蒸汽清洗装置的制作方法

本发明涉及一种蒸汽清洗装置，更详细而言，涉及一种利用饱和蒸气和过热蒸气的蒸汽清洗装置。

背景技术：

在显示基板的制造工艺或半导体元件的制造工艺等中有可能产生颗粒、油分、斑点等杂质。为了去除这种杂质，使用清洗装置。

作为这种清洗装置使用水射流(water-jet)方式，该水射流方式通过直接向清洗对象喷射去离子水(deionizedwater)而去除杂质。这种水射流方式利用水滴的物理打击力，根据水滴粒子的大小，有可能限制能够清洗的杂质种类或清洗力。例如，由于在水射流方式中水滴粒子的大小为约15～20μm，因此有可能无法利用水射流方式来清洗大小小于水滴粒子大小的微细浆料(slurry)、有机物或聚合物(polymer)等杂质。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题在于提供一种蒸汽清洗装置，该蒸汽清洗装置能够清洗大小小于纳米大小水滴粒子的大小的微细浆料、有机物或聚合物等杂质的蒸汽清洗装置。

本发明的一实施例的蒸汽清洗装置包括：蒸气生成器，用于生成饱和蒸气；过热器，通过对所述饱和蒸气进行过热而生成过热蒸气；第一阀，位于所述蒸气生成器与所述过热器之间，用于调节向所述过热器注入的所述饱和蒸气的量；喷嘴部，被连接到所述过热器；以及第二阀，位于所述蒸气生成器与所述喷嘴部之间，用于调节向所述喷嘴部供给的所述饱和蒸气的量，所述喷嘴部喷射所述饱和蒸气和所述过热蒸气中的至少一种蒸气。

所述过热蒸气的温度可以高于所述饱和蒸气的温度，所述过热蒸气的压力可以与所述饱和蒸气的压力相同。

所述第一阀可以是能够调节向所述过热器注入的所述饱和蒸气的量的流量调节阀。

所述第二阀可以是能够调节向所述喷嘴部供给的所述饱和蒸气的量的流量调节阀。

本发明的一实施例的蒸汽清洗装置可进一步包括：第一连接管路，被连接到所述蒸气生成器；第一连接管座，被连接到所述第一连接管路；第二连接管路，被连接到所述第一连接管座和所述过热器的注入口；第三连接管路，被连接到所述第一连接管座；第四连接管路，被连接到所述过热器的流出口；第二连接管座，被连接到所述第三连接管路和所述第四连接管路；以及第五连接管路，被连接到所述第二连接管座与所述喷嘴部之间。

所述第一阀可被连接到所述第二连接管路并且调节经由所述第二连接管路向所述过热器注入的所述饱和蒸气的量。

所述第二阀可被连接到所述第三连接管路并且调节经由所述第三连接管路向所述第二连接管座供给的所述饱和蒸气的量。

所述喷嘴部可包括：第一注入管路，包括蒸气注入口和空气注入口，所述蒸气注入口注入所述饱和蒸气和所述过热蒸气中的至少一种蒸气，所述空气注入口注入清洁干燥空气；喷嘴头，包括注入超纯水的第一注水口和用于喷射蒸气的喷射狭缝；抽吸罩，包围在所述喷嘴头中喷射蒸气的出口的周边；以及抽吸管路，用于抽吸并排出所述抽吸罩内的蒸气。

所述喷嘴部可进一步包括第二注入管路，所述第二注入管路用于向所述抽吸罩内注入所述超纯水。

所述喷嘴头的喷射狭缝的间隔可以是0.15mm。

从所述喷嘴头喷射的蒸气的速度可以是350m/s至550m/s范围内的速度。

本发明另一实施例的蒸汽清洗方法包括以下步骤：在蒸气生成器中生成饱和蒸气；判断是要执行将所述饱和蒸气供给到喷嘴部的饱和蒸气清洗，还是要执行将利用过热器对所述饱和蒸气进行过热后的过热蒸气供给到所述喷嘴部中的过热蒸气清洗；在执行所述饱和蒸气清洗时，关闭连接到所述蒸气生成器与所述过热器之间的第一阀，并且调节连接到所述蒸气生成器与所述喷嘴部之间的第二阀；以及在执行所述过热蒸气清洗时，关闭所述第二阀，并且调节所述第一阀并将所述饱和蒸气注入到所述过热器中。

将所述饱和蒸气注入到所述过热器中的步骤可包括：通过调节所述第一阀来调节向所述过热器注入的所述饱和蒸气的量，从而决定在所述过热器中生成的所述过热蒸气的温度。

所述过热蒸气的温度可以高于所述饱和蒸气的温度，所述过热蒸气的压力可以与所述饱和蒸气的压力相同。

所述方法可进一步包括以下步骤：向所述喷嘴部注入清洁干燥空气及超纯水，并将供给到所述喷嘴部中的所述饱和蒸气和所述过热蒸气中的一种蒸气和所述清洁干燥空气及所述超纯水混合后喷射。

所述方法可进一步包括以下步骤：判断是否要执行混合所述饱和蒸气和所述过热蒸气并向所述喷嘴部供给的混合蒸气清洗；以及在执行所述混合蒸气清洗时，调节所述第一阀而将所述蒸气生成器中生成的所述饱和蒸气的一部分供给到所述过热器中，并且调节所述第二阀而将所述蒸气生成器中生成的所述饱和蒸气的一部分供给到所述喷嘴部中。

本发明能够利用一个蒸汽清洗装置来执行利用饱和蒸气的蒸汽清洗及利用过热蒸气的蒸汽清洗。由此，无需独立地运营利用饱和蒸气的蒸汽清洗装置和利用过热蒸气的蒸汽清洗装置，因此能缩减显示基板或半导体元件的制造费用。

附图说明

图1是示意性地表示本发明的一实施例的蒸汽清洗装置的方框图。

图2表示图1的蒸汽清洗装置中所包括的喷嘴部。

图3表示对从图1的蒸汽清洗装置的喷嘴部喷射的蒸气的速度分布进行模拟的结果。

图4是表示本发明的一实施例的蒸汽清洗方法的流程图。

图5是表示本发明的另一实施例的蒸汽清洗方法的流程图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施例进行详细说明，以使本发明所属技术领域的技术人员能够容易实施。本发明可以以多种不同的形式实现，并不限定于在此说明的实施例。

为了明确说明本发明，省略了与说明无关的部分，在说明书全文中对相同或相似的结构要素使用相同的附图标记。

此外，为方便起见，任意表示附图所示的各结构的大小及厚度，因此本发明并不一定限定于图示的内容。在附图中，为了明确表达多个层及区域，放大表示厚度。并且，为了方便说明，在附图中夸张地表示部分层及区域的厚度。

此外，当提到层、膜、区域或板等部分位于其他部分的“上方”或“上部”时，这不仅包括“直接”位于其他部分的“上方”的情况，还包括在其中间存在其他部分的情况。相反，当提到某部分“直接”位于其他部分的“上方”时，意味着在中间不存在其他部分。此外，位于成为基准的部分的“上方”或“上部”是指位于成为基准的部分的上方或下方，并不一定指朝向重力相反方向而位于“上方”或“上部”。

此外，在说明书全文中，当提到某部分“包括”某结构要素时，在没有特别相反的记载的情况下，这表示并不排除其他结构要素，可进一步包括其他结构要素。

此外，在说明书全文中，所谓“重叠”表示在剖面上上下重叠或在平面上全部或局部位于相同的区域。

下面，参照图1至图3对本发明的一实施例的蒸汽清洗装置进行说明。

图1是示意性地表示本发明的一实施例的蒸汽清洗装置的方框图。

参照图1，蒸汽清洗装置100包括蒸气生成器10、过热器20、喷嘴部30、第一阀41及第二阀42。

蒸气生成器10可包括能够收容去离子水diw的内部空间，在蒸气生成器10的内部空间可收容有去离子水diw。去离子水diw为将溶解的离子全部去除后的纯净水。蒸气生成器10可包括位于容器内部的加热器11。加热器11能够对收容在蒸气生成器10中的去离子水diw进行加热。可通过利用加热器11对收容在蒸气生成器10中的去离子水diw进行加热而生成饱和蒸气s1。饱和蒸气s1的温度可以是约150℃左右。蒸气生成器10被连接到第一连接管路51，所生成的饱和蒸气s1可通过第一连接管路51排出到蒸气生成器10的外部。

第一连接管路51被连接到第一连接管座61。第一连接管座61可将第一连接管路51、第二连接管路52及第三连接管路53彼此连接。即，第一连接管座61可以是三向连接管座，经由第一连接管路51供给的饱和蒸气s1可通过第一连接管座61分开供给到第二连接管路52和第三连接管路53。

第二连接管路52被连接到过热器20的注入口，在过热器20的注入口与第一连接管座61之间可设置有第一阀41。即，第一阀41可被连接到第二连接管路52并且调节经由第二连接管路52供给的饱和蒸气s1的量。第一阀41可以是根据电信号自动开闭的自动阀。此外，第一阀41可以是能够调节经由第二连接管路52供给的饱和蒸气s1的量的流量调节阀。

过热器20对经由第二连接管路52注入的饱和蒸气s1进行过热而生成过热蒸气(superheatedsteam)s2。过热器20可以使饱和蒸气s1直接经过而不停留在过热器20的内部，过热器20可对所经过的饱和蒸气s1施加热而生成压力与饱和蒸气s1的压力相同的过热蒸气s2。即，过热蒸气s2可以是压力与饱和蒸气s1的压力相同但温度比饱和蒸气s1的温度高的蒸气。过热蒸气s2的温度可以是约200℃左右。根据实施例，过热蒸气s2的温度可以是约200℃至400℃范围内的温度。

另外，过热器20可包括能够对所注入的饱和蒸气s1进行过热的额外的加热模块(未图示)，可利用加热模块对饱和蒸气s1进行过热。这种加热模块可以按预先规定的热量对饱和蒸气s1进行过热，并且可根据通过第一阀41供给到过热器20的饱和蒸气s1的量来决定过热器20中生成的过热蒸气s2的温度。例如，在利用第一阀41缩减供给到过热器20中的饱和蒸气s1的量的情况下，能够使在过热器20中生成的过热蒸气s2的温度升高。此外，在利用第一阀41增加供给到过热器20中的饱和蒸气s1的量的情况下，能够使在过热器20中生成的过热蒸气s2的温度降低。即，当过热器20的加热模块按预先规定的热量对饱和蒸气s1进行过热时，可利用第一阀41来调节过热蒸气s2的温度。

过热器20的流出口被连接到第四连接管路54，在过热器20中生成的过热蒸气s2可经由第四连接管路54排出到过热器20的外部。第四连接管路54可被连接到第二连接管座62。

第三连接管路53被连接到第二连接管座62，在第三连接管路53上可以连接有第二阀42并且调节经由第三连接管路53向第二连接管座62供给的饱和蒸气s1的量。第二阀42可以是根据电信号自动开闭的自动阀。此外，第二阀42可以是能够调节经由第三连接管路53供给的饱和蒸气s1的量的流量调节阀。

第二连接管座62可将第三连接管路53、第四连接管路54及连接到喷嘴部30的第五连接管路55彼此连接。即，第二连接管座62可以是三向连接管座。经由第三连接管路53供给的饱和蒸气s1可通过第二连接管座62被供给到第五连接管路55中，并且经由第五连接管路55被供给到喷嘴部30中。此外，经由第四连接管路54供给的过热蒸气s2可通过第二连接管座62被供给到第五连接管路55中，并且经由第五连接管路55被供给到喷嘴部30中。

喷嘴部30可向显示基板或半导体元件等清洗对象(参照图2的pl)喷射所接收的饱和蒸气s1或过热蒸气s2。当向喷嘴部30供给打开第一阀41而在过热器20中生成的过热蒸气s2时，可以关闭第二阀42。或者，当打开第二阀42向喷嘴部30供给饱和蒸气s1时，可以关闭第一阀41。由此，喷嘴部30可向清洗对象pl喷射所接收的饱和蒸气s1或过热蒸气s2。

饱和蒸气s1的粒子大小可以是约10μm左右，过热蒸气s2的粒子大小可以是约2～3μm左右。在显示基板或半导体元件的制造工艺中去除残留浆料、残留有机物或光阻剂等时可利用饱和蒸气s1。并且，在显示基板或半导体元件的制造工艺中清洗超微细(submicron)图案或超微细蚀刻聚合物等时可利用过热蒸气s2。由于过热蒸气s2因干度高而不会形成饱和水，因此在过热蒸气s2的移动时不会存在因饱和水导致的阻力，并且不会与饱和水一同喷射过热蒸气s2，因此容易控制蒸气的粒子大小。并且，由于过热蒸气s2可以保持与饱和蒸气s1的喷射压力相同的压力的同时携带较高的热量喷射，因此能够减少对清洗对象pl的物理损伤。并且过热蒸气s2的分子运动比饱和蒸气s1活跃，有利于清洗仅在高温下反应的物质等。此外，由于过热蒸气s2为纯净水分子状态，因此其被氧气氧化的可能性较低。

另外，根据实施例，喷嘴部30可向清洗对象pl喷射混合有饱和蒸气s1和过热蒸气s2的混合蒸气s3。例如，在打开第一阀41和第二阀42时，饱和蒸气s1和过热蒸气s2可在第二连接管座62中汇合而生成混合有饱和蒸气s1和过热蒸气s2的混合蒸气s3，并且也可以向喷嘴部30供给混合蒸气s3。此时，可通过第一阀41调节向过热器20供给的饱和蒸气s1的量而调节所生成的过热蒸气s2的温度，并且通过第二阀42调节所供给的饱和蒸气s1的量而决定混合有饱和蒸气s1和过热蒸气s2的混合蒸气s3的温度。喷嘴部30可向清洗对象pl喷射混合有饱和蒸气s1和过热蒸气s2的混合蒸气s3。

如此，蒸汽清洗装置100能够选择性地执行利用饱和蒸气s1的饱和蒸气清洗、利用过热蒸气s2的过热蒸气清洗或者利用混合蒸气s3的混合蒸气清洗。

如果独立地制作执行饱和蒸气清洗的清洗装置和执行过热蒸气清洗的清洗装置，则需要在各清洗装置中设置用于清洗装置的加热装置、连接管路及电气设备，因此有可能会增加清洗装置的制作费用。此外，由于需要独立地设置用于各清洗装置的空间，因此有可能会增加清洗装置在车间中所占的空间。此外，由于需要对各清洗装置独立地供电，因此有可能会增加对清洗装置的供电量。

但是，如本发明的一实施例那样，能够利用一个蒸汽清洗装置100选择性地执行饱和蒸气清洗及过热蒸气清洗，因此能够相对缩减清洗装置的制作费用。此外，由于能够利用一个蒸汽清洗装置100选择性地执行饱和蒸气清洗及过热蒸气清洗，因此能够缩减清洗装置在车间中所占的空间。此外，由于只需对一个蒸汽清洗装置100供电并进一步对过热器20提供附加电力即可，因此与运营两台清洗装置的情况相比能够削减耗电量。

下面，参照图2及图3对喷嘴部30进行更详细的说明。

图2表示图1的蒸汽清洗装置中所包括的喷嘴部。图3表示对从图1的蒸汽清洗装置的喷嘴部喷射的蒸气速度分布进行模拟的结果。

参照图2，喷嘴部30包括第一注入管路31、喷嘴头32、抽吸罩(suctionhood)33、第二注入管路34及抽吸管路35。

第一注入管路31可包括：蒸气注入口31-1，被连接到图1所示的第五连接管路55；和空气注入口31-2，用于注入清洁干燥空气(cleandriedair)cda。能够经由蒸气注入口31-1从第五连接管路55向第一注入管路31注入饱和蒸气s1、过热蒸气s2和混合蒸气s3中的任一种蒸气。并且，能够经由空气注入口31-2向第一注入管路31注入清洁干燥空气cda。能够在第一注入管路31中混合饱和蒸气s1、过热蒸气s2和混合蒸气s3中的任一种蒸气和清洁干燥空气cda。能够从第一注入管路31向喷嘴头32供给混合有清洁干燥空气cda的蒸气。

喷嘴头32可包括第一注水口32-1及喷射狭缝32-2。能够经由第一注水口32-1向喷嘴头32注入超纯水(ultrapurewater)upw。超纯水upw可以是除h2o成分以外不存在无机质或矿物质等离子成分的去离子水diw。混合有清洁干燥空气cda的蒸气和超纯水upw可以在喷嘴头32中进行混合并通过喷射狭缝32-2喷射。在喷射头32中最终喷射蒸气的出口与如显示基板或半导体元件的清洗对象pl之间的间隔gp可通过考虑喷射出的蒸气速度、清洗对象pl的特性和杂质种类等来决定。此外，可利用耐受蒸气的物质以预先规定的间隔制作喷嘴头32的喷射狭缝32-2，使得从喷嘴头32的出口喷射的蒸气能够具有规定的喷射特性。例如，可利用硬度高且热导率和热膨胀率小的钛，以约0.15mm的间隔制作喷射狭缝32-2。

如图3所示，在喷射狭缝32-2的间隔为0.15mm且喷嘴头32的出口与清洗对象pl之间的间隔gp为6mm的情况下，对从喷嘴头32喷射的蒸气速度分布进行模拟。从喷嘴头32喷射的蒸气速度为约450m/s，在距喷嘴头32的出口6mm处的清洁对象pl的表面上蒸气速度为约100-200m/s。根据实施例，可以调节从喷射头32喷射的蒸气速度。例如，从喷射头32喷射的蒸气速度可以是约350m/s至550m/s范围内的速度。或者，从喷嘴头32喷射的蒸气速度可以是约400m/s至500m/s范围内的速度。

与去离子水diw混合后从喷嘴头32喷射的蒸气可通过热交换及相变而作为纳米粒子的气泡以约10khz至1mhz的频率进行振动。通过这种频率振动，h2o可被分解为氢离子(h⁺)和氢氧根离子(oh^-)。可利用由氢氧根离子(oh^-)的静电力产生的剥离(liftoff)效果从清洗对象pl中分离清洗对象pl的杂质。此外，当纳米粒子的气泡冲击清洗对象pl的表面时，可通过冲击波(shockwave)或空化作用(cavitation)来去除如清洗对象pl的孔(hole)等形式的结构物内部的杂质。

再次参照图2，抽吸罩33可以以包围喷嘴头32的出口周边的形式附着在喷嘴头32上。即，喷嘴头32可位于抽吸罩33内。并且，在抽吸罩33的边缘可连接有第二注入管路34和抽吸管路35。

在抽吸罩33的边缘可设置有两个以上的第二注入管路34，能够经由第二注入管路34向抽吸罩33内注入超纯水upw。第二注入管路34可向抽吸罩33内供给超纯水upw，从而防止从喷嘴头32喷射的蒸气扩散到抽吸罩33外。

在抽吸罩33的边缘可设置有两个以上的抽吸管路35，抽吸管路35可被连接到外部排气管路ex上。外部排气管路ex可对抽吸管路35提供通过排气产生的抽吸力。抽吸管路35可对抽吸罩33内的蒸气、超纯水upw及通过蒸气分离出的杂质等进行抽吸并排出到排气管路ex中。

另外，清洗对象pl受到驱动部件dr的支撑。通过驱动部件dr，清洗对象pl可以在与喷嘴头32的出口保持规定的间隔gp的状态下进行移动。驱动部件dr的种类或功能不受限制。

下面，参照图4对利用图1所示蒸汽清洗装置100的蒸汽清洗方法的一实施例进行说明。

图4是表示本发明的一实施例的蒸汽清洗方法的流程图。

参照图4，在蒸气生成器10中可收容有去离子水diw，可通过加热器11对去离子水diw进行加热而生成饱和蒸气s1(s110)。饱和蒸气s1的温度可以是约150℃左右。

当在蒸气生成器10中生成饱和蒸气s1时，可以关闭第一阀41及第二阀42，并且直至饱和蒸气s1的温度和压力成为预先规定的温度和压力为止保持第一阀41及第二阀42的关闭状态(s120)。

判断是要执行利用饱和蒸气s1的饱和蒸气清洗，还是要执行利用过热蒸气s2的过热蒸气清洗(s130)。即，判断是要执行将饱和蒸气s1供给到喷嘴部30中的饱和蒸气清洗，还是要执行将利用过热器20对饱和蒸气s1进行过热后的过热蒸气s2供给到喷嘴部30中的过热蒸气清洗。可根据清洗对象pl的种类或待去除的杂质种类来决定饱和蒸气清洗或过热蒸气清洗。

在执行饱和蒸气清洗时，可通过调节第二阀42，将饱和蒸气s1供给到喷嘴部30(s131)。此时，第一阀41保持关闭状态。第二阀42能够调节向喷嘴部30供给的饱和蒸气s1的量。由此，能够向喷嘴部30供给预先规定的压力的饱和蒸气s1。

通过喷嘴部30喷射供给到喷嘴部30中的饱和蒸气s1(s132)。在喷嘴部30中，可以混合喷射清洁干燥空气cda及超纯水upa与饱和蒸气s1，从而去除清洗对象pl的杂质。在显示基板或半导体元件的制造工艺中去除残留浆料、残留有机物或光阻剂等时可利用这种饱和蒸气清洗。

在去除清洗对象pl的杂质之后，可以关闭第二阀42结束饱和蒸气清洗(s133)。此时，可以关闭加热器11的电源。

另外，在执行过热蒸气清洗时，可通过调节第一阀41，将饱和蒸气s1注入到过热器20(s141)。此时，第二阀42保持关闭状态。

过热器20可对饱和蒸气s1进行过热而生成过热蒸气s2(s142)。过热器20可通过避免饱和蒸气s1停留在过热器20内部，从而使所生成的过热蒸气s2具有与饱和蒸气s1相同的压力。可通过由第一阀41调节供给到过热器20中的饱和蒸气s1的量而决定过热器20中生成的过热蒸气s2的温度。过热蒸气s2的温度可以是约200℃左右。根据实施例，过热蒸气s2的温度可以是约200℃至400℃范围内的温度。

在过热器20中生成的过热蒸气s2被供给到喷嘴部30，通过喷嘴部30喷射供给到喷嘴部30中的过热蒸气s2(s143)。在喷嘴部30中，可以混合喷射清洁干燥空气cda及超纯水upw与过热蒸气s2，从而去除清洗对象pl的杂质。在显示基板或半导体元件的制造工艺中清洗超微细图案或超微细蚀刻聚合物等时可利用这种过热蒸气清洗。

在去除清洗对象pl的杂质之后，可以关闭第一阀41结束过热蒸气清洗(s144)。此时，可以关闭加热器11的电源。

饱和蒸气清洗和过热蒸气清洗可以连续执行。在这种情况下，在结束饱和蒸气清洗之后可以执行下一个过热蒸气清洗过程，而不关闭加热器11的电源。此外，在结束过热蒸气清洗之后可以执行下一个饱和蒸气清洗过程，而不关闭加热器11的电源。

下面，参照图5对利用图1所示蒸汽清洗装置100的蒸汽清洗方法的另一实施例进行说明。

图5是表示本发明的另一实施例的蒸汽清洗方法的流程图。

参照图5，在蒸气生成器10中可收容有去离子水diw，通过加热器11对去离子水diw进行加热而生成饱和蒸气s1(s210)。

当在蒸气生成器10中生成饱和蒸气s1时，可以关闭第一阀41及第二阀42，并且直至饱和蒸气s1的温度和压力成为预先规定的温度和压力为止保持第一阀41及第二阀42的关闭状态(s220)。

判断是要执行利用饱和蒸气s1的饱和蒸气清洗，还是要执行利用过热蒸气s2的过热蒸气清洗(s230)。

在不执行饱和蒸气清洗的情况下，判断是要执行过热蒸气清洗，还是要执行利用混合有饱和蒸气s1和过热蒸气s2的混合蒸气s3的混合蒸气清洗(s240)。

在执行混合蒸气清洗时，可通过调节第一阀41，将蒸气生成器10中生成的饱和蒸气s1的一部分供给到过热器20中，并且通过调节第二阀42，将蒸气生成器10中生成的饱和蒸气s1的一部分供给到喷嘴部30中(s251)。

可通过过热器20对供给到过热器20中的一部分饱和蒸气s1进行过热而生成过热蒸气s2(s252)。过热器20可通过避免饱和蒸气s1停留在过热器20内部，从而使所生成的过热蒸气s2具有与饱和蒸气s1相同的压力。可通过由第一阀41调节供给到过热器20中的饱和蒸气s1的量而决定过热器20中生成的过热蒸气s2的温度。在过热器20中生成的过热蒸气s2可被供给到喷嘴部30中。

饱和蒸气s1和过热蒸气s2可在第二连接管座62中汇合而生成混合蒸气s3，并且通过喷嘴部30喷射混合蒸气s3(s253)。在喷嘴部30中，可以混合喷射清洁干燥空气cda及超纯水upw与混合蒸气s3。

在利用混合蒸气s3去除清洗对象pl的杂质之后，可以关闭第一阀41及第二阀42结束混合蒸气清洗(s254)。此时，可以关闭加热器11的电源。

另外，在执行饱和蒸气清洗时，可通过调节第二阀42，将饱和蒸气s1供给到喷嘴部30中(s231)。此时，第一阀41保持关闭状态。第二阀42能够调节向喷嘴部30供给的饱和蒸气s1的量。由此，能够对喷嘴部30提供预先规定的压力的饱和蒸气s1。

通过喷嘴部30喷射供给到喷嘴部30中的饱和蒸气s1(s232)。在喷嘴部3中，可以混合喷射清洁干燥空气cda及超纯水upw与饱和蒸气s1，从而去除清洗对象pl的杂质。

在去除清洗对象pl的杂质之后，可以关闭第二阀42结束饱和蒸气清洗(s233)。此时，可以关闭加热器11的电源。

另外，在执行过热蒸气清洗时，可通过调节第一阀41，将饱和蒸气s1注入到过热器20(s241)。此时，第二阀42保持关闭状态。

在过热器20中生成的过热蒸气s2被供给到喷嘴部30，并且通过喷嘴部30喷射供给到喷嘴部30中的过热蒸气s2(s243)。在喷嘴部30中，可以混合喷射清洁干燥空气cda及超纯水upw与过热蒸气s2，从而去除清洗对象pl的杂质。

在去除清洗对象pl的杂质之后，可以关闭第一阀41结束过热蒸气清洗(s244)。此时，可以关闭加热器11的电源。

饱和蒸气清洗、过热蒸气清洗及混合蒸气清洗可以连续执行。在这种情况下，在结束饱和蒸气清洗之后，可在不关闭加热器11的电源的情况下执行下一个过热蒸气清洗过程或混合蒸气清洗过程。此外，在结束过热蒸气清洗之后，可在不关闭加热器11的电源的情况下执行下一个饱和蒸气清洗过程或混合蒸气清洗过程。此外，在结束混合蒸气清洗之后，可在不关闭加热器11的电源的情况下执行下一个饱和蒸气清洗过程或过热蒸气清洗过程。

目前为止参照的附图和所记载的发明的详细说明只不过是本发明的示例，这仅仅是为了说明本发明而使用的，并不是为了限定含义或者限制权利要求书中记载的本发明的范围而使用的。因此，本发明所属技术领域的技术人员应能理解，基于上述实施例可进行多种变形并且实现其他等同的实施例。因此，本发明真正的技术保护范围应由所附的权利要求书的技术思想来决定。

附图标记说明

10：蒸气生成器

20：过热器

30：喷嘴部

41：第一阀

42：第二阀