专利名称：一种半导体制冷器温控装置的制作方法
技术领域：
本发明属于半导体控制技术领域，涉及一种温度控制装置，具体是一种半导体制冷器温控装置。
背景技术：
温度特性是考量许多光电器件及装置性能的一项极其重要的指标，尤其在某些特定应用场合，对于一些温度敏感的器件及装置，温度性能成为制约其应用的最重要因素之一。例如，在航空环境、军事应用等恶劣条件下，一些精密光学测量单元，如光纤陀螺，即对环境温度极为敏感。极端的温度环境使光纤陀螺内部的光电器件性能恶化，从而导致陀螺稳定性和可靠性下降，甚至不能工作。因此，对温度敏感的光电器件和设备进行大范围温度性能测试是考究系统稳定性和可靠性的重要环节。当然，除了考察光电器件大范围温度稳定性和可靠性之外，往往还需考虑系统承受温度冲击的能力。在测试器件和设备的抗温度冲击能力时，需要测试系统能够极其快速的温变。同时，诸如陀螺及其类似光电器件或者系统，对振动也异常敏感，在进行温度相关性能测试时，期望测试设备不引入振动。因此，对于光纤陀螺及其类似光电器件或者系统的温度性能测试来说，对测试系统提出了三个最基本的要求:有较大的温变范围；可控的温变速率，能够快速温变；不引入振动。同时，还希望温控装置结构简单、稳定可靠、控制方便、体积小巧适合小型光电器件。传统的温度测 试设备为压缩机式的温箱，其存在几个缺点:对于小巧的光电器件来说，体积过于庞大；耗电大；压缩机振动严重影响测试结果等。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足，提供一种半导体制冷器温控装置。本发明包括一个主控板电路、三个结构相同的驱动电路、五个结构相同的半导体制冷器；五个半导体制冷器中的四个半导体制冷器在同一水平面上，构成矩形状，四个半导体制冷器以两个为一组，每组的两个半导体制冷器串联，且每组的两个半导体制冷器由一个驱动电路驱动；另一个半导体制冷器设置在四个半导体制冷器之上，且位于其他四个半导体制冷器构成的矩形状正中心，该半导体制冷器通过导热硅酯与下层的四个半导体制冷器固定，由第三个驱动电路驱动。所述的主控板电路包括主控电路和串口电路；
主控电路包括主控芯片U1、第一晶振CY1、第一电阻R1、第一电容Cl和第二电容C2,主控芯片Ul的4脚接第一电阻Rl的一端，第一电阻Rl的另一端接+5V电源；主控芯片Ul的14脚与第一晶振CYl的一端、第一电容Cl的一端相连接,主控芯片Ul的15脚与第一晶振CYl的另一端、第二电容C2的一端,相连接,第一电容Cl的另一端和第二电容C2的另一端均接地；主控芯片Ul的6脚、17脚、38脚接+5V电源，主控芯片Ul的16脚、28脚、39脚接地；
串口电路包括主控串口芯片U2、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5 ;主控串口芯片U2的2脚与第二电阻R2的一端相连接，3脚与第三电阻R3的一端相连接，4脚与第四电阻R4的一端相连接，5脚与第五电阻R5的一端相连接；第二电阻R2的另一端与主控芯片Ul的7脚相连接，第三电阻R3的另一端与主控芯片Ul的12脚相连接，第四电阻R4的另一端与主控芯片Ul的13脚相连接，第五电阻R5的另一端与主控芯片Ul的5脚相连接；主控串口芯片U2的13脚和14脚接+5V电源；主控串口芯片U2的6脚和7脚接地；
所述的主控芯片Ul为ATmegal62L-8AI芯片；
所述的主控串口芯片U2为7LB180芯片；
所述的驱动电路包括驱动控制电路、驱动串口电路和H桥控制电路；
驱动控制电路包括驱动控制芯片U3、第二晶振CY2、第六电阻R6、第三电容C3和第四电容C4 ;驱动控制芯片U3的4脚与第六电阻R6的一端相连接，第六电阻R6的另一端接+5V电源；驱动控制芯片U3的7脚与第二晶振CY2的一端、第三电容C3的一端相连接，8脚与第二晶振CY2的另一端、第四电容C4的一端相连接；第三电容C3的另一端和第四电容C4的另一端接地；驱动控制芯片U3的5脚、17脚、27脚、29脚、38脚接+5V电源；驱动控制芯片U3的6脚、18脚、28脚、39脚接地；
驱动串口电路包括驱动串口芯片U4、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻RlO ;驱动串口芯片U4的2脚与第七电阻R7的一端相连接，3脚与第八电阻R8的一端相连接，4脚与第九电阻R9的一端相连接，5脚与第十电阻RlO的一端相连接；第七电阻R7的另一端与驱动控制芯片U3的10脚相连接，第八电阻R8的另一端与驱动控制芯片U3的3脚相连接，第九电阻R9的另一端与驱动控制芯片U3的2脚相连接，第十电阻RlO的另一端与驱动控制芯片U3的9脚相连接；驱动串口芯片U4的13脚和14脚接+5V电源；驱动串口芯片U4的6脚和7脚接地；驱动串口芯片U4的9脚接主控串口芯片U2的12脚，驱动串口芯片U4的10脚接主控串口芯片U 2的11脚，驱动串口芯片U4的11脚接主控串口芯片U2的10脚，驱动串口芯片U4的12脚接主控串口芯片U2的9脚；
H桥控制电路包括H桥控制芯片U5、第i^一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻Rl3、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17、第十八电阻R18、第十九电阻R19、第二十电阻R20、第四电容C5、第四电容C6、第一NMOS管N1、第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4 ； H桥控制芯片U5的21脚与第i^一电阻Rll的一端相连接，22脚与第十二电阻R12的一端相连接，23脚与第十三电阻R13的一端相连接，24脚与第十四电阻R14的一端相连接,25脚与第十五电阻R15的一端相连接,26脚与第十六电阻R16的一端相连接；第十一电阻Rll的另一端与驱动控制芯片U3的16脚相连接，第十二电阻R12的另一端与驱动控制芯片U3的15脚相连接，第十三电阻R13的另一端与驱动控制芯片U3的14脚相连接，第十四电阻R14的另一端与驱动控制芯片U3的13脚相连接，第十五电阻R15的另一端与驱动控制芯片U3的12脚相连接，第十六电阻R16的另一端与驱动控制芯片U3的11脚相连接；H桥控制芯片U5的5脚与第十七电阻R17的一端相连接，第十七电阻R17的另一端与第一 NMOS管NI的栅极相连接；H桥控制芯片U5的3脚与第十八电阻R18的一端相连接，第十八电阻R18的另一端与第二 NMOS管N2的栅极相连接；H桥控制芯片U5的10脚与第十九电阻R19的一端相连接，第十九电阻R19的另一端与第三NMOS管N3的栅极相连接；H桥控制芯片U5的12脚与第二十电阻R20的一端相连接，第二十电阻R20的另一端与第四NMOS管N4的栅极相连接；H桥控制芯片U5的6脚与第五电容C5的一端相连接，4脚与第五电容C5的另一端、第一 NMOS管NI的漏极、第二 NMOS管N2的源极相连接，并将该4脚作为串联组中一个半导体制冷器TEC的驱动端或直接作为非串联组中单个半导体制冷器的一个驱动端；H桥控制芯片U5的9脚与第六电容C6的一端相连接，11脚与第六电容C6的另一端、第三NMOS管N3的漏极、第四NMOS管N4的源极相连接，并将该11脚作为串联组中另一个半导体制冷器TEC的驱动端或直接作为非串联组中单个半导体制冷器的另一个驱动端；第一 NMOS管NI的源极和第三NMOS管N3的源极接+15V电源，第二 NMOS管N2的漏极和第四NMOS管N4的漏极接地。其中驱动控制芯片U3为ATmegal6_16MC芯片；
其中驱动串口芯片U4为7LB180芯片；
其中H桥控制芯片U5为A3940芯片，NMOS管为IRF3205NM0S管。每个驱动电路中H桥控制电路的两个半导体制冷器TEC的驱动端分别与串联组中半导体制冷器TEC的输入端相连接。主控板电路通过串口电路向三个驱动电路的驱动串口电路发送控制信号，驱动电路得到控制信号之后，驱动控制电路的驱动控制芯片U3产生相应脉宽的PWM波及逻辑控制信号，并将PWM波及逻辑控制信号发送给H桥控制电路，H桥控制电路接收到PWM波及逻辑控制信号，直接控制第一 NMOS管N1、第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4这四个NMOS管的有序通断，从而控制半导体制冷器TEC的驱动端输出电流的通断，达到控制串联组中半导体制冷器TEC驱动电流的大小，不同脉宽的PWM对应不同大小的驱动电流，通过改变PWM波脉宽，能够改变半导体制冷器驱动电流的大小，从而达到不同的温控量。同时，通过改变发送给H桥控制电路的逻辑控制信号，使H桥控制电路工作于不同模式下，即可改变H桥控制电路半导体制冷器TEC的驱动端输出电流的电流方向，从而使半导体制冷器工作于加热或者制冷状态。
本发明有益效果:
相比传统装置，本发明装置使用TEC作为加热和制冷部件，本身体积小巧，适合光电器件的测试。同时，TEC工作时不会引入振动，有利于对振动敏感的器件的测试。本发明中，五个半导体制冷器中的四个半导体制冷器在同一水平面上，构成矩形状，另一个半导体制冷器设置在四个半导体制冷器之上，且位于正中心，这样设置，保证了上下两层TEC之间达到最大传热效率，安装方便，同时测试系统能够极其快速的温变，也能够获得较大的温变范围。而将下层4块TEC两两串联，充分利用电源的驱动能力，提高电源利用率，增加了温度控制的灵活度。
图1是本发明温控装置结构示意 图2是本发明主控板电路示意 图3是本发明驱动电路意 图4是本发明H桥控制电路。
具体实施例方式下面结合附图对本发明做进一步说明。
如图1所示，一种半导体制冷器温控装置，包括一个主控板电路、三个结构相同的驱动电路、五个结构相同的半导体制冷器；五个半导体制冷器中第一半导体制冷器TEC1、第二半导体制冷器TEC2、第三半导体制冷器TEC3、第四半导体制冷器TEC4在同一水平面上，构成矩形状，且第一半导体制冷器TEC1、第二半导体制冷器TEC2串联为一组，第三半导体制冷器TEC3、第四半导体制冷器TEC4串联为另一组；两组串联的半导体制冷器分别第一驱动电路、第二驱动电路驱动；第五半导体制冷器TEC5设置在四个半导体制冷器之上，且位于其他四个半导体制冷器构成的矩形状正中心，第五半导体制冷器TEC5通过导热硅酯与下层的四个半导体制冷器固定，由第三驱动电路驱动。如图2所示，所述的主控板电路包括主控电路和串口电路；
主控电路包括主控芯片U1、第一晶振CY1、第一电阻R1、第一电容Cl和第二电容C2,主控芯片Ul的4脚接第一电阻Rl的一端,第一电阻Rl的另一端接+5V电源；主控芯片Ul的14脚与第一晶振CYl的一端、第一电容Cl的一端相连接,主控芯片Ul的15脚与第一晶振CYl的另一端、第二电容C2的一端,相连接,第一电容Cl的另一端和第二电容C2的另一端均接地；主控芯片Ul的6脚、17脚、38脚接+5V电源，主控芯片Ul的16脚、28脚、39脚接地； 串口电路包括主控串口芯片U2、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5 ;主控串口芯片U2的2脚与第二电阻R2的一端相连接，3脚与第三电阻R3的一端相连接，4脚与第四电阻R4的一端相连接，5脚与第五电阻R5的一端相连接；第二电阻R2的另一端与主控芯片Ul的7脚相连接，第三电阻R3的另一端与主控芯片Ul的12脚相连接，第四电阻R4的另一端与主控芯片Ul的13脚相连接，第五电阻R5的另一端与主控芯片Ul的
5脚相连接；主控串口芯片U2的13脚和14脚接+5V电源；主控串口芯片U2的6脚和7脚接地；
所述的主控芯片Ul为ATmegal62L-8AI芯片；
所述的主控串口芯片U2为7LB180芯片；
所述的驱动电路包括驱动控制电路、驱动串口电路和H桥控制电路；
如图3所示，驱动控制电路包括驱动控制芯片U3、第二晶振CY2、第六电阻R6、第三电容C3和第四电容C4 ;驱动控制芯片U3的4脚与第六电阻R6的一端相连接，第六电阻R6的另一端接+5V电源；驱动控制芯片U3的7脚与第二晶振CY2的一端、第三电容C3的一端相连接，8脚与第二晶振CY2的另一端、第四电容C4的一端相连接；第三电容C3的另一端和第四电容C4的另一端接地；驱动控制芯片U3的5脚、17脚、27脚、29脚、38脚接+5V电源；驱动控制芯片U3的6脚、18脚、28脚、39脚接地；
如图3所示，驱动串口电路包括驱动串口芯片U4、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻RlO ;驱动串口芯片U4的2脚与第七电阻R7的一端相连接，3脚与第八电阻R8的一端相连接，4脚与第九电阻R9的一端相连接，5脚与第十电阻RlO的一端相连接；第七电阻R7的另一端与驱动控制芯片U3的10脚相连接，第八电阻R8的另一端与驱动控制芯片U3的3脚相连接，第九电阻R9的另一端与驱动控制芯片U3的2脚相连接，第十电阻RlO的另一端与驱动控制芯片U3的9脚相连接；驱动串口芯片U4的13脚和14脚接+5V电源；驱动串口芯片U4的6脚和7脚接地；驱动串口芯片U4的9脚接主控串口芯片U2的12脚，驱动串口芯片U4的10脚接主控串口芯片U2的11脚，驱动串口芯片U4的11脚接主控串口芯片U2的10脚，驱动串口芯片U4的12脚接主控串口芯片U2的9脚；
如图4所示，H桥控制电路包括H桥控制芯片U5、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17、第十八电阻R18、第十九电阻R19、第二十电阻R20、第四电容C5、第四电容C6、第一 NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4 ; H桥控制芯片U5的21脚与第i^一电阻Rll的一端相连接，22脚与第十二电阻R12的一端相连接，23脚与第十三电阻R13的一端相连接，24脚与第十四电阻R14的一端相连接，25脚与第十五电阻R15的一端相连接，26脚与第十六电阻R16的一端相连接；第^ 电阻Rll的另一端与主控芯片Ul的16脚相连接，第十二电阻R12的另一端与主控芯片Ul的15脚相连接，第十三电阻R13的另一端与主控芯片Ul的14脚相连接，第十四电阻R14的另一端与主控芯片Ul的13脚相连接，第十五电阻R15的另一端与主控芯片Ul的12脚相连接，第十六电阻R16的另一端与主控芯片Ul的11脚相连接；H桥控制芯片U5的5脚与第十七电阻R17的一端相连接，第十七电阻R17的另一端与第一 NMOS管NI的栅极相连接；H桥控制芯片U5的3脚与第十八电阻R18的一端相连接，第十八电阻R18的另一端与第二 NMOS管N2的栅极相连接；H桥控制芯片U5的10脚与第十九电阻R19的一端相连接，第十九电阻R19的另一端与第三NMOS管N3的栅极相连接；H桥控制芯片U5的12脚与第二十电阻R20的一端相连接，第二十电阻R20的另一端与第四NMOS管N4的栅极相连接；H桥控制芯片U5的6脚与第五电容C5的一端相连接，4脚与第五电容C5的另一端、第一 NMOS管NI的漏极、第二 NMOS管N2的源极相连接，并将该4脚作为串联组中一个半导体制冷器TEC的驱动端或直接作为非串联组中单个半导体制冷器的一个驱动端；H桥控制芯片U5的9脚与第六电容C6的一端相连接，11脚与第六电容C6的另一端、第三NMOS管N3的漏极、第四NMOS管N4的源极相连接，并将该11脚作为串联组中另一个半导体制冷器TEC的驱动端或直接作为非串联组中单个半导体制冷器的另一个驱动端；第一 NMOS管NI的源极和第三NMOS管N3的源极接+15V电源，第二 NMOS管N2的漏极和第四NMOS管N4的漏极接地。其中驱动控制芯片U3为ATmegal6_16MC芯片；
其中驱动串口芯片U4为7LB180芯片；
其中H桥控制芯片U5为A3940芯片，NMOS管为IRF3205NM0S管；
每个驱动电路中H桥控制电路的两个半导体制冷器TEC的驱动端分别与串联组中半导体制冷器TEC的输入端相连接。主控板电路通过串口电路向三个驱动电路的驱动串口电路发送控制信号，驱动电路得到控制信号之后，驱动控制电路的驱动控制芯片U3产生相应脉宽的PWM波及逻辑控制信号，并将PWM波及逻辑控制信号发送给H桥控制电路，H桥控制电路接收到PWM波及逻辑控制信号，直接控制第一 NMOS管N1、第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4这四个NMOS管的有序通断，从而控制半导体制冷器TEC的驱动端输出电流的通断，达到控制串联组中半导体制冷器TEC驱动电流的大小，不同脉宽的PWM对应不同大小的驱动电流，通过改 变PWM波脉宽，能够改变半导体制冷器驱动电流的大小，从而达至IJ不同的温控量。同时，通过改变发送给H桥控制电路的逻辑控制信号，使H桥控制电路工作于不同模式下，即可改变H桥控制电路半导体制冷器TEC的驱动端输出电流的电流方向，从而使半导体制冷器工作于加热或者制冷状态。
权利要求
1.一种半导体制冷器温控装置，包括一个主控板电路、三个结构相同的驱动电路、五个结构相同的半导体制冷器；其特征在于: 五个半导体制冷器中的四个半导体制冷器在同一水平面上，构成矩形状，四个半导体制冷器以两个为一组，每组的两个半导体制冷器串联，且每组的两个半导体制冷器由一个驱动电路驱动；另一个半导体制冷器设置在四个半导体制冷器之上，且位于其他四个半导体制冷器构成的矩形状正中心，该半导体制冷器通过导热硅酯与下层的四个半导体制冷器固定，由第三个驱动电路驱动； 所述的主控板电路包括主控电路和串口电路； 主控电路包括主控芯片U1、第一晶振CY1、第一电阻R1、第一电容Cl和第二电容C2,主控芯片Ul的4脚接第一电阻Rl的一端，第一电阻Rl的另一端接+5V电源；主控芯片Ul的14脚与第一晶振CYl的一端、第一电容Cl的一端相连接,主控芯片Ul的15脚与第一晶振CYl的另一端、第二电容C2的一端,相连接,第一电容Cl的另一端和第二电容C2的另一端均接地；主控芯片Ul的6脚、17脚、38脚接+5V电源，主控芯片Ul的16脚、28脚、39脚接地； 串口电路包括主控 串口芯片U2、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5 ;主控串口芯片U2的2脚与第二电阻R2的一端相连接，3脚与第三电阻R3的一端相连接，4脚与第四电阻R4的一端相连接，5脚与第五电阻R5的一端相连接；第二电阻R2的另一端与主控芯片Ul的7脚相连接，第三电阻R3的另一端与主控芯片Ul的12脚相连接，第四电阻R4的另一端与主控芯片Ul的13脚相连接，第五电阻R5的另一端与主控芯片Ul的5脚相连接；主控串口芯片U2的13脚和14脚接+5V电源；主控串口芯片U2的6脚和7脚接地； 所述的驱动电路包括驱动控制电路、驱动串口电路和H桥控制电路； 驱动控制电路包括驱动控制芯片U3、第二晶振CY2、第六电阻R6、第三电容C3和第四电容C4 ;驱动控制芯片U3的4脚与第六电阻R6的一端相连接，第六电阻R6的另一端接+5V电源；驱动控制芯片U3的7脚与第二晶振CY2的一端、第三电容C3的一端相连接，8脚与第二晶振CY2的另一端、第四电容C4的一端相连接；第三电容C3的另一端和第四电容C4的另一端接地；驱动控制芯片U3的5脚、17脚、27脚、29脚、38脚接+5V电源；驱动控制芯片U3的6脚、18脚、28脚、39脚接地； 驱动串口电路包括驱动串口芯片U4、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻RlO ;驱动串口芯片U4的2脚与第七电阻R7的一端相连接，3脚与第八电阻R8的一端相连接，4脚与第九电阻R9的一端相连接，5脚与第十电阻RlO的一端相连接；第七电阻R7的另一端与驱动控制芯片U3的10脚相连接，第八电阻R8的另一端与驱动控制芯片U3的3脚相连接，第九电阻R9的另一端与驱动控制芯片U3的2脚相连接，第十电阻RlO的另一端与驱动控制芯片U3的9脚相连接；驱动串口芯片U4的13脚和14脚接+5V电源；驱动串口芯片U4的6脚和7脚接地；驱动串口芯片U4的9脚接主控串口芯片U2的12脚，驱动串口芯片U4的10脚接主控串口芯片U2的11脚，驱动串口芯片U4的11脚接主控串口芯片U2的10脚，驱动串口芯片U4的12脚接主控串口芯片U2的9脚； H桥控制电路包括H桥控制芯片U5、第i^一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻Rl3、第十四电阻R14、第十五电阻R15、第十六电阻R16、第十七电阻R17、第十八电阻R18、第十九电阻R19、第二十电阻R20、第四电容C5、第四电容C6、第一 NMOS管N1、第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4 ； H桥控制芯片U5的21脚与第i^一电阻Rll的一端相连接，22脚与第十二电阻R12的一端相连接，23脚与第十三电阻R13的一端相连接，24脚与第十四电阻R14的一端相连接,25脚与第十五电阻R15的一端相连接,26脚与第十六电阻R16的一端相连接；第十一电阻Rll的另一端与驱动控制芯片U3的16脚相连接，第十二电阻R12的另一端与驱动控制芯片U3的15脚相连接，第十三电阻R13的另一端与驱动控制芯片U3的14脚相连接，第十四电阻R14的另一端与驱动控制芯片U3的13脚相连接，第十五电阻R15的另一端与驱动控制芯片U3的12脚相连接，第十六电阻R16的另一端与驱动控制芯片U3的11脚相连接；H桥控制芯片U5的5脚与第十七电阻R17的一端相连接，第十七电阻R17的另一端与第一 NMOS管NI的栅极相连接；H桥控制芯片U5的3脚与第十八电阻R18的一端相连接，第十八电阻R18的另一端与第二 NMOS管N2的栅极相连接；H桥控制芯片U5的10脚与第十九电阻R19的一端相连接，第十九电阻R19的另一端与第三NMOS管N3的栅极相连接；H桥控制芯片U5的12脚与第二十电阻R20的一端相连接，第二十电阻R20的另一端与第四NMOS管N4的栅极相连接；H桥控制芯片U5的6脚与第五电容C5的一端相连接，4脚与第五电容C5的另一端、第一 NMOS管NI的漏极、第二 NMOS管N2的源极相连接，并将该4脚作为串联组中一个半导体制冷器TEC的驱动端或直接作为非串联组中单个半导体制冷器的一个驱动端；H桥控制芯片U5的9脚与第六电容C6的一端相连接，11脚与第六电容C6的另一端、第三NMOS管N3的漏极、第四NMOS管N4的源极相连接，并将该11脚作为串联组中另一个半导体制冷器TEC的驱动端或直接作为非串联组中单个半导体制冷器的另一个驱动端 ’第一 NMOS管NI的源极和第三NMOS管N3的源极接+15V电源，第二 NMOS管N2的漏极和第四NMOS管N4的漏极接地。
2.如权利要求1所述的一种半导体制冷器温控装置，其特征在于: 所述的主控芯片Ul为ATmegal62L-8AI芯片； 所述的主控串口芯片U2 为7LB180芯片； 其中驱动控制芯片U3为ATmegal6-16MC芯片； 其中驱动串口芯片U4为7LB180芯片； 其中H桥控制芯片U5为A3940芯片，NMOS管为IRF3205NM0S管。
全文摘要
本发明公开了一种半导体制冷器温控装置。本发明包括一个主控板电路、三个结构相同的驱动电路、五个结构相同的半导体制冷器；五个半导体制冷器中的四个半导体制冷器在同一水平面上，构成矩形状，四个半导体制冷器以两个为一组，每组的两个半导体制冷器串联，且每组的两个半导体制冷器由一个驱动电路驱动；另一个半导体制冷器设置在四个半导体制冷器之上，且位于其他四个半导体制冷器构成的矩形状正中心，该半导体制冷器通过导热硅酯与下层的四个半导体制冷器固定，由第三个驱动电路驱动。本发明本身体积小巧，充分利用电源的驱动能力，提高电源利用率，增加了温度控制的灵活度。
文档编号F25B49/00GK103234316SQ20131010802
公开日2013年8月7日 申请日期2013年3月29日 优先权日2013年3月29日
发明者罗明, 施申蕾, 庞斌, 贺青, 黄河, 郭文正, 黄腾超, 胡慧珠, 舒晓武, 刘承 申请人:浙江大学