技术特征：
1.一种纳米结构，其包含被至少一个壳包围的核，其中所述核包含znse
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，其中0≤x≤1，其中所述至少一个壳选自zns、znse、znte及其合金，并且其中所述纳米结构的半峰全宽(fwhm)为约20nm至约30nm。2.根据权利要求1所述的纳米结构，其中所述fwhm为约25nm至约30nm。3.根据权利要求1或2所述的纳米结构，其中所述纳米结构的发射波长为约440nm至460nm。4.根据权利要求1-3中任一项所述的纳米结构，其中所述纳米结构的发射波长为450nm至460nm。5.根据权利要求1-4中任一项所述的纳米结构，其中所述核被两个壳包围。6.根据权利要求1-5中任一项所述的纳米结构，其中至少一个壳包含zns或znse。7.根据权利要求1-6中任一项所述的纳米结构，其中至少一个壳包含znse。8.根据权利要求1-7中任一项所述的纳米结构，其中至少一个壳包含zns。9.根据权利要求1-8中任一项所述的纳米结构，其中至少一个壳包含约4至约6个单层的znse。10.根据权利要求1-9中任一项所述的纳米结构，其中至少一个壳包含约6个单层的znse。11.根据权利要求1-10中任一项所述的纳米结构，其中至少一个壳包含约4至约6个单层的zns。12.根据权利要求1-11中任一项所述的纳米结构，其中所述至少一个壳包含约4个单层的zns。13.根据权利要求1-12中任一项所述的纳米结构，其中所述纳米结构的光致发光量子产率为约75至约90％。14.根据权利要求1-13中任一项所述的纳米结构，其中所述纳米结构的光致发光量子产率为80％至90％。15.根据权利要求1-14中任一项所述的纳米结构，其中所述纳米结构的fwhm为约15nm至约19nm。16.根据权利要求1-15中任一项所述的纳米结构，其中所述纳米结构包含两个壳，其中所述第一壳包含znse，并且所述第二壳包含zns。17.根据权利要求1-16中任一项所述的纳米结构，其中所述纳米结构是量子点。18.根据权利要求1-17中任一项所述的纳米结构，其中所述纳米结构不含镉。19.一种装置，其包含权利要求1-18中任一项所述的纳米结构。20.一种制备znse
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纳米晶体的方法，其包括：(a)将碲源、至少一种配体和还原剂混合以制备反应混合物；(b)使(a)中获得的反应混合物与包含至少一种配体、氟化锌和硒源的溶液接触；以及(c)使(b)中获得的反应混合物与锌源接触；以提供znse
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纳米晶体。21.根据权利要求20所述的方法，其中所述硒源选自三辛基硒化膦、三(正丁基)硒化膦、三(仲丁基)硒化膦、三(叔丁基)硒化膦、三甲基硒化膦、三苯基硒化膦、二苯基硒化膦、苯基硒化膦、环己基硒化膦、辛硒醇、十二硒醇、苯硒酚、元素硒、硒化氢、双(三甲基甲硅烷
基)硒化物及其组合。22.根据权利要求20或21所述的方法，其中所述硒源是三辛基硒化膦。23.根据权利要求20-22中任一项所述的方法，其中(b)中的所述至少一种配体选自三辛基氧化膦、三辛基膦、二苯基膦、三苯基氧化膦和三丁基氧化膦。24.根据权利要求20-23中任一项所述的方法，其中(b)中的所述至少一种配体是二苯基膦。25.根据权利要求20-24中任一项所述的方法，其中所述碲源选自三辛基碲化膦、三(正丁基)碲化膦、三甲基碲化膦、三苯基碲化膦、三环己基碲化膦、元素碲、碲化氢、双(三甲基甲硅烷基)碲化物及其混合物。26.根据权利要求20-25中任一项所述的方法，其中所述碲源是三辛基碲化膦。27.根据权利要求20-26中任一项所述的方法，其中所述还原剂选自二硼烷、氢化钠、硼氢化钠、硼氢化锂、氰基硼氢化钠、氢化钙、氢化锂、氢化铝锂、二异丁基氢化铝、三乙基硼氢化钠和三乙基硼氢化锂。28.根据权利要求20-27中任一项所述的方法，其中所述还原剂是三乙基硼氢化锂。29.根据权利要求20-28中任一项所述的方法，其中(c)中的所述锌源选自二乙基锌、二甲基锌、二苯基锌、乙酸锌、乙酰丙酮锌、碘化锌、溴化锌、氯化锌、氟化锌、碳酸锌、氰化锌、硝酸锌、氧化锌、过氧化锌、高氯酸锌和硫酸锌。30.根据权利要求20-29中任一项所述的方法，其中(c)中的所述锌源是二乙基锌。31.根据权利要求20-30中任一项所述的方法，其进一步包括：(d)使(c)中的所述反应混合物与羧酸锌和硒源接触。32.根据权利要求31所述的方法，其中(d)中的所述羧酸锌选自油酸锌、己酸锌、辛酸锌、月桂酸锌、肉豆蔻酸锌、棕榈酸锌、硬脂酸锌、二硫代氨基甲酸锌及其混合物。33.根据权利要求31或32所述的方法，其中(d)中的所述羧酸锌是油酸锌。34.根据权利要求31-33中任一项所述的方法，其中(d)中的所述硒源选自三辛基硒化膦、三(正丁基)硒化膦、三(仲丁基)硒化膦、三(叔丁基)硒化膦、三甲基硒化膦、三苯基硒化膦、二苯基硒化膦、苯基硒化膦、环己基硒化膦、辛硒醇、十二硒醇、苯硒酚、元素硒、硒化氢、双(三甲基甲硅烷基)硒化物及其组合。35.根据权利要求31-34中任一项所述的方法，其中(d)中的所述硒源是三辛基硒化膦。36.根据权利要求20-35中任一项所述的方法，其中(a)中的所述混合在约室温下进行。37.根据权利要求20-36中任一项所述的方法，其中(b)中的所述接触在约250℃至约350℃的温度下进行。38.根据权利要求20-37中任一项所述的方法，其中(b)中的所述接触在约280℃的温度下进行。39.根据权利要求20-38中任一项所述的方法，其中(c)中的所述接触在约250℃至约350℃的温度下进行。40.根据权利要求20-39中任一项所述的方法，其中(c)中的所述接触在约280℃的温度下进行。41.根据权利要求20-40中任一项所述的方法，其中(c)中的所述接触还包含至少一种配体。
42.根据权利要求41所述的方法，其中所述至少一种配体是三辛基膦或二苯基膦。43.根据权利要求31-42中任一项所述的方法，其中(d)中的所述接触在约250℃至约350℃的温度下进行。44.根据权利要求31-43中任一项所述的方法，其中(d)中的所述接触在约310℃的温度下进行。45.根据权利要求31-44中任一项所述的方法，其中(d)中的所述接触还包含至少一种配体。46.根据权利要求45所述的方法，其中所述至少一种配体是三辛基膦或二苯基膦。47.一种制备核/壳纳米结构的方法，其包括：(e)将根据权利要求20-46中任一项制备的znse
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纳米晶体与包含锌源的溶液混合；(f)使(e)的反应混合物与硒源或硫源接触。48.根据权利要求47所述的方法，其进一步包括：(g)使(f)的所述反应混合物与硒源或硫源接触；其中在(g)中使用的源不同于在(f)中使用的源。49.根据权利要求47或48所述的方法，其中(e)中的所述混合在约20℃至约310℃的温度下进行。50.根据权利要求47或48中任一项所述的方法，其中(e)中的所述混合在约20℃至约100℃的温度下进行。51.根据权利要求47-50中任一项所述的方法，其中(e)的所述锌源选自二乙基锌、二甲基锌、二苯基锌、乙酸锌、乙酰丙酮锌、碘化锌、溴化锌、氯化锌、氟化锌、碳酸锌、氰化锌、硝酸锌、油酸锌、氧化锌、过氧化锌、高氯酸锌、硫酸锌、己酸锌、辛酸锌、月桂酸锌、肉豆蔻酸锌、棕榈酸锌、硬脂酸锌、二硫代氨基甲酸锌、油酸锌、己酸锌、辛酸锌、月桂酸锌、肉豆蔻酸锌、棕榈酸锌、硬脂酸锌、二硫代氨基甲酸锌及其混合物。52.根据权利要求47-51中任一项所述的方法，其中(f)中的所述接触在约200℃至约350℃的温度下进行。53.根据权利要求47-51中任一项所述的方法，其中(f)中的所述接触在约310℃的温度下进行。54.根据权利要求47-53所述的方法，其中在(f)中使所述反应混合物与硒源接触。55.根据权利要求54所述的方法，其中所述硒源选自三辛基硒化膦、三(正丁基)硒化膦、三(仲丁基)硒化膦、三(叔丁基)硒化膦、三甲基硒化膦、三苯基硒化膦、二苯基硒化膦、苯基硒化膦、环己基硒化膦、辛硒醇、十二硒醇、苯硒酚、元素硒、硒化氢、双(三甲基甲硅烷基)硒化物及其组合。56.根据权利要求47-55所述的方法，其中在(f)中使所述反应混合物与硫源接触。57.根据权利要求56所述的方法，其中所述硫源选自元素硫、辛硫醇、十二烷硫醇、十八烷硫醇、三丁基硫化膦、异硫氰酸环己酯、α-甲苯硫醇、三硫代碳酸乙烯酯、烯丙硫醇、双(三甲基甲硅烷基)硫化物、三辛基硫化膦及其混合物。58.根据权利要求47-57中任一项所述的方法，其中(f)中的所述接触在约200℃至约350℃的温度下进行。59.根据权利要求47-57中任一项所述的方法，其中(f)中的所述接触在约310℃的温度
下进行。60.根据权利要求47-59所述的方法，其中在(g)中使所述反应混合物与硒源接触。61.根据权利要求60所述的方法，其中所述硒源选自三辛基硒化膦、三(正丁基)硒化膦、三(仲丁基)硒化膦、三(叔丁基)硒化膦、三甲基硒化膦、三苯基硒化膦、二苯基硒化膦、苯基硒化膦、环己基硒化膦、辛硒醇、十二硒醇、苯硒酚、元素硒、硒化氢、双(三甲基甲硅烷基)硒化物及其组合。62.根据权利要求48-61所述的方法，其中在(g)中使所述反应混合物与硫源接触。63.根据权利要求62所述的方法，其中所述硫源选自元素硫、辛硫醇、十二烷硫醇、十八烷硫醇、三丁基硫化膦、异硫氰酸环己酯、α-甲苯硫醇、三硫代碳酸乙烯酯、烯丙硫醇、双(三甲基甲硅烷基)硫化物、三辛基硫化膦及其混合物。64.根据权利要求48-63中任一项所述的方法，其中(e)中的所述混合还包含至少一种配体。65.根据权利要求64所述的方法，其中所述至少一种配体选自三辛基氧化膦、三辛基膦、二苯基膦、三苯基氧化膦和三丁基氧化膦。66.根据权利要求64或65所述的方法，其中所述至少一种配体是三辛基膦或三辛基氧化膦。67.根据权利要求47-66中任一项所述的方法，其中所述纳米结构显示的光致发光量子产率为约75％至约90％。68.根据权利要求47-66中任一项所述的方法，其中所述纳米结构显示的光致发光量子产率为约80％至约90％。69.根据权利要求47-68中任一项所述的方法，其中所述纳米结构的半峰全宽为约20nm至约30nm。70.根据权利要求47-68中任一项所述的方法，其中所述纳米结构的半峰全宽为约25nm至30nm。71.一种纳米结构模制品，其包含：(a)第一导电层；(b)第二导电层；以及(c)纳米结构层，其位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，其中所述纳米结构层包含纳米结构群体，所述纳米结构包含被至少一个壳包围的核，其中所述核包含znse
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，其中0<x<1，其中所述至少一个壳选自zns、znse、znte及其合金，并且其中所述纳米结构的半峰全宽(fwhm)为约20nm至约30nm。72.根据权利要求71所述的纳米结构模制品，其中所述纳米结构包含两个壳。73.根据权利要求71或72所述的纳米结构模制品，其中至少一个壳选自其中至少一个壳包含zns或znse。74.根据权利要求71-73中任一项所述的纳米结构模制品，其中至少一个壳包含znse。75.根据权利要求71-74中任一项所述的纳米结构模制品，其中至少一个壳包含zns。76.根据权利要求71-75中任一项所述的纳米结构模制品，其中至少两个壳包含锌。77.根据权利要求71-76中任一项所述的纳米结构模制品，其中至少一个壳包含znse并且至少一个壳包含zns。
78.根据权利要求71-77中任一项所述的纳米结构模制品，其中所述纳米结构表现的光致发光量子产率为约75％至约90％。79.根据权利要求71-77中任一项所述的纳米结构模制品，其中所述纳米结构表现的光致发光量子产率为约80％至约90％。80.根据权利要求71-79中任一项所述的纳米结构模制品，其中所述纳米结构表现的半峰全宽为约20nm至约30nm。81.根据权利要求71-79中任一项所述的纳米结构模制品，其中所述纳米结构组合物表现的半峰全宽为约25nm至约30nm。82.根据权利要求71-81中任一项所述的纳米结构模制品，其中所述纳米结构包含至少一个含有znse的壳和至少一个含有zns的壳。83.根据权利要求71-82中任一项所述的纳米结构模制品，其中所述纳米结构为量子点。
技术总结
本发明涉及纳米技术领域。本发明提供高度发光的纳米结构，特别是包含ZnSe
技术研发人员：B
受保护的技术使用者：纳米系统公司
技术研发日：2020.08.12
技术公布日：2022/8/4