光电一体废气处理装置的制作方法

文档序号:11942726阅读:273来源:国知局

本实用新型涉及废气处理设备领域,尤其是涉及一种光电一体废气处理装置。



背景技术:

废气净化(Flue gas purification)主要是指针对工业场所产生的工业废气诸如粉尘颗粒物、烟气烟尘、异味气体、有毒有害气体进行治理的工作。常见的废气净化有工厂烟尘废气净化、车间粉尘废气净化、有机废气净化、废气异味净化、酸碱废气净化、化工废气净化等。

低温等离子技术:低温等离子体包含大量高能电子,高能电子撞击气体分子(如:N2,O2,H2O)后会产生活性粒子;高能电子和活性粒子直接氧化各种有机废气分子,使其迅速形成小分子碎片,最终降解生成CO2和H2O等。

UV光催化技术:其机理主要是光催化剂吸收光子,与表面的水反应产生羟基自由基和活性氧物质(,羟基自由基具有很高的反应能(120kJ/mol),高于有机废气中各类污染物的化学键能,如:C-C(83kJ/mol),C-H(99kJ/mol),C-N(73kJ/mol),C-O(84kJ/mol),H-O(111kJ/mol),N-H(93kJ/mol)。当紫外光照射有机废气分子时,有机物分子键断裂,变成无毒无害的二氧化碳和水。

目前的废气处理设备一般都是采用单一处理方式如光解法或等离子法等,处理效果不理想,处理效率低。



技术实现要素:

本实用新型为了解决上述技术问题,提供一种光电一体废气处理装置,能够解决采用单一处理方式造成的处理效果不理想和处理效率低的问题。将低温等离子技术和UV光催化技术优势互补,克服单一手段处理存在的劣势,达到高效、低耗、低成本的目的。

为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:一种光电一体废气处理装置,包括壳体,所述的壳体包括进气口和出气口,所述的壳体内在所述的进气口和所述的出气口之间依次设置有第一过滤区、第一UV光解区、第一低温等离子区、第二低温等离子区、第二UV光解区和第二过滤区,所述的第一UV 光解区和所述的第二UV光解区设置有高能紫外线灯管;

所述的第一过滤区设置在靠近进气口,所述的第二过滤区设置在靠近出气口;

所述的第一过滤区包括过滤棉,所述的第二过滤区包括活性碳纤维。

本实用新型由于采用了上述的技术方案,将低温等离子技术和UV光解催化技术工艺耦合,在光电协同作用下,将有机废气分子降解为低分子,将有害因子降解为无害因子,达到除臭除味的目的。将低温等离子技术和UV光解催化技术优势互补,克服单一手段处理存在的劣势,达到高效、低耗、低成本的目的。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图;

其中,1-第一过滤区;2-第一UV光解区;3-第一低温等离子区;4-第二低温等离子区;5-第二UV光解区;6-第二过滤区;7-进气口;8-出气口;9-壳体。

具体实施方式

下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1所示一种光电一体废气处理装置,包括壳体9,所述的壳体9包括进气口7和出气口8。

所述的过滤区包括设置在靠近进气口7的第一过滤区1和设置在靠近出气口8的第二过滤区6。

所述的第一过滤区1填充过滤棉,所述的第二过滤区6填充活性碳纤维。

所述的壳体内在所述的进气口7和所述的出气口8之间依次设置有第一过滤区1、第一UV光解区2、第一低温等离子区3、第二低温等离子区4、第二UV光解区5和第二过滤区6。第一UV光解区2和第二UV光解区5设置有高能紫外线灯管(图中未示出)。

工作原理:有机废气进入,经过滤进入光解区,高能紫外线灯管在高压电源的激发下,可产生185nm及253.7nm的光谱,185nm光能被绝大多数污染物分子吸收,且其光子能量较高,可使分子化学键断裂从而发生分解。253.7nm光穿透力比较强,可用于杀菌、消毒,另外,该光子能量也能达到4.9eV,能吸收该 光子的污染物分子也可被分解。除此之外,废气中的氧气和水分子也能被185nm光分解,产生氧原子、臭氧和羟基自由基等氧化性基团,这些活性高和氧化能力强的基团对分解污染物也起到重要作用。为促进光量子的分解效果,该反应装置配备活性碳纤维触媒床,为污染物分子与活性基团的反应提供接触媒介,提高光量子利用率,避免活性基团相互复合淬灭,较好提高气体净化作用在UV光解及催化剂作用下,有机废气降解分解。然后进入低温等离子区,在该区域内双介质阻挡放电(DDBD)产生等离子体存在于两层特殊的石英之间,被处理的废气通过等离子区域发生裂解反应。经过UV光解、低温等离子体两个循环后,大部分有机废气分子被除去,少量未被除去的有机分子在经过活性碳纤维层,将有毒废气全部除去,处理后的气体达标排放。

上述虽然结合附图对本实用新型的具体实施方式进行了描述,但并非对本实用新型保护范围的限制,对于一些本领域普通技术人员所熟知的技术内容,此处不再赘述,所属领域技术人员应该明白,在本实用新型的技术方案的基础上,本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本实用新型的保护范围以内。

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