本实用新型涉及制冷器领域，尤其是一种改进的半导体制冷器。
背景技术：
半导体制冷是电流换能型制冷方式，既能制冷又能加热，通过对输入电流的控制，可实现对温度的高精度控制，制冷过程不需要任何制冷剂，能够减少噪音和震动，半导体制冷实现的关键是半导体制冷片，半导体制冷片是利用特种半导体材料构成P-N结，形成热电偶对，在通直流电时实现热量转移，一端吸热，另一端放热。
中国专利（CN202734342U）公开技术显示，该结构的半导体制冷片的厚度较薄，在外界散热效果不理想时，制冷片工作时热端产生的热量容易经过制冷片内的空气回流到冷端，影响冷端的吸热效果，降低制冷片的制冷效率。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于解决上述现有技术的不足，而提供一种结构简单、合理的一种改进的半导体制冷器，能解决制冷片在外界散热效果不理想时，热端的热量回流到冷端等问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：
一种改进的半导体制冷器，包括半导体制冷片，半导体制冷片由上基板和下基板，以及阵列设置在上基板和下基板之间的多组P-N结半导体组成，所述上基板和下基板的边缘处按设置有密封环绕层，上基板和下基板之间的密封环绕层内设置有真空绝缘区域，多组P-N结半导体设置在真空绝缘区域内，增加真空绝缘区域能避免半导体制冷片的上基板和下基板通过空气互相传递热量，导致热端的热量回流到冷端，使制冷片的导热更加稳定，使半导体制冷片冷热端的温度差更大，提高半导体制冷片的制冷效果和制冷速度。
所述密封环绕层为粘合硅胶材料，粘合硅胶材料使真空绝缘区域有更佳的绝密封效果，避免空气进入到真空绝缘区域，使制冷片工作时热端产生的热量容易经过制冷片内的空气回流到冷端，降低制冷片的制冷效率。
所述上基板与P-N结半导体之间设有上导流条，上导流条提高上基板与P-N结半导体之间的导热速度，加快制冷片的制冷效果。
所述下基板与P-N结半导体之间设有下导流条，下导流条提高下基板与P-N结半导体之间的导热速度，加快制冷片的制冷效果。
与下导流条提高和下
本实用新型的有益效果是：
本实用新型的一种改进的半导体制冷器，结构简单，制造生产简单，增加真空绝缘区域能避免半导体制冷片的上基板和下基板通过空气互相传递热量，导致热端的热量回流到冷端，使制冷片的导热更加稳定，使半导体制冷片冷热端的温度差更大，提高半导体制冷片的制冷效果和制冷速度。
附图说明
图1是本实用新型的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明：
如图1所示，一种改进的半导体制冷器，包括半导体制冷片1，半导体制冷片1由上基板101和下基板102，以及阵列设置在上基板101和下基板102之间的多组P-N结半导体103组成，其特征在于：所述上基板101和下基板102的边缘处按设置有密封环绕层2，上基板101和下基板102之间的密封环绕层2内设置有真空绝缘区域3，多组P-N结半导体103设置在真空绝缘区域3内，增加真空绝缘区域3能避免半导体制冷片的上基板101和下基板102通过空气互相传递热量，导致热端的热量回流到冷端，使制冷片的导热更加稳定，使半导体制冷片1冷热端的温度差更大，提高半导体制冷片1的制冷效果和制冷速度。
所述密封环绕层2为粘合硅胶材料，粘合硅胶材料使真空绝缘区域3有更佳的绝密封效果，避免空气进入到真空绝缘区域3，使制冷片工作时热端产生的热量容易经过制冷片内的空气回流到冷端，降低制冷片的制冷效率。
所述上基板101与P-N结半导体103之间设有上导流条4，上导流条4提高上基板101与P-N结半导体103之间的导热速度，加快制冷片的制冷效果。
所述下基板102与P-N结半导体103之间设有下导流条5，下导流条5提高下基板102与P-N结半导体103之间的导热速度，加快制冷片的制冷效果。
以上所述的具体实施例，仅为本实用新型较佳的实施例而已，举凡依本实用新型申请专利范围所做的等同设计，均应为本实用新型的技术所涵盖。