壳核结构荧光材料及其光源装置的制造方法

文档序号:9822603阅读:655来源:国知局
壳核结构荧光材料及其光源装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明是有关于一种壳核结构英光材料及其光源装置,尤其是壳核结构英光材料 包含具有黄光、绿光、或红光英光粉的核必W及具有含儘氣化物英光粉的壳层,而含儘氣化 物英光粉包含四价儘离子并具有化学式AyMFe yZy:Μη4%此壳核结构英光材料可接收紫外及 藍光的激发光,而放射复合型光谱W达成高演色性白光的需求。
【背景技术】
[0002] 近年来,具有"节能"与"环保"双重特性的白光发光二极管(LED),随着其发光效率 的不断提升,一般认为是取代热识灯与英光灯的革命性光源。英光材料为制作单芯片白光 L邸不可或缺的光转换材料,攸关发光效率、安定性、演色性、色温、使用寿命等特性,因此是 单芯片白光L邸系统中最重要的关键材料。
[0003] -般来说,白光装置需要具有高演色性W呈现物体真实色彩,然而,在现有技术 中,利用 440 ~460nm 藍光激发 550nm L1I3AI5O12: Ce"绿粉或 560nmY3Al5〇i2: Ce"黄粉,所产 生的白光演色性是介于70~75,使得藍光芯片无法搭配单一英光粉而满足目前光源的需 求。
[0004] 因此,需要一种具有复合型光谱的新颖壳核结构英光材料W及使用送种英光材料 的光源装置,利用核壳结构英光粉具有复合型光谱的特性,即能W单一英光粉封装有效提 升白光的演色性,其中壳核结构英光材料包括具有黄光、绿光、或红光英光粉的核必W及具 有含儘氣化物英光粉的壳层,可吸收370nm至500nm的波长的光激发而转换成520nm至 800nm之间的发射光,且利用壳核结构英光材料W制作光源装置,提供具有高质量的光源, 藉W解决上述现有技术的问题。

【发明内容】

[0005] 本发明的主要目的在于提供一种壳核结构英光材料,包括:核必及壳层,且核必具 有黄光、绿光、或红光英光粉,而壳层具有含儘氣化物英光粉,尤其是含儘氣化物英光粉包 含第一元素、第二元素、氣元素、因素元素 W及四价儘离子,且具有化学式AyMFeyZy:Mn4%其 中A为第一元素并包含裡、钢、钟、颂、锥、镇、巧、餓、顿W及锋的至少其中之一,Μ为第二元 素并包含娃、错、锡、铁、铅、铅、嫁、钢、钥、纪、铜、银、粗、银W及乱的至少其中之一,F为氣,Ζ 为因素元素并包含氯、漠 W及贿的至少其中之一,且〇<x兰2,0兰y兰6。
[0006] 壳层的含儘氣化物英光粉可经370nm至500nm的波长的光激发后,放射出波峰介 于520nm至800nm之间的光线,可搭配适当的英光材料而应用于照明或液晶显示器,藉W提 供具有适当光谱的光源,比如白光光源。
[0007] 此外,核必是含Η价饰的金属氧化物及含二价馆的化合物,其中含Η价饰的金属 氧化物的化学式为化Gd,Tb,La, Sm,Pr,Lu) 3 (Sc, Α1,Ga) 5〇12: Ce",主要包含纪、乱、铺、铜、 彩、错、错、钥、铅、嫁。含二价馆化合物的化学式为餓巧娃氮氧化物((Sr,Ca)Si2〇2N2:Eu")、 A1地a-娃铅氧氮化合物(Alpha-SiA10N:Eu")、Beta-娃铅氧氮化合物度eta-SiA10N:Eu")、 顿餓巧娃酸盐化合物(度a, Sr, Ca)2Si〇4:Eu2+)、巧餓顿娃氮化物((Ca, Sr, Ba)2Si5Ns:Eu")、 巧餓铅娃氮化物((化,Sr) AlSiNs:Eu"),尤其是,核必的粒径大小为0. 01um-200um。
[0008] 此外,本发明的壳核结构英光材料可进一步包括黄光英光材料、绿光英光材料、 红光英光材料的至少其中之一,并混合均匀,且黄光英光材料、绿光英光材料、红光英光材 料能接收该激发光而分别放射黄光、绿光、红光。具体而言,黄光英光材料包括含Η价饰 的纪铅氧化物灯3Als〇i2:Ce")、含二价馆的Α1地a-娃铅氧氮化合物(Alpha-SiAlON:化") W及顿餓巧娃酸盐化合物度曰,Sr, Ca)2Si〇4:Eu"),绿光英光材料包括含Η价饰的错铅氧 化物(Lu3Al5〇i2:Ce")、含二价馆的Beta-娃铅氧氮化合物度eta-SiA10N:Eu") W及餓巧 娃氮氧化物((Sr, Ca)Si2〇2N2:Eu"),而红光英光材料包括含二价馆的顿餓巧娃氮化合物 (度曰,Sr, Ca)2Si5Ns:Eu")、重丐餓铅娃氮化合物((Ca, Sr)AlSiN3:Eu")。
[0009] 本发明的另一目的在于提供一种光源装置,包括:壳核结构英光材料、激发光源、 电气连接线及封装体,且电气连接线输入电源W供应激发光源,进而产生发射光,而壳核结 构英光材料是涂布于封装体上,用W接收激发光源的原始发射光而产生高质量的放射光。 尤其是,本发明的光源装置可再包含黄光英光材料、绿光英光材料、红光英光材料的至少其 中之一,其中黄光英光材料、绿光英光材料、红光英光材料能接收该激发光而分别放射黄 光、绿光、红光。此外,黄光英光材料、绿光英光材料、红光英光材料是与壳核结构英光材料 混合均匀而涂布于封装体,因此,可调配出具有特定光谱的光源,可提供照明或显示领域中 所需的高质量光源。
【附图说明】
[0010] 图1为依据本发明实施例壳核结构英光材料的示意图;
[0011] 图2为依据本发明实施例壳核结构英光材料混合黄光英光材料、绿光英光材料、 红光英光材料后的示意图;
[0012] 图3为依据本发明另一实施例使用壳核结构英光材料的光源装置的示意图; [001引图4为实例1的Lu3Al50i2:Ce"/K2SiFe:Mn+4核壳结构英光粉元素分析;
[0014] 图5为实例1的Lu3Al5〇i2:Ce"/K2SiFe:Mn+4核壳英光粉的激发及放射光谱图;
[001引图6为不同浓度的K2SiFe:Mn+4前驱物合成的Lu3Al50i2:Ce"/K2SiFe:Mn+ 4核壳结构 英光粉英光的放射光谱图;
[0016] 图7为实例2的Beta-SiA10N/K2SiFe:Mn+4核壳英光粉的激发及放射光谱图;
[0017] 图8为不同浓度的K2SiFe:Mn+4前驱物所合成的Beta-SiA10N/K2SiFe:Mn+ 4核壳结 构英光粉英光放射光谱图;
[001引图9为实例3的Y3Al50i2:Ce"/K2SiFe:Mn+4核壳英光粉的激发及放射光谱图;
[001引图10为实例4的(Ba,Sr, Ca)2Si04:Eu"/K2SiFe:Mn+4核壳英光粉激发及放射光谱 图;
[0020] 图11为实例5的姑,化)Si2〇2N2:化"/K2SiFe:Mn+4核壳英光粉激发及放射光谱图; [0021] 图12为实例6的(Ca,Sr, Ba)2SisNs:化"/K2SiFe:Mn+4核壳英光粉激发及放射光谱 图;
[00过图13为实例7的(Ca,Sr) AlSiNs:化"/K2SiFe:Mn+4核壳英光粉激发及放射光谱图; W及
[0023] 图14为沈Μ图。
[0024] 其中,附图标记说明如下:
[00巧]1壳核结构英光材料
[002引 2光源装置
[0027] 10 核必
[002引 20壳层
[002引 22黄光英光材料
[0030] 24绿光英光材料
[0031] 26红光英光材料
[00础 30激发光源
[003引 A局部放大区
[0034] B封装体
[0035] CN电气连接线
[003引 L1激发光
[0037] L2发射光
[0038] L3发射光光源
[0039] PLE激发光谱
[0040] 化放射光谱
【具体实施方式】
[0041] W下配合图标及元件符号对本发明的实施方式做更详细的说明,W
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