的切割工序(参照图1的(d)虚线)中作为切割基准。
[0043]如图2所示，基准标记18在支承片I的面方向上的周端部隔开间隔地设有多个。例如，基准标记18分别设于支承片I中的彼此相对的两边，且基准标记18以在支承片I的两边的相对方向上构成相对的I对的方式形成。I对基准标记18与之后配置的LED4(参照图2的假想线)相对应地设置，并以在以基准标记18为基准切割荧光体片5时能够使LED4单片化的方式配置。
[0044]各基准标记18形成为俯视时易于识别的形状，例如形成为俯视大致三角形。
[0045]支承片I的尺寸如下:最大长度例如为IOmm?300mm，另外，I边的长度例如为IOmm ?300mm。
[0046]支承片I构成为能够支承接下来说明的LED4 (参照图1的(b))，支承片I例如包括支承板2和层叠在支承板2的上表面上的粘合层3。
[0047]支承板2由不能够沿着至少面方向延伸且硬质的材料形成，作为上述那样材料，只要确保了硬质性就没有特别限定，例如，能够从用于阻隔活性能量线的活性能量阻隔性材料、活性能量线可透过的活性能量线透过材料、以及活性能量线的一部分可透过(半透过)的活性能量线半透过性材料等中适当选择。具体而言，作为用于形成支承板2的材料，可列举出例如氧化硅(石英等)、氧化铝等氧化物、例如不锈钢等金属、以及例如硅等。
[0048]支承板2在23°C的温度条件下的杨氏模量例如为I X IO6Pa以上，优选为I X IO7Pa以上，更优选为I X IO8Pa以上，并且，例如也为I X IO12Pa以下。若支承板2的杨氏模量在上述下限以上，则能够确保支承板2的硬质而能够可靠地支承后述的LED4(参照图1的(b))。此外，支承板2的杨氏模量例如由JIS H7902:2008的压缩弹性模量等求出。
[0049]支承板2的厚度例如为0.1mm以上,优选为0.3mm以上,例如为5mm以下，也优选为2mm以下。
[0050]如图1的(a)所示，粘合层3形成在支承板2的整个上表面上。
[0051]粘合层3作为活性能量线照射剥离层(片)而由粘合力会因照射活性能量线而降低的材料形成，具体而言，可列举出例如丙烯酸系压敏性粘接剂层等压敏性粘接剂层。另外，粘合层3也可以由例如日本特开2001 - 308116号公报所记载的活性能量线照射剥离层(片)形成。
[0052]粘合层3的厚度例如为0.1mm以上,优选为0.2mm以上，并且，为Imm以下，也优选为0.5mm以下。
[0053]在准备支承片I时，例如将支承板2和粘合层3粘合起来。此外，也能够通过以下方法来准备支承片1:首先，准备支承板2，接着，将由上述粘合材料和根据需要而配合的溶剂制备的清漆涂敷在支承板2上，之后，根据需要，通过蒸馏除去溶剂的涂敷方法等将粘合层3直接层叠在支承板2上。
[0054]支承片I的厚度例如为0.2mm以上,优选为0.5mm以上，并且为6mm以下，也优选为2.5mm以下。
[0055]LED粘合工序
[0056]LED粘合工序是在准备工序之后实施的。
[0057]如图1的(b)的下部和图2的假想线所示，LED4形成为例如厚度小于面方向(与厚度方向正交的方向)长度(最大长度)的剖视大致矩形形状和俯视大致矩形形状。另外，LED4的下表面由未图示的凸块形成。作为LED4，可列举出例如发出蓝色光的蓝色二极管元件。
[0058]LED4的面方向的最大长度例如为0.1mm?3mm。另外，LED4的厚度例如为0.05mm ?Imm0
[0059]在LED粘合工序中，例如，将多个LED4以直线对齐状粘合在粘合层3的上表面上。具体而言，以使多个LED4在俯视时在前后左右方向上互相隔开等间隔的方式将LED4粘合在粘合层3的上表面上。另外，以使未图不的凸块与粘合层3的上表面相对的方式将LED4粘合在粘合层3的上表面上。由此，LED4以维持其直线对齐状态的方式被支承(压敏性粘接)于粘合层3的上表面。
[0060]各LED4之间的间隔例如为0.05mm?2mm。
[0061]密封工序
[0062]密封工序是在LED粘合工序之后实施的。
[0063]在图1的(b)的上部，荧光体片5由含有固化性树脂和荧光体的荧光树脂组合物形成为沿着面方延伸的片状。
[0064]作为固化性树脂，可列举出例如通过加热而固化的热固化性树脂、例如通过照射紫外线、电子束等活性能量线(例如，紫外线、电子束等)而固化的活性能量线固化性树脂等。优选列举出热固化性树脂。
[0065]具体而言，作为固化性树脂，可列举出例如硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂等热固化性树脂。优选列举出硅树脂。
[0066]作为硅树脂，可列举出例如2阶段固化型硅树脂、I阶段固化型硅树脂等硅树脂，优选列举出2阶段固化型硅树脂。[0067]2阶段固化型硅树脂具有2阶段的反应机理，是在第I阶段的反应中B阶段化(半固化)并在第2阶段的反应中C阶段化(最终固化)的热固性硅树脂。另一方面，I阶段固化型硅树脂是具有I阶段的反应机理，是第I阶段的反应中完全固化的热固化性硅树脂。
[0068]另外，B阶段是热固化性硅树脂处于液状的A阶段与完全固化的C阶段之间的状态，是固化以及凝胶化只进行一点点、压缩弹性模量小于C阶段的弹性模量的状态。
[0069]作为2阶段固化型硅树脂，可列举出例如具有缩合反应和加成反应这两种反应体系的缩合反应.加成反应固化型硅树脂等。
[0070]相对于突光树脂组合物，固化性树脂的配合比例例如为30质量％以上,优选为50质量％以上,并且例如为99质量％以下，也优选为95质量％以下。
[0071]荧光体具有波长转换功能，可列举出例如能够将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体、能够将蓝色光转换成红色光的红色荧光体等。
[0072]作为黄色荧光体，可列举出例如Y3Al5O12:Ce (YAG (乾?铝?石榴石):Ce) Jb3Al3O12:Ce (TAG (铽?铝.石榴石):Ce)等具有石榴石型晶体构造的石榴石型荧光体、例如Ca —α — SiAlON等氮氧化物荧光体等。
[0073]作为红色荧光体，可列举出例如CaAlSiN3:Eu、CaSiN2:Eu等氮化物荧光体等。
[0074]优选列举出黄色荧光体。
[0075]作为荧光体的形状，可列举出例如球状、板状、针状等。从流动性的观点考虑，优选列举出球状。
[0076]荧光体的最大长度的平均值(在为球状的情况下为其平均粒径)例如为0.1 μ m以上，优选为Iym以上，并且例如为200 μ m以下，也优选为IOOym以下。
[0077]相对于100质量份固化性树脂,突光体的配合比例例如为0.1质量份以上,优选为0.5质量份以上,例如为80质量份以下,也优选为50质量份以下。
[0078]并且，荧光树脂组合物也能够含有填充剂。
[0079]作为填充剂，可列举出例如硅颗粒等有机微粒、例如二氧化硅、滑石、氧化铝、氮化铝、氮化硅等无机微粒。另外，相对于100质量份固化性树脂，填充剂的配合比例例如为0.1质量份以上，优选为0.5质量份以上,并且例如为70质量份以下,也优选为50质量份以下。
[0080]并且，如图1的(C)所示，在将荧光体片5借助粘合层3粘合在支承板2上时，首先，如图1的(b)的上部所示，准备荧光体片5。在准备荧光体片5时，通过对固化性树脂、荧光体以及根据需要而配合的填充剂进行配合来制备荧光树脂组合物。接着，将荧光树脂组合物涂敷于离型片13的表面，之后，进行加热。作为离型片13，可列举出例如聚乙烯薄膜、聚酯薄膜(PET等)等聚合物薄膜、例如陶瓷片、例如金属箔等。优选列举出聚合物薄膜。另外，还能够对离型片13的表面实施氟处理等剥离处理。
[0081]在固化性树脂含有2阶段固化型硅树脂的情况下，通过上述加热来使固化性树脂B阶段化(半固化)。也就是说，要准备B阶段的荧光体片5。
[0082]该荧光体片5在23°C的温度条件下的压缩弹性模量例如为0.01MPa以上，优选为0.04MPa以上，并且例如也为1.0MPa以下。
[0083]若荧光体片5的压缩弹性模量在上述上限以下，则能够确保充分的柔软性。另一方面，若荧光体片5的压缩弹性模量在下限以上，则能够埋设LED4。
[0084]接着，如图1的(C)所示，将荧光体片5以埋设LED4的方式配置在粘合层3的上表面上(埋设工序)。即，将荧光体片5以覆盖LED4的上表面和侧面的方式配置在支承片I之上。
[0085]具体而言，如图1的(b)的箭头所示，将层叠于离型片13的荧光体片5朝向粘合层3压接。
[0086]由此，LED4的侧面和上表面以及粘合层3的上表面的自LED4暴露的部分被荧光体片5以紧密贴合状覆盖。
[0087]即，在密封工序中，实施利用荧光体片5来埋设LED4的埋设工序。
[0088]之后，如图1的(C)的假想线所示，将离型片13自荧光体片5的上表面剥离。
[0089]之后，如图1的(d)所示，使荧光体片5固化。在固化性树脂为热固化性树脂的情况下，使荧光体片5热固化。具体而言，将荧光体片5加热到例如80°C以上，优选加热到100°C以上，并且加热到例如200°C以下，优选加热到180°C以下。
[0090]在热固化性树脂含有2阶段固化型硅树脂且用于埋设LED4的荧光体片5处于B阶段的情况下，荧光体片5通过上述加热而完全固化(最终固化)，从而达到C阶段。
[0091]另外，在热固化性树脂含有I阶段固化型硅树脂的情况下，荧光体片5通过上述加热而完全固化(最终固化)，从而达到C阶段。
[0092]或者，在固化性树脂为活性能量线固化性树脂的情况下，从上方向荧光体片5照射活性能量线。此外，在从上方照射活性能量线的情况下，要选择固化性树脂、照射条件，使得粘合层3的粘合力不会因照射活性能量线而降低。
[0093]固化(完全固化)后的荧光体片5具有挠性，具体而言，在23°C的温度条件下的压缩弹性模量例如为0.5MPa以上，优选为1.0MPa以上，并且例如为IOOMPa以下，也优选为IOMPa以下。若荧光体片5的压缩弹性模量在上述上限以下，则能够可靠地确保挠性，例如，在接下来的切割工序(参照图1的(d))中，也能够使用切割装置(后述)来切割荧光体片5。若荧光体片5的压缩弹性模量在上述下限以上，则能够保持切割后的形状。
[0094]另外，突光体片5对于波长400nm以下的光的光透过率例如为50%以上,优选为60%以上。若荧光体片5的光透过率在上述下限以上，则能够确保活性能量线透过荧光体片5的透过性，从而能够使活性能量线透过荧光体片5而到达粘合层3。同时，能够获得亮度优异的LED装置15 (后述)。
[0095]由此，LED4的侧面和上表面以及粘合层3的上表面的自LED4暴露的部分被荧光体片5以紧密贴合状覆盖。也就是说，LED4被C阶段的荧光体片5密封。
[0096]切割工序
[0097]在密封工序后的切割工序中，如图1的(d)的虚线所示，沿厚度方向切割LED4的周围的荧光体片5。例如，如图2的单点划线所示，将荧光体片5切割为例如包围各LED4的俯视大致矩形形状。
[0098]在切割荧光体片时5，例如使用以下装置:使用圆盘状的切割锯(切割刀片)31的切割装置、使用刀具的切割装置、激光照射装置等。
[0099]另外，荧光体片5的切割是以基准标记18为基准来实施的。具体而言，沿着将构成I对的基准标记18连接起来的直线(在图2中以单点划线表示)切割荧光体片5，以便形成切缝8。
[0100]在切割荧光体片5时，例如，以切缝8不贯通支承片I的方式自荧光体片5的上表面朝向下表面切割荧光体片5，优选以切缝8不贯通粘合层3的方式自荧光体片5的上表面朝向下表面切割突光体片5。
[0101]通过切割工序，获得与支承片I紧密贴合的状态下的覆盖有荧光体片的LED10，该覆盖有荧光体片的LEDlO包括LED4和以覆盖LED4的表面(上表面和侧面)的方式形成的荧光体片5。即，使荧光体片5与LED4相对应地单片化。
[0102]LED剥离工序
[0103]在切割工序后，在图1的(e)所示的LED剥离工序中，将覆盖有荧光体片的LEDlO自粘合层3的上表面剥离。
[0104]在将覆盖有荧光体片的LEDlO自粘合层3的上表面剥离时，首先，如图1的(e)的朝向下的箭头所示，自上方(厚度方向上的一侧)隔着荧光体片5向粘合层3照射活性能量线。
[0105]作为活性能量线，可列举出例如包括紫外线、电子束等在内的、例如在波长为180nm以上、优选为200nm以上、并且例如波长为460nm以下、优选为400nm以下的区域中具有光谱分布的活性能量线。
[0106]在照射活性能量线时，使用例如化学灯(日文:> S力> 5 > 7°)、准分子激光、不可见光、水银弧、碳弧、低压水银灯、中压水银灯、高压水银灯、超高压水银灯、金属齒化物灯等照射装置。此外，也可以使用能够在比上述波长区域靠长波长侧的区域或比上述波长区域靠短波长侧的区域产生活性能量线的照射装置。
[0107]照射量例如为0.001J/cm2以上，优选为0.01J/cm2以上，并且例如为100J/cm2以下，也优选为lOJ/cm2以下。若照射量在上述下限以上，则能够可靠地使粘合层3的粘合力高效地降低。另一方面，若照射量在上述上限以下，则能够抑制成本增加并能够有效地防止设备的损伤。
[0108]照射时间例如为5秒钟?10分钟以下，优选为I分钟以下，并且例如也为5秒钟以上。若照射时间的上限在上述上限以下，则能够缩短LED4的剥离工序所花费的时间。
[0109]并且，活性能量线的全部或一部分自上方透过荧光体片5而照射至粘合层3。
[0110]粘合层3的粘合力会因照射该活性能量线而降低。
[0111]在该状态下，如图1的(e)的朝向上的箭头所示，将覆盖有荧光体片的LED10自粘合层3剥下。此外，为了将覆盖有荧光体片的LED10自粘合层3剥下，虽未图示，但能够根据需要而使用具有吸嘴(collet)等吸引构件的拾取装置。具体而言，能够一边利用吸引构件吸引覆盖有荧光体片的LED10 —边将覆盖有荧光体片的LED10自粘合层3剥下。
[0112]由此，获得自粘合层3剥离下的覆盖有荧光体片的LED10。
[0113]安装工序
[0114]在LED剥离工序后，根据发光波长、发光效率来筛选覆盖有荧光体片的LED10，之后，如图1的(f)所示，将筛选出的覆盖有荧光体片的LED10安装在基板9上。由此，获得LED装置15。
[0115]具体而言，以使LED4的凸块(未图示)与设于基板9的上表面的端子(未图示)相对的方式使覆盖有荧光体片的LED10与基板9相对配置。即，将覆盖有荧光体片的LED10的LED4倒装安装在基板9上。
[0116]由此，获得包括基板9和安装在基板9上的覆盖有荧光体片的LED10的LED装置15。
[0117]之后，如图1的(f)的假想线所示，根据需要，在LED装置15上设置用于密封覆盖有荧光体片的LEDlO的密封保护层20。由此，能够提高LED装置15的可靠性。
[0118]并且，采用该方法，在LED剥离工序中，将活性能量线自上方隔着荧光体片5向粘合层3照射。于是，活性能量线透过荧光体片5而照射至粘合层3。因此，不必由活性能量线可透过的基板材料来形成支承板2并使活性能量线透过该支承板2。其结果，作为支承板2，不仅能够从活性能量线透过性的支承板中选择，还能够从活性能量线阻隔性的支承板中选择。
[0119]另外，在切割工序后，实施LED剥离工序。也就是说，在切割工序中，能够一边通过具有硬质的支承板2的支承片I来支承LED4和荧光体片5 —边切割荧光体片5。因此，能够获得尺寸稳定性优异的覆盖有荧光体片的LED10。
[0120]并且，在该方法中，在LED剥离工序中，由于向粘合层3照射活性能量线，因此，与通过加热粘合层3来降低粘合层3的粘合力的方法相比，能够防止因加热而引起的支承片I的变形，从而能够进一步提闻尺寸稳定性。
[0121]因而，该覆盖有荧光体片的LEDlO的尺寸稳定性优异。
[0122]另外，由于LED装置15具有尺寸稳定性优异的覆盖有荧光体片的LED10，因此可靠性优异，由此提高了发光效率。
[0123]夺形例
[0124]此外，在第I实施 方式的图1的(e)的LED剥离工序中，仅自上方(厚度方向上的一侧)向粘合层3照射活性能量线，但在本发明中，只要自至少上方(厚度方向上的一侧)照射活性能量线即可，例如，在支承板2由活性能量线透过性的材料或活性能量线半透过性的材料形成的情况下，也能够自上下两侧(厚度方向上的一侧和另一侧)向粘合层3照射活性能量线。在该情况下，自支承片I的下方照射的活性能量线的全部或一部分透过支承板2而达到粘合层3。
[0125]采用这样的变形例，在LED剥离工序中，能够进一步缩短为了使粘合层3的粘合力降低而花费的时间、即活性能量线的照射时间，从而能够提高覆盖有荧光体片的LEDlO的制造效率。
[0126]另外，在图2中，将基准标记18形成为俯视大致三角形状，但并基准标记18的形状没有特别限定，基准标记18能够形成为例如俯视大致圆形状、俯视大致矩形形状、俯视大致X形状、俯视大致T字形状等适当的形状。
[0127]第2实施方式
[0128]图3是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第2实施方式的工序图。图4是表不图3的(d)所不的埋设有突光体片的LED的俯视图。图5是表不图3的(b)所示的埋设一反射片的制造方法的工序图。
[0129]此外,在第2实施方式中,对于与第I实施方式相同的构件和工序,标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
[0130]在第I实施方式中，作为本发明的荧光体层的一个例子，如图1的(b)所示，例示了均匀(至少沿着面方向均匀)分散有荧光体的荧光体片5，但如图3的(b)和图4所示，例如也能够例示包括埋设部33和反射部34的埋设一反射片24，该埋设部33作为含有荧光体的覆盖部，该反射部34包围埋设部33。
[0131]如图4所示，在埋设一反射片24中，埋设部33作为用于埋设多个LED4的部分而隔开间隔地设有多个，各埋设部33形成为俯视大致圆形状。具体而言，如图3的(b)所示，各埋设部33形成为朝向下方去而宽度逐渐变窄的大致圆台形状。
[0132]埋设部33的下端部的直径(最大长度)大于LED4的面方向的最大长度，具体而言，埋设部33的下端部的直径为LED4的面方向的最大长度的例如200%以上，优选为300%以上，更优选为500%以上，例如为3000%以下。具体而言，埋设部33的下端部的直径(最大长度)例如为5mm以上,优选为7mm以上，并且例如为300mm以下,优选为200mm以下。
[0133]另外，埋设部33的上端部的直径(最大长度)大于下端部的直径(最大长度)，具体而言，埋设部33的上端部的直径例如为7mm以上，优选为IOmm以上，并且例如为400mm以下，优选为250mm以下。
[0134]并且，各埋设部33之间的间隔(最小间隔，具体而言，是埋设部33的上端部之间的间隔)例如为20mm以上，优选为50mm以上，并且例如为IOOOmm以下，优选为200mm以下。
[0135]埋设部33由上述荧光树脂组合物形成。在荧光树脂组合物含有固化性树脂的情况下，埋设部33以B阶段形成。
[0136]如图4所示，反射部34在埋设一反射片24的周端部连续且配置在各埋设部33之间，从而形成为包围各埋设部33的俯视大致网格状。
[0137]另外，反射部34由后述的含有光反射成分的反射树脂组合物形成。
[0138]接下来，参照图4和图5说明该埋设一反射片24的制造方法。
[0139]在该方法中，首先，如图5的(a)所示，准备冲压装置35。
[0140]冲压装置35包括支承板36和与该支承板36相对地配置于支承板36的上侧的模具37。
[0141]支承板36由例如不锈钢等金属形成为大致矩形平板形状。
[0142]模具37由例如不锈钢等金属形成，模具37包括平板部38和以自平板部38向下侧突出的方式形成的突出部39，平板部38和突出部39形成为一体。
[0143]平板部38形成为在俯视时与支承板36相同的形状。
[0144]在模具37中，突出部39以与埋设部33相对应的方式沿着面方向互相隔开间隔地设置有多个。即，突出部39形成为自平板部38的下表面朝向下方去而宽度逐渐变窄的大致圆台形状，具体而言，形成为在主剖视时和侧剖视时朝向下方去而宽度逐渐变窄的锥形状。也就是说，突出部39形成为与埋设部33相同的形状。
[0145]另外，如图5的(a)所示，在支承板36的周端部的上表面设有隔离件40。隔离件40由例如不锈钢等金属构成，且以在沿厚度方向投影时包围多个埋设部33的方式配置。另夕卜，隔离件40以在沿厚度方向投影时包含在模具37中的方式配置在支承板36上，具体而言隔离件40以在沿厚度方向投影时与平板部38的周端部重叠的方式配置在支承板36上。
[0146]隔离件40的厚度被设定为后述的剥离片49的厚度与突出部39的厚度的合计厚度。具体而言，隔离件40的厚度例如为0.3mm以上,优选为0.5mm以上，并且例如为5mm以下，优选为3mm以下。
[0147]此外，冲压装置35构成为能够更换形状不同的模具37，具体而言，冲压装置35构成为能够更换具有图5的(a)所示的突出部39的模具37和图5的(c)所示的后述的不具有突出部39的平板状的模具37。
[0148]另外，如图5的(a)所示，在支承板36的上表面，在隔离件40的内侧载置有剥离片49。剥离片49的周端面以与隔离件40的内侧面相接触的方式形成在支承板36的上表面上。剥离片49的厚度例如为10 μ m以上,优选为30 μ m以上,并且例如为200 μ m以下，优选为150 μ m以下。
[0149]接着，在图5的(a)所示的冲压装置35中，将反射片42配置在剥离片49的上表面上。
[0150]在将反射片42配置在剥离片49的上表面上时，使用例如将由反射树脂组合物形成的反射片42层叠在剥离片49的上表面上的层叠方法、例如将液状的反射树脂组合物涂敷在剥离片49的上表面上的涂敷方法等。
[0151 ] 反射树脂组合物含有例如树脂和光反射成分。
[0152]作为树脂，可列举出例如热固化性硅树脂、环氧树脂、热固化性聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂、不饱和聚酯树脂、邻苯二甲酸二烯丙基酯树脂、热固化性聚氨脂树脂等热固化性树脂，优选列举出热固化性硅树脂、环氧树脂。
[0153]光反射成分例如为白色的化合物，作为上述那样白色的化合物，具体而言，可列举出白色颜料。
[0154]作为白色颜料，可列举出例如白色无机颜料，作为上述那样的白色无机颜料，可列举出例如氧化钛、氧化锌、氧化锆等氧化物、例如铅白(碳酸铅)、碳酸钙等碳酸盐、例如高岭土 (高岭石)等粘土矿物等。
[0155]作为白色无机颜料，优选列举出氧化物，进一步优选列举出氧化钛。
[0156]上述那样的氧化钛具体来说为TiO2、(氧化钛(IV)、二氧化钛)。
[0157]氧化钛的晶体构造没有特别限定,例如为金红石、板钛矿(板钛石)、锐钛矿(锐钛石)等，优选为金红石。
[0158]另外，氧化钛的晶系没有特别限定，例如为四方晶系、斜方晶系等，优选为四方晶系O
[0159]若氧化钛的晶体构造为金红石且晶系为四方晶系，则即使在使反射部34长时间暴露于高温的情况下，也能够有效地防止该反射部34对光(具体来说为可见光，特别是波长450nm附近的光)的反射率降低的情况。
[0160]光反射成分为颗粒状，但是并不限定其形状，可列举出例如球状、板状、针状等。光反射成分的最大长度的平均值(在为球状的情况下为其平均粒径)例如为Inm?lOOOnm。最大长度的平均值是使用激光衍射散射式粒度分布仪测定的。
[0161]光反射成分相对于100质量份树脂的配合比例例如为30质量份以上,优选为50质量份以上，并且例如为200质量份以下，优选为100质量份以下。
[0162]将上述光反射成分均匀地分散混合到树脂中。
[0163]另外，还能够在反射树脂组合物中进一步添加上述填充剂。也就是说，能够并用填充剂与光反射成分(具体来说为白色颜料)。
[0164]作为填充剂，除上述白色颜料之外，可列举出公知的填充剂，具体而言，可列举出硅颗粒等有机微粒、例如二氧化硅、滑石、氧化铝、氮化铝、氮化硅等无机微粒。
[0165]将填充剂的添加比例调整为:相对于100质量份的树脂，填充剂和光反射成分的总量例如为400质量份以上,优选为500质量份以上,进一步优选为600质量份以上,并且例如为2500质量份以下,优选为2000质量份以下,进一步优选为1600质量份以下。
[0166]在层叠方法中，对上述树脂、光反射成分以及根据需要而添加的填充剂进行配合并均匀混合，从而将反射树脂组合物制备为A阶段。
[0167]接着，在层叠方法中，通过例如铸造、旋涂、辊涂等涂敷方法在未图示的离型片的表面上涂敷处于A阶段的反射树脂组合物，之后，进行加热而使其达到B阶段或C阶段。作为离型片，可列举出与上述离型片13相同的离型片。
[0168]或者，例如通过丝网印刷等利用上述涂敷方法在未图示的离型片的表面上涂敷处于A阶段的反射树脂组合物，之后，进行加热，从而形成B阶段或C阶段的反射片42。
[0169]之后，将反射片42转印到剥离片49上。接着，将未图示的离型片剥离。
[0170]另一方面，在涂敷方法中，通过丝网印刷等在剥离片49的上表面上涂敷处于上述A阶段的反射树脂组合物，之后，进行加热，从而形成B阶段的反射片42。
[0171]反射片42的厚度例如为0.3mm以上,优选为0.5mm以上，并且例如为5mm以下,优选为3mm以下。
[0172]接着，如图5的(a)的箭头和图5的(b)所示，利用冲压装置35来对反射片42进行冲压。
[0173]具体而言，将模具37相对于支承板36下压。详细而言，以使突出部39沿厚度方向贯通反射片42的方式向下侧下压模具37。并且，使模具37的平板部38的周端部抵接于隔离件40的上表面。
[0174]由此，如图5的(b)所示，在反射片42上形成沿厚度方向贯穿反射片42且形状与突出部39的形状相对应的通孔41。
[0175]在反射树脂组合物含有B阶段的热固化性树脂的情况下，也能够预先在模具37中内置加热器(未图示)，在模具37的下压过程中，利用该加热器来加热反射片42。由此，使反射树脂组合物完全固化(C阶段化)。
[0176]加热温度例如为80°C以上，优选为100°C以上，并且例如为200°C以下，优选为180°C以下。
[0177]由此，在剥离片49之上形成反射部34。
[0178]之后，如图5的(C)所示，解除冲压装置35的冲压状态。具体而言，提起模具37。
[0179]接着，将具有平板部38和突出部39的模具37更换为仅具有平板部38的模具37。
[0180]并且，将荧光体片5配置在反射部34之上。
[0181]具体而言，将荧光体片5以覆盖通孔41的方式载置在反射部34的上表面上。
[0182]在荧光树脂组合物含有固化性树脂的情况下，将B阶段的荧光体片5配置在反射部34之上。由于在B阶段的情况下荧光体片5的平板形状得到一定程度的维持，因此荧光体片5不会落入通孔41内而会以覆盖通孔41的方式被载置在反射部34的上表面上。
[0183]另外，与反射部34(具体而言，在反射片42的反射树脂组合物含有固化性树脂的情况下，为处于C阶段的反射部34)相比，荧光体片5形成得柔软。具体而言，荧光体片5具有能够通过接下来的冲压(图5的(d))而变形的柔软度，而反射部34形成为不能够通过接下来的冲压而变形的硬度。
[0184]接着，如图5的(d)所示，利用冲压装置35来对荧光体片5进行冲压。具体而言，将由平板部38构成的模具37朝向支承板36下压。并且，使平板部38的周端部抵接于隔离件40的上表面。另外,使平板部38的下表面与反射部34的上表面相接触。
[0185]由此，比较柔软的荧光体片5被平板部38自上侧按压而充填到通孔41内。另一方面，比较硬的反射部34不会发生变形，在其通孔41内容纳埋设部33。
[0186]另外，在固化性树脂为热固化性树脂的情况下，也能够通过内置在平板部38内的加热器来加热突光体片5。
[0187]由此，使埋设部33形成在反射部34的通孔41内。
[0188]由此，能够在支承板36和模具37之间获得具有埋设部33和反射部34的埋设一反射片24。
[0189]如图5的(e)所示，之后，提起模具37，接着，将埋设一反射片24自剥离片49剥离。
[0190]接下来，对于使用图5的(e)所示的埋设一反射片24来制造覆盖有荧光体片的LEDlO和LED装置15的方法，参照图3来详细叙述与上述实施方式不同的工序。
[0191]片粘合工序
[0192]如图3的(b)的上侧图所示，以使埋设部33成为朝向下方去而宽度逐渐变窄的锥形状的方式将埋设一反射片24配置在支承片I之上。
[0193]S卩，使多个埋设部33分别与多个LED4相对配置。具体而言，以使各埋设部33在俯视时与LED4的中心相对且各埋设部33彼此隔开间隔的方式将各埋设部33配置在反射部34的内侧。
[0194]接着，如图3的(C)所示，对埋设一反射片24进行冲压。由此，LED4以其上表面和侧面被埋设部33覆盖的方式埋设于埋设部33。
[0195]此外，在埋设部33处于B阶段的情况下，LED4的上表面及侧面、粘合层3的上表面被埋设部33以紧密贴合状覆盖。
[0196]密封工序
[0197]如图3的(d)所示，在密封工序中，在荧光树脂组合物含有固化性树脂的情况下，使荧光体片5固化。由此，埋设部33完全固化。由此，LED4被埋设部33密封。
[0198]切割工序
[0199]如图3的(d)的虚线所示，在切割工序中，沿厚度方向切割反射部34。例如，如图4的单点划线所示，以使反射部34呈例如包围各埋设部33的俯视大致矩形形状的方式切割荧光体片5。
[0200]通过切割工序，从而获得与支承片I紧密贴合的状态下的覆盖有荧光体片的LED10，该覆盖有荧光体片的LEDlO包括一个LED4、用于埋设LED4的埋设部33以及设于埋设部33的周围的反射部34。也就是说，在覆盖有荧光体片的LEDlO中设有反射部34。SP，覆盖有荧光体片的LEDlO是带反射部的覆盖有荧光体片的LED。
[0201]LED剥离工序
[0202]在LED剥离工序中，如图3的(e)所示，将设有反射部34的覆盖有荧光体片的LEDlO自支承片I剥离。
[0203]安装工序
[0204]在安装工序中，根据发光波长、发光效率来筛选设有反射部34的覆盖有荧光体片的LED10，之后，如图3的(f)所示，将筛选出的覆盖有荧光体片的LEDlO安装在基板9上。由此，获得LED装置15。
[0205]由此，获得包括基板9和安装在基板9上的设有反射部34的覆盖有荧光体片的LEDlO 的 LED 装置 15。
[0206]并且，采用该第2实施方式，由于埋设一反射片24包括用于埋设LED4的埋设部33和含有光反射成分并以包围埋设部33的方式形成的反射部34，因此能够利用反射部34来反射自LED4发出的光。因此，能够提高LED装置15的发光效率。
[0207]夺形例
[0208]还能够如下这样进行冲压:在图5的(C)所示的平板部38与荧光体片5之间设置离型片13 (参照图3的(b)的假想线)，形成在上表面层叠有离型片13的埋设一反射片24，之后，如图3的(c)的假想线所示，相对于例如多个LED4和支承片1，对该埋设一反射片24进行例如平板冲压。
[0209]第3实施方式
[0210]图6是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第3实施方式所使用的埋设一反射片的制造方法的工序图。
[0211]此外,在第3实施方式中,对于与第2实施方式相同的构件和工序,标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
[0212]在第2实施方式的埋设一反射片24的制造方法中，如图5的(C)和图5的(d)所示，由荧光体片5形成埋设部33，但如图6的(c)所示，例如也能够不使用荧光体片5，而通过将荧光树脂组合物的清漆灌注于通孔41来形成埋设部33。
[0213]具体而言，首先，将荧光树脂组合物制备成清漆。具体而言，在荧光树脂组合物含有固化性树脂的情况下，制备处于A阶段的清漆。由此，将处于A阶段的荧光树脂组合物充填到通孔41内。
[0214]之后，在荧光树脂组合物含有固化性树脂的情况下，使A阶段的荧光树脂组合物B阶段化。
[0215]通过第3实施方式，也能够取得与第2实施方式相同的作用效果。
[0216]第4实施方式
[0217]图7是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第4实施方式的工序图。
[0218]此外,在第4实施方式中，对于与第2实施方式和第3实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
[0219]在第2实施方式中，如图3的(b)和图4所示，在俯视时将埋设部33的下端部形成得大于LED4，但如图7的(b)所示，例如也能够将埋设部33的下端部与LED4形成为相同尺寸。
[0220]LED粘合工序
[0221]例如，埋设部33形成为朝向下方去而宽度逐渐变窄的大致四棱台形状。
[0222]为了形成图7的(b)所示的埋设部33，将图5和图6所示的突出部39形成为自平板部38的下表面朝向下方去而宽度逐渐变窄的大致四棱台形状。
[0223]另外，如图7的(b)的单点划线所示，以在沿厚度方向投影时使埋设部33的下端部与LED4互相重叠的方式将埋设一反射片24配置在含有LED4的粘合层3之上，具体而言，以在俯视时使埋设部33的下端部的周端缘与LED4的周端缘形成在相同位置的方式将埋设一反射片24配置在含有LED4的粘合层3之上。
[0224]通过第4实施方式，也能够取得与第5实施方式和第8实施方式相同的作用效果。
[0225]第5实施方式
[0226]图8是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第5实施方式的工序图。图9是表示图8的(b)所示的埋设一反射片的制造方法的工序图。
[0227]此外,在第5实施方式中,对于与第2实施方式相同的构件和工序,标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
[0228]在第2实施方式中，如图3的(b)所示，将埋设一反射片24的埋设部33形成为朝向下方去而宽度逐渐变窄的大致圆台形状，但如图8的(b)所示，例如也能够将埋设部33形成为沿着上下方向(厚度方向)延伸的大致圆柱形状。
[0229]在形成这样的埋设部33时，使用图9的(a)和图9的(b)所示的冲裁装置55。
[0230]冲裁装置55包括支承板56和与该支承板56相对地配置于支承板56的上侧的模具57。
[0231]支承板56由例如不锈钢等金属形成为大致矩形平板形状，另外，在支承板56上形成有沿厚度方向贯穿支承板56的通孔53。
[0232]通孔53形成为俯视大致圆形状。
[0233]模具57包括平板部58和以自平板部58向下侧突出的方式形成的突出部59，平板部58和突出部59形成为一体。
[0234]平板部58形成为与图5的(a)所示的平板部38相同的形状。
[0235]在模具57中，突出部59以与埋设部33 (参照图9的(d))相对应的方式沿着面方向互相隔开间隔地设有多个。突出部59形成为在俯视时与通孔53相同的形状和尺寸，具体而言，突出部59形成为大致圆柱形状。突出部59形成为与埋设部33 (参照图9的(d))相同的形状。也就是说，突出部59形成为在主剖视时和侧剖视时的大致矩形形状。
[0236]由此，冲裁装置55构成为能够通过下压模具57来使突出部59插入到通孔53内。
[0237]通孔53的孔径和突出部59的直径例如为5mm以上，优选为7mm以上，并且例如为300mm以下，优选为200mm以下。
[0238]另外，在支承板56的周端部的上表面上设有隔离件40。隔离件40以在俯视时包围通孔53的方式呈俯视大致框形状配置于支承板56的周端部。
[0239]并且，为了通过图9的(a)和图9的(b)所示的冲裁装置55来形成埋设一反射片24，首先，如图9的(a)所示，将反射片42配置在支承板56之上。具体而言，将反射片42以覆盖多个通孔53的方式载置在支承板56的上表面上。
[0240]接着，如图9的(b)所示，使用冲裁装置55来对反射片42进行冲裁。
[0241]具体而言，通过下压模具57来使突出部59对反射片42进行冲裁。
[0242]由此，在反射片42上形成形状与突出部59的形状相对应的通孔41。
[0243]由此，在支承板56之上形成反射部34。
[0244]接着,如图9的(C)所示,提起模具57。
[0245]之后，将形成后的反射部34设置于包括支承板36和由平板部38构成的模具37的、设有剥离片49的冲压装置35。
[0246]接着，将荧光体片5配置在反射部34之上。
[0247]接着，如图9的(C)的箭头和图9的(d)所示，利用冲压装置35来对荧光体片5进行冲压。由此，将埋设部33形成在反射部34的通孔41内。
[0248]由此，在支承板36和模具37之间获得具有埋设部33和反射部34的埋设一反射片24。
[0249]之后，提起模具37，接着，如图9的(e)所示，将埋设一反射片24自剥离片49剥离。
[0250]通过第5实施方式，也能够取得与第2实施方式相同的作用效果。
[0251]第6实施方式
[0252]图10是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第6实施方式所使用的埋设一反射片的制造方法的工序图。
[0253]此外,在第6实施方式中,对于与第5实施方式相同的构件和工序,标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
[0254]在第5实施方式的埋设一反射片24的制造方法中，如图9的(C)和图9的(d)所示，由荧光体片5形成埋设部33，但如图10的(c)所示，也能够不使用荧光体片5，而通过将荧光树脂组合物的清漆灌注在通孔41内来形成埋设部33。
[0255]具体而言，将图10的(b)所示的反射部34自冲裁装置55取出，接着，如图10的(c)所示，将反射部34配置在剥离片49的上表面上。接着，将荧光树脂组合物的清漆灌注在通孔41内。
[0256]通过第6实施方式，也能够取得与第5实施方式相同的作用效果。
[0257]第7实施方式
[0258]图11是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第7实施方式的工序图。
[0259]此外,在第7实施方式中,对于与第5实施方式相同的构件和工序,标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
[0260]在第5实施方式中，如图8的(C)所示，作为覆盖部，例示出了用于埋设LED4的埋设部33，但如图11的(c)所示，例如也能够例示用于覆盖LED4的上表面的覆盖部43。
[0261]如图11的(b)所不,覆盖部43以被反射部34包围的方式设于覆盖一反射片44。在覆盖一反射片44中，覆盖部43呈与图8的(b)所示的埋设部33相同的形状且形成为与LED4相同的尺寸。
[0262]例如，如图11的(b)所示，以在沿厚度方向投影时使覆盖部43与LED4互相重叠的方式将覆盖部43配置在LED4的上表面上，具体而言，以在俯视时使覆盖部43的周端缘与LED4的周端缘形成在相同位置的方式将覆盖部43配置在LED4的上表面上。
[0263]覆盖工序
[0264]在第7实施方式中，替代图8的(C)所示的埋设工序，而实施图11的(C)所示的覆盖工序。覆盖工序的条件与埋设工序的条件相同。
[0265]此外，在图11的(C)所示的覆盖工序中，覆盖部43以紧密贴合状覆盖在LED4的上表面上。由于LED4的冲压而使LED4被压入到覆盖部43中，覆盖部43略微向面方向外侦臌出，由于该鼓出的程度微小，因此，在图11的(C)中，以相同长度示出了冲压后的覆盖部43与LED4的左右方向长度。
[0266]固化工序
[0267]在第7实施方式中，替代图8的(d)所示的密封工序，而实施图11的(d)所示的固
化工序。
[0268]在固化工序中，使覆盖部43固化。固化工序的条件与上述密封工序的条件相同。
[0269]通过第7实施方式，也能够取得与第5实施方式相同的作用效果。
[0270]第8实施方式
[0271]图12是表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第8实施方式的工序图。
[0272]此外，在第8实施方式中，对于与第I实施方式相同的构件和工序，标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
[0273]在第I实施方式中，如图1的(C)所示，在片粘合工序中，实施了利用荧光体片5来覆盖LED4的侧面和上表面的埋设工序，但如图12的(c)所示，例如也能够替代埋设工序而实施利用荧光体片5来仅覆盖LED4的侧面的覆盖工序。另外，也能够替代密封工序而实施固化工序。
[0274]片粘合工序
[0275]如图12的(b)所示，将准备好的荧光体片5的厚度设定得比LED4的厚度薄，相对于LED4的厚度，将荧光体片5的厚度设定为例如95%以下，优选设定为90%以下，并且例如设定为10%以上。具体而言，将荧光体片5的厚度设定为例如IOOOym以下，优选设定为800 μ m以下，并且例如设定为30 μ m以上，优选设定为50 μ m以上。
[0276]在覆盖工序中，如图12的(C)所示，通过冲压以使离型片13的下表面与各LED4的上表面相接触的方式将由离型片13和层叠于离型片13的下表面的荧光体片5构成的层叠体(参照图12的(b)的上侧图)向包括LED4的支承片I压入。
[0277]另外，相对于多个LED4压入后的突光体片5的上表面与各LED4的上表面形成得齐平。另外，荧光体片5的下表面也与各LED4的下表面形成得齐平。也就是说，压入有多个LED4的荧光体片5的厚度与各LED4的厚度相同。
[0278]另外，用于形成LED4的下表面的一部分的凸块和LED4的上表面均暴露，而LED4的侧面被荧光体片5覆盖。
[0279]固化工序
[0280]在固化工序中，使荧光体片5固化。固化工序的条件与上述密封工序的条件相同。
[0281]切割工序
[0282]如图12的(d)的虚线所示，一边自上侧确认LED4的位置，一边切割荧光体片5。具体而言，例如一边通过摄像机等自上侧识别LED4以确认LED4的位置，一边切割荧光体片
5。另外，如图4的虚线所示，以在俯视时形成用于划分出包围LED4的区域的切缝8的方式切割荧光体片5。
[0283]此外，也能够一边识别LED4，并且一边以基准标记18 (图2参照)为基准来切割荧光体片5。
[0284]LED剥离工序[0285]在图12的(e)的LED剥离工序中，将覆盖有荧光体片的LEDlO自粘合层3的上表面剥离。也就是说，以在荧光体片5及LED4与粘合层3之间产生界面剥离的方式将覆盖有荧光体片的LEDlO自支承板2和粘合层3剥离。
[0286]通过第8实施方式，也能够取得与第I实施方式相同的作用效果。
[0287]并且，在覆盖工序中，由于以使LED4的至少上表面自荧光体片5暴露的方式利用荧光体片5来覆盖LED4的侧面，因此，在片粘合工序后的切割工序中，能够一边识别上表面暴露的LED4 —边以与该LED4相对应的方式精度良好地切割荧光体片5。因此，所获得的覆盖有荧光体片的LEDlO的尺寸稳定性优异。其结果，具有该覆盖有荧光体片的LEDlO的LED装置15的发光稳定性优异。
[0288]第9实施方式
[0289]图13表示本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的第9实施方式所使用的分配器的立体图。
[0290]此外,在第9实施方式中,对于与第I实施方式相同的构件和工序,标注相同的附图标记而省略其详细的说明。
[0291]在第I实施方式中，如图1的(b)所示，在密封工序中，作为本发明的荧光体层的一个例子，例示出了预先成形的荧光体片5。但参照图13，例如也能够将荧光树脂组合物制备成清漆并以覆盖多个LED4的方式将清漆直接涂敷在支承片I之上，以形成荧光体层25。也就是说，能够由荧光树脂组合物的清漆来形成荧光体层25。
[0292]在形成荧光体层25时，首先，将清漆以覆盖LED4的方式涂敷在支承片I之上。
[0293]在涂敷清漆时，例如使用分配器、涂膜器(applicator)、狭缝式模涂敷机等涂敷机。优选使用图13所示的分配器26。
[0294]如图13所示，分配器26包括导入部27和涂敷部28，导入部27和涂敷部28形成为一体。
[0295]导入部27形成为沿着上下方向延伸的大致圆筒形状，且其下端部与涂敷部28相连接。
[0296]涂敷部28形成为沿着左右方向和上下方向延伸的平板形状，且形成为在上下方向上较长的侧视大致矩形形状。在涂敷部28的上端部连接有导入部27。涂敷部28的下端部形成为其前端部和后端部被切除而成的、侧剖视时顶端变细的形状(锥状)。另外，涂敷部28的下端面构成为能够相对于粘合层3的上表面和LED4的上表面进行按压。并且，在涂敷部28的内部设有供自导入部27导入的清漆随着朝向下游侧(下侧)去而向左右方向扩展的宽幅的流路(未图示)。
[0297]另外，分配器26构成为能够相对于沿着面方向延伸的支承片I在前后方向上相对地移动。
[0298]在使用该分配器26向支承片I涂敷清漆时，一边将涂敷部28与多个LED4的上表面相对地配置(按压)，一边向导入部27供给清漆。与此同时，使分配器26相对于多个LED4向后侧相对地移动。由此，清漆被自导入部27导入到涂敷部28，接着，清漆被自涂敷部28的下端部以宽幅状供给到支承片I和LED4。另外，通过使分配器26相对于多个LED4向后侧相对地移动，从而清漆被以覆盖多个LED4的方式呈沿着前后方向延伸的带形状涂敷在支承片I的上表面上。[0299]此外，在荧光树脂组合物含有固化性树脂的情况下，将清漆制备为A阶段状态，另夕卜，该清漆具有例如在自涂敷部28供给到支承片I时不会从该被供给的部位向面方向外侧流出、也就是说滞留在该被供给的部位那样的粘性。具体而言，清漆在25°C且一个大气压的条件下的粘度例如为IOOOmPa *s以上，优选为4000mPa *s以上，并且例如为lOOOOOOmPa *s以下，优选为IOOOOOmPa.s以下。此外，粘度是通过将清漆的温度调节至25°C并使用E型锥板粘度计以每秒99转测定的。
[0300]若清漆的粘度在上述下限以上，则能够有效地防止清漆向面方向外侧流出。因此，不必在支承片I (具体而言，在多个LED4的周围)上另行设置阻挡构件等，因此能够谋求工艺的简化，并能够利用分配器26将清漆以期望的厚度和期望的形状简单且可靠地涂敷在支承片I上。
[0301]另一方面，若清漆的粘度在上述上限以下，则能够提高涂敷性(处理性)。
[0302]之后，在荧光树脂组合物含有固化性树脂的情况下，使涂敷后清漆B阶段化(半固化)。
[0303]由此，使处于B阶段的荧光体层25以覆盖多个LED4的方式形成在支承片I之上(粘合层3的上表面)。
[0304]通过第9实施方式，也能够取得与第I实施方式相同的作用效果。
[0305]夺形例
[0306]在第I实施方式?第9实施方式中，利用荧光体片5来覆盖多个LED4，但例如也能够利用荧光体片5来覆盖单个LED4。
[0307]在该情况下，具体而言，在第I实施方式所例示的、图1的(d)所示的切割工序中，对荧光体片5进行外形加工(裁切)，以便使LED4的周围的荧光体片5成为期望的尺寸。
[0308]此外，虽然作为本发明的例示实施方式提供了上述说明，但这仅仅是例示，不应进行限定性解释。对于本领域技术人员来说显而易见的本发明的变形例包括在后述的权利要求书中。
【权利要求】
1.一种覆盖有荧光体层的LED的制造方法，其特征在于， 该覆盖有荧光体层的LED的制造方法包括以下工序: 准备工序，在该准备工序中，准备支承片，该支承片包括硬质的支承板和层叠在上述支承板的厚度方向上的一个表面上的、粘合力会因照射活性能量线而降低的粘合层； LED粘合工序，在该LED粘合工序中，借助上述粘合层将LED粘合于上述支承板； 覆盖工序，在该覆盖工序中，将荧光体层配置在上述支承板的上述厚度方向上的一个表面上，利用上述荧光体层来覆盖上述LED ； 切割工序，在上述覆盖工序后的该切割工序中，通过与上述LED相对应地切割上述荧光体层，从而获得覆盖有荧光体层的LED，该覆盖有荧光体层的LED包括上述LED和用于覆盖上述LED的上述荧光体层；以及 LED剥离工序，在上述切割工序之后的该LED剥离工序中，从至少上述厚度方向上的一侧向上述粘合层照射活性能量线，并将上述覆盖有荧光体层的LED自上述粘合层剥离。
2.根据权利要求1所述的覆盖有荧光体层的LED的制造方法，其特征在于， 上述荧光体层由荧光体片形成。
3.根据权利要求1所述的覆盖有荧光体层的LED的制造方法，其特征在于， 在上述覆盖工序中，利用B阶段的上述荧光体层来覆盖上述LED，之后，使上述荧光体层固化而达到C阶段。
4.根据权利要求1所述的覆盖有荧光体层的LED的制造方法，其特征在于， 上述突光体层包括: 覆盖部，其用于覆盖上述LED ;以及 反射部，其含有光反射成分且以包围上述覆盖部的方式形成。
5.根据权利要求1所述的覆盖有荧光体层的LED的制造方法，其特征在于， 在上述准备工序中，以预先设置基准标记的方式准备上述支承片，该基准标记在上述切割工序中作为切割基准。
6.一种覆盖有荧光体层的LED，其特征在于， 该覆盖有荧光体层的LED通过覆盖有荧光体层的LED的制造方法而获得,该覆盖有荧光体层的LED的制造方法包括以下工序: 准备工序，在该准备工序中，准备支承片，该支承片包括硬质的支承板和层叠在上述支承板的厚度方向上的一个表面上的、粘合力会因照射活性能量线而降低的粘合层； LED粘合工序，在该LED粘合工序中，借助上述粘合层将LED粘合于上述支承板； 覆盖工序，在该覆盖工序中，将荧光体层配置在上述支承板的上述厚度方向上的一个表面上，利用上述荧光体层来覆盖上述LED ； 切割工序，在上述覆盖工序后的该切割工序中，通过与上述LED相对应地切割上述荧光体层，从而获得覆盖有荧光体层的LED，该覆盖有荧光体层的LED包括上述LED和用于覆盖上述LED的上述荧光体层；以及 LED剥离工序，在上述切割工序之后的该LED剥离工序中，从至少上述厚度方向上的一侧向上述粘合层照射活性能量线，并将上述覆盖有荧光体层的LED自上述粘合层剥离。
7.—种LED装置，其特征在于， 该LED装置包括基板和安装在上述基板上的覆盖有荧光体层的LED，上述覆盖有荧光体层的LED通过覆盖有荧光体层的LED的制造方法而获得，该覆盖有荧光体层的LED的制造方法包括以下工序: 准备工序，在该准备工序中，准备支承片，该支承片包括硬质的支承板和层叠在上述支承板的厚度方向上的一个表面上的、粘合力会因照射活性能量线而降低的粘合层； LED粘合工序，在该LED粘合工序中，借助上述粘合层将LED粘合于上述支承板； 覆盖工序，在该覆盖工序中，将荧光体层配置在上述支承板的上述厚度方向上的一个表面上，利用上述荧光体层来覆盖上述LED ； 切割工序，在上述覆盖工序后的该切割工序中，通过与上述LED相对应地切割上述荧光体层，从而获得覆盖有荧光体层的LED，该覆盖有荧光体层的LED包括上述LED和用于覆盖上述LED的上述荧光体层；以及 LED剥离工序，在上述切割工序之后的该LED剥离工序中，从至少上述厚度方向上的一侧向上述粘合层照射活性能量线，并将上`述覆盖有荧光体层的LED自上述粘合层剥离。
【文档编号】H01L33/50GK103531692SQ201310271787
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年7月1日 优先权日:2012年6月29日
【发明者】木村龙一, 片山博之, 江部悠纪, 大西秀典, 福家一浩 申请人:日东电工株式会社