一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置，该装置包括底部四角设有滑轮且对应的两个侧面设有把手的水箱和设在所述水箱底部中心的蒸气盘管。所述蒸气盘管上均布有数个气孔，且该蒸气盘管的一端与低压蒸汽管线相连。本实用新型结构简单，易于实现，不但操作简单、清洗彻底，而且缩短了清洗时间，降低了检修人员的劳动强度，从而提高了工作效率和清洗效果，同时节约了大量的工业用水。
【专利说明】
一种清洗三氯氢硅合成炉HCI分布盘的装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置。
【背景技术】
[0002]随着全球新能源替代和我国电子产业及太阳能光伏产业迅猛发展，多晶硅市场需求迅速增长，整个行业面临着降低成本和保护环境的双重压力，如何实现系统的闭路循环，降低成本，减小环境污染，成为了企业发展的根本。
[0003]目前，在大规模多晶硅生产中，90%的生产厂采用改良西门子法，其主要原料是三氯氢硅。三氯氢硅的合成可在沸腾床和固定床两种设备中进行，与固定床相比，沸腾床合成三氯氢硅的方法，具有生产能力大、可连续生产、产品中三氯氢硅含量高、生产成本低以及有利于采用催化反应等优点。但在沸腾床使用过程中，三氯氢硅合成炉HCl分布盘容易造成结堵，导致HCl分布不均匀、合成炉底部反应温度增高，从而使合成炉三氯氢硅转化率降低，而且容易损坏三氯氢硅合成炉HCl分布盘。基于上述情况，在生产过程中须定期对三氯氢硅合成炉HCl分布盘进行清理和清洗。
[0004]常规的处理方法是将三氯氢硅合成炉HCl分布盘置于一定量的水中侵泡2小时候后人工进行清理，由于残留的大量硅粉和硅烷结晶物粘结到三氯氢硅合成炉HCl分布盘上，并使分布盘气孔结堵严重，采用工业用水直接冲洗，无法彻底清洗干净残留物，同时造成工业水在大量浪费。另外I台三氯氢硅合成炉HCl分布盘需要2名工作人员清理2天，费时、费工，而且清洗频率高，检修周期短。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种提高工作效率和清洗效果的清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置。
[0006]为解决上述问题，本实用新型所述的一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置，其特征在于:该装置包括底部四角设有滑轮且对应的两个侧面设有把手的水箱和设在所述水箱底部中心的蒸气盘管;所述蒸气盘管上均布有数个气孔，且该蒸气盘管的一端与低压蒸汽管线相连。
[0007]所述蒸气盘管通过卡扣用螺栓连接固定在所述水箱底部中心。
[0008]所述气孔呈圆形或方形。
[0009]所述蒸气盘管的一端穿过蒸汽预留口通过法兰与所述低压蒸汽管线相连。
[0010]所述蒸气盘管内的低压蒸汽压力为0.15 MPa?0.45MPa。
[0011 ]本实用新型与现有技术相比具有以下优点:
[0012]1、本实用新型中的水箱底部四角设有滑轮且对应的两个侧面设有把手，可根据工艺检测点挪动。
[0013]2、本实用新型为常压敞开式清洗，不需加压密封清洗，不但操作简单、清洗彻底，而且缩短了清洗时间，降低了检修人员的劳动强度，从而提高了工作效率和清洗效果，同时节约了大量的工业用水。
[0014]3、本实用新型结构简单，易于实现。采用实用新型清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘后的工业水可做净化处理。
【附图说明】
[0015]下面结合附图对本实用新型的【具体实施方式】作进一步详细的说明。
[0016]图1为本实用新型的结构示意图。
[0017]图中:1-水箱，2-蒸气盘管，3-气孔，4-蒸汽预留口，5-把手，6_卡扣，7_滑轮，8_螺栓。
【具体实施方式】
[0018]如图1所示，一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置，该装置包括底部四角设有滑轮7且对应的两个侧面设有把手5的水箱I和设在水箱I底部中心的蒸气盘管2。
[0019]蒸气盘管2上均布有数个气孔3，且该蒸气盘管2的一端与低压蒸汽管线相连。
[0020]其中:
[0021 ]蒸气盘管2通过卡扣6用螺栓8连接固定在水箱I底部中心。
[0022]气孔3呈圆形或方形。
[0023]蒸气盘管2的一端穿过蒸汽预留口4通过法兰与低压蒸汽管线相连。
[0024]蒸气盘管2内的低压蒸汽压力为0.15 MPa?0.45MPa。
[0025]水箱I材质为碳钢。蒸气盘管2材质为碳钢管，使用过程中可根据被清洗污垢性质选择其他材质。
[0026]使用时，将三氯氢硅合成炉HCl分布盘放置于蒸气盘管2上，在水箱I内通入工业水至水箱1/2处，打开蒸汽总管控制阀通入蒸气。当不断通入的蒸气使水加热至沸腾时，浸泡在蒸气盘管2上的三氯氢硅合成炉HCl分布盘与不断沸腾的热水鼓泡接触，使残留在三氯氢娃合成炉HCl分布盘内的娃烧结晶物充分溶解，从而使得三氯氢娃合成炉HCl分布盘被彻底的清洗。
[0027]若结晶物不易清除时，加入适量碱性化学试剂，提高清洗效果。
【主权项】
1.一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置，其特征在于:该装置包括底部四角设有滑轮(7)且对应的两个侧面设有把手(5)的水箱(I)和设在所述水箱(I)底部中心的蒸气盘管(2);所述蒸气盘管(2)上均布有数个气孔(3)，且该蒸气盘管(2)的一端与低压蒸汽管线相连。2.如权利要求1所述的一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置，其特征在于:所述蒸气盘管(2)通过卡扣(6)用螺栓(8)连接固定在所述水箱(I)底部中心。3.如权利要求1所述的一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置，其特征在于:所述气孔(3)呈圆形或方形。4.如权利要求1所述的一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置，其特征在于:所述蒸气盘管(2)的一端穿过蒸汽预留口(4)通过法兰与所述低压蒸汽管线相连。5.如权利要求1所述的一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置，其特征在于:所述蒸气盘管(2)内的低压蒸汽压力为0.15 MPa?0.45MPa。
【文档编号】B08B3/04GK205684409SQ201620574021
【公开日】2016年11月16日
【申请日】2016年6月15日 公开号201620574021.9, CN 201620574021, CN 205684409 U, CN 205684409U, CN-U-205684409, CN201620574021, CN201620574021.9, CN205684409 U, CN205684409U
【发明人】朱克虎, 刘军, 盛长海, 王振荣, 李英, 彭冬寿, 尹东林, 王体虎
【申请人】亚洲硅业（青海）有限公司