技术领域本实用新型涉及空气净化技术领域，具体涉及一种基于pn结的吸光型空气净化系统。
背景技术：
空气净化器是指能够过滤、吸附、分解或转化各种空气污染物，有效提高空气清洁度的家电产品。空气净化器中有多种不同的技术和介质，使它能够向用户提供清洁和安全的空气，常用的空气净化技术有：吸附技术、负(正)离子技术、催化技术、光触媒技术、超结构光矿化技术、高效微粒空气过滤器(HEPA)、静电集尘技术等。其中，光触媒技术是一种以纳米级二氧化钛为代表的具有光催化功能的光半导体材料的总称，它涂布于基材表面，在光线的作用下，产生催化降解功能，能降解空气中有毒有害气体，但是其缺点是光致载流子在二氧化钛的复合率高，整体降解有毒有害气体的效率低。因此，有必要针对这一缺点提出新的解决方案。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于针对现有技术的不足提供一种基于pn结的吸光型空气净化系统，可有效催化降解空气中的有机分子或病毒等有机物，从而达到净化空气的效果，同时能够充分发挥pn结的优点，促进载流子分离，减少载流子复合机率，从而提升在pn结表面降解污染物的效率。本实用新型通过以下技术方案实现该目的：一种基于pn结的吸光型空气净化系统，包括由p-型半导体和n-型半导体构成的pn结，以及用于为pn结提供光子的若干光源，所述pn结与光源之间构成用于待净化的空气穿过的空气通道。作为优选的，所述p-型半导体包括若干个，间隔设置于n-型半导体的表面。作为另一优选的，所述n-型半导体包括若干个，间隔设置于p-型半导体的表面。进一步的，还包括用于承载所述pn结的基体。作为优选的，所述基体的底部设置有反光层。更进一步的，还包括一反光镜，所述反光镜设置在光源的后侧，用于将光源发出的光子反射至pn结的表面。相对于现有技术，本实用新型的有益效果为：本实用新型的一种基于pn结的吸光型空气净化系统，包括由p-型半导体和n-型半导体构成的pn结，以及用于为pn结提供光子的若干光源，所述pn结与光源之间构成用于待净化的空气穿过的空气通道，所述光源发出的光子被pn结吸收，在pn结中产生大量电子空穴对，电子空穴对在pn结的作用下产生分离，电子聚集到n-型半导体侧，空穴聚集在p-型半导体侧。当空气中的有机分子或病毒与富集空穴的p-型半导体接触时就会被氧化降解，另外在n-型半导体聚集的电子也会起到还原降解作用，光子也可杀死病毒，从而到达净化空气的目的，同时能够充分发挥pn结的优点，促进载流子分离，减少载流子复合机率，从而提升在pn结表面降解污染物的效率。附图说明图1为实施例1的基于pn结的吸光型空气净化系统的结构示意图。图2为实施例2的基于pn结的吸光型空气净化系统的结构示意图。图中：1-p-型半导体，2-n-型半导体，3-光源，4-基体，5-反光层，6-反光镜，7-空气通道。具体实施方式以下结合附图及具体实施例对本实用新型进行详细描述。实施例1。如图1所示，本实施例的一种基于pn结的吸光型空气净化系统，包括由p-型半导体1和n-型半导体2构成的pn结，以及用于为pn结提供光子的若干光源3，所述pn结与光源3之间构成用于待净化的空气穿过的空气通道7。本实施例的基于pn结的吸光型空气净化系统的工作原理：所述光源3发出的光子被pn结吸收，在pn结中产生大量电子空穴对，电子空穴对在pn结的作用下产生分离，电子聚集到n-型半导体2侧，空穴聚集在p-型半导体1侧。当空气从空气通道7中穿过，其中的有机分子或病毒与富集空穴的p-型半导体1接触时，它们就会被氧化降解，另外在n-型半导体2聚集的电子也会起到还原降解作用，光子也可杀死病毒，从而到达净化空气的目的，同时能够充分发挥pn结的优点，促进载流子分离，减少载流子复合机率，从而提升在pn结表面降解污染物的效率。其中，所述p-型半导体1包括若干个，间隔设置于n-型半导体2的表面，表面积大，分离后的电子及空穴数量多，氧化降解效率高，从而有利于提升在pn结表面降解有机分子或病毒等污染物的效率。进一步的，还包括用于承载所述pn结的基体4，作为优选的，所述基体4的底部设置有反光层5，有利于加强光的吸收，提高光的利用效率。更进一步的，还包括一用于将光源3发出的光子反射至pn结的表面的反光镜6，所述反光镜6设置在光源3的后侧，有利于提高光源3利用效率及本实用新型的空气净化系统的空气净化效率。实施例2。如图2所示，本实施例与实施例1的区别在于：所述n-型半导体2包括若干个，间隔设置于p-型半导体1的表面，表面积大，分离后的电子及空穴数量多，氧化降解效率高，从而有利于提升在pn结表面降解有机分子或病毒等污染物的效率。本实施例的其它技术特征同实施例1，在此不再进行赘述。以上所述实施例仅表达了本实用新型的部分实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。