燥。
[0032]普通油漆地板和高效速热型纳米地热地板采用相同的基材和油漆原料，42°C热源的同等条件下，室温开始传热，若设定目标温度为32.3°C(地暖较舒适的温度)，可以看到本发明地热地板提供的高效速热型纳米地热地板与普通地热地板相比，达到设定的传热时间缩短了 44%，证实了本发明提供的高效速热型纳米地热地板有极高的传热速率和极佳的导热效能(国家权威检测机构检测高达13°C/h)，具体见图3。
[0033]
实施例二
高效速热型纳米地热地板包括基材层1，基材层I上方设置有多层速热涂敷层2;速热涂敷层材料包括石墨稀纳米材料和油漆，石墨稀纳米材料和油漆的质量比1:5000。基材层I为实木层。
[0034]速热涂敷层涂敷方法具体为:
(1)石墨烯纳米材料制备:将石墨粉和葡萄糖固体以一定比例(质量比1:15)在球磨罐腔体中混合，以一定的速度(350r/min)固相研磨15h，固相研磨采用行星式运转方式，球磨速度为350r/min，得到粉体;然后用溶剂(水或有机溶剂)转移出所述粉体，离心去除杂质(未反应完全的石墨粉和聚合物)得到分散液，透析直至呈中性，得到厚度小于Inm的片层石墨稀纳米材料；
(2)石墨烯纳米材料分散液制备:将所得石墨烯纳米材料在水或有机溶剂中制备成均勾半透明的石墨稀纳米材料分散液，浓度为0.08mg/mL；
(3)速热涂敷层材料制备:将所得石墨烯纳米材料分散液与面漆混合均匀； (4)涂敷；
(5)干燥。
[0035]
实施例三
高效速热型纳米地热地板包括基材层1，基材层I上方设置有多层速热涂敷层2;速热涂敷层材料包括石墨稀纳米材料和油漆，石墨稀纳米材料和油漆的质量比1:1200。基材层I为实木层。
[0036]速热涂敷层涂敷方法具体为:
(1)石墨烯纳米材料制备:将石墨粉和葡萄糖固体以一定比例(质量比1:12)在球磨罐腔体中混合，以一定的速度(250r/min)固相研磨16h，固相研磨采用行星式运转方式，球磨速度为250r/min，得到粉体;然后用溶剂(水或有机溶剂)转移出所述粉体，离心去除杂质(未反应完全的石墨粉和聚合物)得到分散液，透析直至呈中性，得到厚度小于Inm的片层石墨稀纳米材料；
(2)石墨烯纳米材料分散液制备:将所得石墨烯纳米材料在水或有机溶剂中制备成均勾半透明的石墨稀纳米材料分散液，浓度为0.0 2mg/ mL ；
(3)速热涂敷层材料制备:将所得石墨烯纳米材料分散液与面漆混合均匀；
(4)涂敷；
(5)干燥。
[0037]
实施例四
同实施例一，不同的是速热涂敷层2中还包括光触媒抗菌材料;光触媒抗菌材料为纳米级T12光触媒材料与纳米银按质量比10: 4混合组成的混合物。
[0038]基材层I为实木多层板结构；基材层I采用中板制备而成，具体是将中板布胶-冷压-修芯-组合-热压-裁边-砂光，布胶时采用生物质大豆胶;生物质大豆胶包括按质量比I:1.5的豆粉与助剂混合而成的混合物;助剂包括水、碱、聚乙烯醇、六甲基-环氧氯丁烷、高岭土和异氰酸酯；生物质大豆胶制备方法包括将豆粉与助剂在转速为300r/min的条件下搅拌5-20min，搅拌均匀，粘度控制在30000cpS。基材层I下方包括平衡层3;平衡层3为厚度0.3mm
的单板，平衡层为旋切材。
[0039]
实施例五
同实施例二，不同的是速热涂敷层2中还包括光触媒抗菌材料;光触媒抗菌材料为纳米级T12光触媒材料与纳米银按质量比20: 2混合组成的混合物。
[0040]基材层I为实木多层板结构；基材层I采用中板制备而成，具体是将中板布胶-冷压-修芯-组合-热压-裁边-砂光，布胶时采用生物质大豆胶;生物质大豆胶包括按质量比I:2.5的豆粉与助剂混合而成的混合物;助剂包括水、碱、聚乙烯醇、六甲基-环氧氯丁烷、高岭土和异氰酸酯；生物质大豆胶制备方法包括将豆粉与助剂在转速为2000r/min的条件下搅拌20min，搅拌均匀，粘度控制在lOOOOOcps。基材层I下方包括平衡层3;平衡层3为厚度
1.2mm的单板，平衡层为旋切材。
[0041]
实施例六
同实施例三，不同的是速热涂敷层2中还包括光触媒抗菌材料;光触媒抗菌材料为纳米级T12光触媒材料与纳米银按质量比15: 3混合组成的混合物。
[0042]基材层I为实木多层板结构；基材层I采用中板制备而成，具体是将中板布胶-冷压-修芯-组合-热压-裁边-砂光，布胶时采用生物质大豆胶;生物质大豆胶包括按质量比I:2的豆粉与助剂混合而成的混合物;助剂包括水、碱、聚乙烯醇、六甲基-环氧氯丁烷、高岭土和异氰酸酯;生物质大豆胶制备方法包括将豆粉与助剂在转速为1000r/min的条件下搅拌101^11，搅拌均匀，粘度控制在70000(^8。基材层1下方包括平衡层3;平衡层3为厚度0.9111111
的单板，平衡层为旋切材。
[0043]
实施例七
如图2所示，平衡层3的上表面和下表面均设有导热槽31和导热孔32;导热孔32贯穿平衡层3，其两端开口分别位于平衡层3上下表面的导热槽31内。平衡层3相邻两个导热孔32之间部分设有导热腔33;导热腔33内设有金属支撑件34和半导体制热片35。
[0044]半导体制热片35包括用于吸热的冷端51、用于散热的热端52、设置在冷端51和热端52之间的N型半导体53和P型半导体54、连接N型半导体53和P型半导体54的金属导体55、电源56;金属导体55设置用于电连接电源56的正负电极;N型半导体53设置石墨烯层57，或者P型半导体54设置石墨烯层57，或者N型半导体53和P型半导体54均设置石墨烯层57。
[0045]
本具体实施例仅仅是对本发明的解释，其并不是对本发明的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。
【主权项】
1.一种高效速热型纳米地热地板，包括基材层(I)，其特征在于:所述基材层(I)上方设置有多层速热涂敷层(2);所述速热涂敷层材料包括石墨烯纳米材料和油漆，石墨烯纳米材料和油漆的质量比1:10000-1:1200。2.根据权利要求1所述的一种高效速热型纳米地热地板，其特征在于:所述速热涂敷层涂敷方法具体为: (1)石墨烯纳米材料制备:将石墨粉和葡萄糖固体以质量比I: 10-15在球磨罐腔体中混合，固相研磨15-18h得到粉体;然后用溶剂(水或有机溶剂)转移出所述粉体，离心得到分散液，透析直至呈中性，得到厚度小于Inm的片层石墨烯纳米材料； (2)石墨烯纳米材料分散液制备:将所得石墨烯纳米材料在水或有机溶剂中制备成均勾半透明的石墨稀纳米材料分散液，浓度为0.008-0.08mg/mL； (3)速热涂敷层材料制备:将所得石墨烯纳米材料分散液与面漆混合均匀，石墨烯纳米材料和油漆的质量比1:10000-1:1200； (4)涂敷； (5)干燥。3.根据权利要求2所述的一种高效速热型纳米地热地板，其特征在于:所述步骤(I)制备的石墨烯纯度为99.99%以上;所述固相研磨采用行星式运转方式，球磨速度为200-350r/mino4.根据权利要求1-3任一项所述的一种高效速热型纳米地热地板，其特征在于:所述速热涂敷层(2)中还包括光触媒抗菌材料； 所述光触媒抗菌材料为纳米级T12光触媒材料与纳米银按质量比10-20:2-4混合组成的混合物。5.根据权利要求4所述的一种高效速热型纳米地热地板，其特征在于:所述基材层(I)为实木层。6.根据权利要求4所述的一种高效速热型纳米地热地板，其特征在于:所述基材层(I)为实木多层板结构;所述基材层(I)采用中板制备而成，具体是将中板布胶-冷压-修芯-组合-热压-裁边-砂光，所述布胶时采用生物质大豆胶;所述生物质大豆胶包括按质量比1:1.5-2.5的豆粉与助剂混合而成的混合物； 所述助剂包括水、碱、聚乙烯醇、六甲基-环氧氯丁烷、高岭土和异氰酸酯； 所述生物质大豆胶制备方法包括将所述豆粉与助剂在转速为300-2000r/min的条件下搅拌5-20min，搅拌均匀，粘度控制在30000-100000cps。7.根据权利要求6所述的一种高效速热型纳米地热地板，其特征在于:所述基材层(I)下方包括平衡层(3);所述平衡层(3)为厚度0.3-1.2mm的单板，所述平衡层为旋切材。8.根据权利要求7所述的一种高效速热型纳米地热地板，其特征在于:所述平衡层(3)的上表面和下表面均设有导热槽(31)和导热孔(32);所述导热孔(32)贯穿平衡层(3)，其两端开口分别位于平衡层(3)上下表面的导热槽(31)内。9.根据权利要求8所述的一种高效速热型纳米地热地板，其特征在于:所述平衡层(3)相邻两个导热孔(32)之间部分设有导热腔(33);所述导热腔(33)内设有金属支撑件(34)和半导体制热片(35)。10.根据权利要求9所述的一种高效速热型纳米地热地板，其特征在于:所述半导体制热片(35)包括用于吸热的冷端(51)、用于散热的热端(52)、设置在所述冷端(51)和热端(52)之间的N型半导体(53)和P型半导体(54)、连接所述N型半导体(53)和所述P型半导体(54)的金属导体(55)、电源(56);所述金属导体(55)设置用于电连接所述电源(56)的正负电极;所述N型半导体(53)设置石墨烯层(57)，或者所述P型半导体(54)设置石墨烯层(57)，或者所述N型半导体(53)和所述P型半导体(54)均设置石墨烯层(57)。
【专利摘要】本发明属于地板结构技术领域，尤其是涉及一种地热地板。本发明高效速热型纳米地热地板包括基材层，其所述基材层上方设置有多层速热涂敷层；所述速热涂敷层材料包括石墨烯纳米材料和油漆，石墨烯纳米材料和油漆的质量比1:10000-1:1200。采用本发明特定结构和材料制成的地热地板，具有升温速率高、减少热量堆积和降低能源消耗的优势。
【IPC分类】F25B21/02, F24D13/00
【公开号】CN105605654
【申请号】CN201610075470
【发明人】刘勇, 朱建明, 李晓健, 孙晨, 杨东旭, 傅文生
【申请人】湖州浔烯纳米科技有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2016年2月3日